Since ambient temperature in the vi

Since ambient temperature in the vicinity of the IGBT/MOSFET driver will have an effect on the actual power dissipation capability of the driver, the maximum allowable power dissipation at this temperature will need to be derated accordingly (in comparison to room temperature). The selected IGBT/MOSFET driver can only be used if the maximum allowable power dissipation at this temperature is within the capability of this IGBT/MOSFET driver.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจากอุณหภูมิที่ดีขับ IGBT/มอ สเฟตจะมีผลกระทบความสามารถในการกระจายอำนาจที่แท้จริงของไดรเวอร์ กระจายอำนาจสูงสุดที่ใช้ได้ที่อุณหภูมินี้จะต้องมี derated ตามลำดับ (โดยที่อุณหภูมิห้อง) สามารถจะใช้ขับ IGBT/มอ สเฟตเลือกถ้ากระจายอำนาจสูงสุดที่ใช้ได้ที่อุณหภูมินี้อยู่ภายในความสามารถของโปรแกรมควบคุมนี้ IGBT/มอ สเฟต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เนื่องจากอุณหภูมิในบริเวณใกล้เคียงของ IGBT / ขับมอสเฟตจะมีผลกระทบต่อความสามารถในการกระจายอำนาจที่แท้จริงของคนขับรถ, การกระจายอำนาจสูงสุดที่อนุญาตที่อุณหภูมินี้จะต้องมีการลดกำาลังตาม (เมื่อเปรียบเทียบกับอุณหภูมิห้อง) คนขับ IGBT / MOSFET เลือกสามารถนำมาใช้เฉพาะในกรณีที่การกระจายอำนาจสูงสุดที่อนุญาตที่อุณหภูมินี้อยู่ภายในความสามารถในการ IGBT / ขับ MOSFET นี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เนื่องจากอุณหภูมิในบริเวณใกล้เคียงของ IGBT / MOSFET driver จะมีผลต่ออำนาจการจริง ความสามารถของคนขับ สูงสุดที่อนุญาตพลังความร้อนที่อุณหภูมินี้จะต้อง derated ตาม ( เปรียบเทียบกับอุณหภูมิห้อง )เลือก / MOSFET คนขับ IGBT สามารถใช้ได้เฉพาะถ้าสูงสุดที่พลังสลายที่อุณหภูมินี้เป็นหนึ่งในความสามารถของ IGBT / มอสเฟตขับ