This chapter advocates for the need

This chapter advocates for the need to engineer the structure of materials deposited in nanoscale features so that the completed device can achieve optimum performance and have good reliability. The examples used to illustrate this point are Cu interconnects for semiconductor devices and the SiO2 insulator layer used for plasma displays. The critical role deposition source technology plays in achieving properly engineered films and the modeling required to optimize source technology will be discussed in detail. The benefits of metrology techniques that allow for assessment of the structure of materials inside nanopatterned features will also be elaborated on. Optimized nanopatterned feature coverage and film properties from the culmination of Cu and SiO2 process and source technology development will be presented. A commentary on future trends in Cu interconnects and plasma displays will bring the chapter to a close.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทนี้สนับสนุนความต้องการวิศวกรโครงสร้างของวัสดุที่ฝากในลักษณะ nanoscale เพื่อให้อุปกรณ์เสร็จสมบูรณ์สามารถบรรลุประสิทธิภาพสูงสุด และมีความน่าเชื่อถือดี ตัวอย่างที่ใช้ในการแสดงให้เห็นถึงจุดนี้ Cu เชื่อมต่อสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ และฉนวนกันความร้อนชั้น SiO2 ใช้สำหรับพลาสมา เล่นบทบาทสำคัญสะสมแหล่งเทคโนโลยีในบรรลุฟิล์มถูกออกแบบ และสร้างโมเดลที่ต้องเพิ่มประสิทธิภาพแหล่งเทคโนโลยีจะกล่าวถึงในรายละเอียด ประโยชน์ของมาตรวิทยาเทคนิคที่ช่วยให้สามารถประเมินโครงสร้างของวัสดุภายในคุณสมบัติ nanopatterned จะยังเป็น elaborated บน Nanopatterned เพิ่มประสิทธิภาพคุณลักษณะความครอบคลุมและฟิล์มคุณสมบัติจากสุดยอดของ Cu และ SiO2 กระบวนการและแหล่งพัฒนาเทคโนโลยีจะนำ เชื่อมโยงความเห็นแนวโน้มในอนาคตใน Cu และพลาสมาจะให้บทใกล้ชิด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทนี้สนับสนุนสำหรับความต้องการวิศวกรโครงสร้างของวัสดุที่นำมาฝากไว้ในคุณสมบัติระดับนาโนเพื่อให้อุปกรณ์ที่เสร็จสมบูรณ์สามารถบรรลุประสิทธิภาพสูงสุดและมีความน่าเชื่อถือที่ดี ตัวอย่างที่ใช้ในการแสดงให้เห็นถึงจุดนี้มีความเชื่อม Cu สำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์และชั้นฉนวน SiO2 ใช้สำหรับแสดงพลาสม่า เทคโนโลยีการสะสมแหล่งที่มาเล่นบทบาทสำคัญอย่างยิ่งในการบรรลุภาพยนตร์การออกแบบอย่างถูกต้องและการสร้างแบบจำลองที่จำเป็นในการเพิ่มประสิทธิภาพของเทคโนโลยีที่มาจะมีการหารือในรายละเอียด ประโยชน์ของเทคนิคการวัดที่ช่วยให้การประเมินผลของโครงสร้างของวัสดุภายในคุณสมบัติแบบ nanopatterned ก็จะได้รับรายละเอียดไว้ เพิ่มประสิทธิภาพในการรายงานข่าวแบบ nanopatterned คุณลักษณะและคุณสมบัติของฟิล์มจากสุดยอดของ Cu และขั้นตอนการ SiO2 และแหล่งที่มาการพัฒนาเทคโนโลยีที่จะนำเสนอ ความเห็นเกี่ยวกับแนวโน้มในอนาคตในการเชื่อมต่อและการแสดง Cu พลาสม่าจะนำบทที่จะปิด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทนี้สนับสนุนให้ต้องวิศวกรโครงสร้างของวัสดุที่ฝากไว้ในคุณสมบัตินาโนสเกลเพื่อให้อุปกรณ์ที่สมบูรณ์สามารถบรรลุประสิทธิภาพสูงสุดและมีความน่าเชื่อถือดี ตัวอย่างที่ใช้เพื่อแสดงจุดนี้เป็นทองแดงเชื่อมต่อสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์และพ่นฉนวนชั้นใช้พลาสมาแสดงบทบาทสําคัญของเทคโนโลยีที่มาเล่นในขบวนการออกแบบอย่างถูกต้องและภาพยนตร์แบบต้องปรับเทคโนโลยีที่มาจะกล่าวถึงในรายละเอียด ประโยชน์ของเทคนิคการวัดที่อนุญาตให้ใช้สำหรับการประเมินโครงสร้างของวัสดุภายใน nanopatterned คุณสมบัติจะอธิบายต่อเหมาะ nanopatterned คุณลักษณะที่ครอบคลุมและภาพยนตร์จากคุณสมบัติสุดยอดของทองแดงและ SiO2 กระบวนการ และแหล่งพัฒนาเทคโนโลยีที่จะนำเสนอ ความเห็นเกี่ยวกับแนวโน้มในอนาคตของทองแดงเชื่อมพลาสมา และแสดงนำในบท ที่ใกล้ชิด