In the p-n junction diode, the majo

In the p-n junction diode, the majority carriers (holes in p and electrons in the n material) stand a low chance of recombining with the minority carriers (electrons in the p and holes in the n material).However, at the interface or junction between the p and n material this is initially not so. The mobile majority carriers combine and neutralise each other, leaving ionised atoms behind in the proximity of the junction. The n-region ions, having lost an electron, become positively charged and the p-region ions negatively charged through losing a hole. The resultant field across the interface inhibits the migration of majority carriers across the junction and an equilibrium condition is reached. A forward bias of about 500 mV to a silicon diode will lower this potential barrier sufficiently to enable substantial conduction to occur through the device.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในไดโอดเชื่อมต่อ p-n ผู้ให้บริการส่วนใหญ่ (หลุมใน p) และอิเล็กตรอนในวัสดุ n ยืนโอกาสต่ำของ recombining กับผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อย (อิเล็กตรอนในการ p) และหลุมในวัสดุ n อย่างไรก็ตาม ที่ติดต่อหรือเชื่อมต่อระหว่าง p และ n วัสดุ นี้เป็นตอนแรกไม่ ผู้ให้บริการมือถือส่วนรวม และลด ทิ้งกรองสะอาดอะตอมในความใกล้ชิดของการเชื่อมต่อ ประจุไฟฟ้าภูมิภาค n ไม่สูญเสียอิเล็กตรอนมี กลายเป็นมีค่าบวก และ p-ภูมิภาคไอออนประจุลบผ่านสูญเสียรู ฟิลด์ผลลัพธ์ผ่านอินเตอร์เฟซยับยั้งการโยกย้ายของผู้ให้บริการส่วนใหญ่ผ่านการเชื่อมต่อ และถึงสภาพสมดุล ความโน้มเอียงไปข้างหน้าประมาณ 500 mV การไดโอดซิลิคอนจะลดอุปสรรคนี้มีศักยภาพพอที่จะเปิดใช้งานการนำพบเกิดขึ้นผ่านอุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในไดโอด PN Junction, สายการบินส่วนใหญ่ (หลุมใน P และอิเล็กตรอนในวัสดุที่ n) ยืนโอกาสที่ต่ำของ recombining กับผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อย (อิเล็กตรอนใน P และหลุมในวัสดุที่ n) อย่างไรก็ตามที่อินเตอร์เฟซหรือทางแยก ระหว่างพีแอนด์เอ็นวัสดุนี้เป็นครั้งแรกไม่ได้ดังนั้น ผู้ให้บริการโทรศัพท์มือถือส่วนใหญ่รวมและต่อต้านแต่ละอื่น ๆ ออกจากอะตอมซึมอยู่เบื้องหลังในการใกล้ชิดของทางแยกที่ n-ภูมิภาคไอออนมีการสูญเสียอิเล็กตรอนกลายเป็นประจุบวกและ P-ภูมิภาคไอออนประจุลบผ่านการสูญเสียหลุม สนามผลลัพธ์ทั่วอินเตอร์เฟซที่ยับยั้งการย้ายถิ่นของสายการบินส่วนใหญ่ข้ามทางแยกและสภาพสมดุลถึง อคติไปข้างหน้าประมาณ 500 mV กับไดโอดซิลิกอนจะลดอุปสรรคนี้มีศักยภาพพอที่จะช่วยให้การนำสำคัญที่จะเกิดขึ้นผ่านอุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใน p-n ชุมทางไดโอด ส่วนใหญ่ผู้ให้บริการ ( หลุมที่ P และ N อิเล็กตรอนในวัสดุ ) มีโอกาสน้อยของ recombining กับชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการ ( ตัว P และ N หลุมในวัสดุ อย่างไรก็ตาม ที่ติดต่อ หรือเชื่อมต่อระหว่าง P และ N เป็นวัสดุนี้ตอนแรกไม่ได้ดังนั้น ผู้ให้บริการส่วนใหญ่โทรศัพท์มือถือรวมและต่อต้านกัน ออกจาก ionised อะตอมอยู่ในความใกล้ชิดของ Junction การ n-region ไอออน มีการสูญเสียอิเล็กตรอน กลายเป็น มีประจุบวก และประจุลบ p-region ชาร์จผ่านการสูญเสียเป็นรู ซึ่งเป็นเขตข้อมูลผ่านอินเตอร์เฟซยับยั้งการโยกย้ายส่วนใหญ่ผู้ให้บริการข้ามทางแยกและสภาพสมดุลถึง อคติ ไปข้างหน้าประมาณ 500 เพลง ซิลิคอนไดโอด เพื่อจะลดอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นนี้เพียงพอเพื่อให้นำมากมายที่จะเกิดขึ้นผ่านอุปกรณ์