The cost explosion is also primaril

The cost explosion is also primarily contributed by the
equipment cost, clean room facilities, and lithography process
complexity [8],[24]. Traditional top down silicon based
fabrication requires over 35 masks, and 700 steps for a 90
nm process [25]. The same trend is also stated in [26] for
DRAM process fabrication. To gain sufficient profits, [27]
states that on the average, DRAMs need 3000 to 5000 wafers
per mask set, 1500 for a microprocessors, and 500 or less
for ASICs and SOCs (Le. for 130 nm technology). Moreover,
design revisions cause a hike in mask cost, and reduction
in the number of wafer that can be produced in single
mask set. The mask contribution is becoming the dominant
factor in lithography costs, particularly as minimum feature
sizes fall below the exposure wavelength. These problems
lead to the combination of wafer production to the best
equipped foundaries [28].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การกระจายต้นทุนส่วนใหญ่ยังเป็นส่วนโดย
ต้นทุนอุปกรณ์ ห้องพักสะอาดสิ่งอำนวยความสะดวก และกระบวนการภาพพิมพ์หิน
ความซับซ้อน [8], [24] แบบบนลงล่างใช้ซิลิคอน
ประดิษฐ์ต้องมาสก์กว่า 35 และ 700 ขั้นตอนสำหรับการ 90
กระบวน nm [25] นอกจากนี้ยังมีระบุแนวโน้มเดียวกันใน [26] สำหรับ
DRAM กระบวนการผลิต การได้รับผลกำไรเพียงพอ, [27]
ระบุว่า โดยเฉลี่ย DRAMs ต้องรับ 3000-5000
ต่อชุดหน้ากาก 1500 การประมวลคำ 500 หรือน้อยกว่า
ASICs และ SOCs (เลอ. สำหรับ 130 nm เทคโนโลยี) นอกจากนี้,
ออกแบบปรับปรุงทำให้ยกขึ้นเป็นในรูปแบบต้นทุน และลด
จำนวนแผ่นเวเฟอร์ที่สามารถผลิตได้ในครั้งเดียว
หน้ากากชุด ส่วนรูปแบบจะเป็นโดดเด่น
ปัจจัยต้นทุนภาพพิมพ์หิน โดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นคุณลักษณะต่ำสุด
ขนาดลดลงต่ำกว่าความยาวคลื่นแสง ปัญหาเหล่านี้
นำไปสู่ชุดของการผลิตแผ่นเวเฟอร์จะดีสุด
พร้อม foundaries [28]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระเบิดค่าใช้จ่ายนอกจากนี้ยังมีส่วนหลักโดย
ค่าใช้จ่ายอุปกรณ์สิ่งอำนวยความสะดวกภายในห้องพักที่สะอาดและกระบวนการพิมพ์หิน
ซับซ้อน [8], [24] ซิลิกอนบนลงล่างตามแบบดั้งเดิม
ผลิตต้องกว่า 35 หน้ากากและ 700 ขั้นตอนสำหรับ 90
กระบวนการนาโนเมตร [25] แนวโน้มเดียวกันที่ระบุไว้ยังอยู่ใน [26] สำหรับ
DRAM ผลิตกระบวนการ ที่จะได้รับผลกำไรที่เพียงพอ [27]
ระบุว่าโดยเฉลี่ย DRAMs ต้อง 3000-5000 เวเฟอร์
ต่อชุดหน้ากาก, 1500 สำหรับไมโครโปรเซสเซอร์และ 500 หรือน้อยกว่า
สำหรับ ASICs และ SOCs (ได้ Le. 130 เทคโนโลยีนาโนเมตร) นอกจากนี้
การออกแบบใหม่ทำให้เกิดการปรับขึ้นค่าใช้จ่ายในหน้ากากและการลดลง
ในจำนวนของแผ่นเวเฟอร์ที่สามารถผลิตได้ในซิงเกิ้ล
ชุดหน้ากาก ส่วนหน้ากากกลายเป็นที่โดดเด่น
ปัจจัยค่าใช้จ่ายในการพิมพ์หินโดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นคุณลักษณะขั้นต่ำที่
มีขนาดลดลงต่ำกว่าความยาวคลื่นแสง ปัญหาเหล่านี้
นำไปสู่การรวมกันของการผลิตเวเฟอร์ที่ดีที่สุด
foundaries การติดตั้ง [28]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระเบิดเป็นหลัก ทำให้ต้นทุน โดยต้นทุน
อุปกรณ์ทำความสะอาดในห้องเครื่อง และความซับซ้อนของกระบวนการ lithography
[ 8 ] , [ 24 ] แบบด้านบนลงจากการใช้ซิลิคอน
กว่า 150 รูปแบบ และ 700 ขั้นตอนสำหรับ 90
nm กระบวนการ [ 25 ] แนวโน้มเดียวกันยังระบุใน [ 26 ]
การผลิตกระบวนการ DRAM . ที่จะได้รับผลกำไรเพียงพอ [ 27 ]
ระบุว่าโดยเฉลี่ย ,นั้นต้อง 3 , 000 ถึง 5 , 000 รับ
ต่อชุดหน้ากาก 1500 สำหรับไมโครโปรเซสเซอร์ และ 500 หรือน้อยกว่า และการทำงานของผู้หญิง
สำหรับ ( เลอ . สำหรับ 130 nm เทคโนโลยี ) นอกจากนี้การแก้ไขการออกแบบให้
ธุดงค์ในค่าใช้จ่าย หน้ากากและลด
ในจํานวนเวเฟอร์ ที่สามารถผลิตได้ในเดียว
หน้ากากชุด หน้ากากที่บริจาคเป็นปัจจัยเด่น
ในค่าใช้จ่ายทั้งหมด โดย
คุณสมบัติขั้นต่ำขนาดตกอยู่ใต้แสงความยาวคลื่น ปัญหาเหล่านี้
นำไปสู่ชุดของการผลิตแผ่นเวเฟอร์จะดีที่สุด
พร้อม foundaries [ 28 ]