Dielectric propertiesFig. 4 exhibit

Dielectric properties
Fig. 4 exhibits the temperature dependent dielectric properties
of BST ceramics derived from different routes at 10 kHz within a
temperature range of 120 to 100 C. For the traditional sample,
a sharp cubic-tetragonal phase transition TTC is observed at about
2 C, and a tetragonal-orthorhombic phase transition TOT is
around 64 C, as ‘c/t’ and ‘t/o’ marked in Fig. 4(a), respectively.
For the HEBM specimens, as shown in Fig. 4(b), the transition peak
TTC is broadened and shifted to lower temperature range of 66 to
27 C. It is also observed from this figure that the lower the sintering
temperature is, the lower the TTC will be. The shifted and
broadened phase transition can be explained by the ‘‘internalstress
model’’—which is related to the grain size refinement
[9,18]. In addition, as discussed above, the formation of BW phase
leads to a reduction of Ba/Sr ratio less than 0.6/0.4, which in turn
contributes to the shifted TTC. This is mainly because the lower
Ba/Sr ratio always corresponds to the lower TTC [19]. Meanwhile,
as Fig. 4(b) shows, the TOT peaks cannot be observed in the samples
sintered at lower temperatures (1100 and 1200 C), but reappear
in the samples sintered at 1250 C, which also corroborates
the viewpoint that the internal-stress can help fine-grained materials
overcome the energy barrier of the phase transition [7,20].
Fig. 4(c and d) shows the temperature dependent dielectric loss
of the specimens obtained differently. Unlike the sharp peak observed
in the traditional one [Fig. 4(c)], the dielectric loss curves
of the HEBM specimens are smeared, as shown in Fig. 4(d), and
keep at low values (

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คุณสมบัติเป็นฉนวนFig. 4 จัดแสดงคุณสมบัติเป็นฉนวนขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของเครื่องเคลือบ BST ที่มาจากเส้นทางที่แตกต่างกันที่ 10 kHz ในการอุณหภูมิของ 120 กับ c 100 สำหรับตัวอย่างแบบดั้งเดิมเปลี่ยนระยะชัดลูกบาศก์ tetragonal TT C จะสังเกตที่เกี่ยวกับซี 2 และระยะ tetragonal orthorhombic เปลี่ยนไป Tประมาณ 64 C ' c/t' และไม่ / โอทำเครื่องหมายใน Fig. 4(a) ตามลำดับสำหรับ specimens HEBM ดังที่แสดงใน Fig. 4(b) จุดสูงสุดของช่วงการเปลี่ยนภาพเป็นต้นมา และจากช่วงอุณหภูมิต่ำกว่า 66 การ TT Cค. 27 นอกจากนี้ยังมีการตรวจสอบจากนี้ตัวเลขที่ต่ำกว่าการเผาผนึกอุณหภูมิได้ ต่ำลง TT C จะ ที่ถูกเลื่อน และเปลี่ยนแปลงขยายระยะที่สามารถอธิบายความ '' internalstressรุ่น '' — ซึ่งเกี่ยวข้องกับรีไฟน์เมนท์ขนาดเมล็ดข้าว[9,18] นอกจากนี้ ดังที่กล่าวไว้ข้างต้น การก่อตัวของ BW ระยะนำไปสู่การลดลงของอัตราน้อยกว่า 0.6/0.4 ซึ่งเปิดในส่วน Ba/Srรวม C. TT ถูกเลื่อน ส่วนใหญ่เนื่องจากด้านล่างอัตราส่วน Ba/Sr เสมอตรงกับ C TT ต่ำ [19] ในขณะเดียวกันเป็น Fig. 4(b) แสดง แห่งการ T ที่ไม่สามารถจะสังเกตในตัวอย่างเผาที่อุณหภูมิต่ำลง (1100 และ 1200 C), แต่ปรากฏขึ้นอีกในตัวอย่างที่เผาที่ 1250 C ซึ่งยัง corroboratesจุดชมวิวภายในความเครียดสามารถช่วยผลิตทรายแป้งละเอียดเอาชนะอุปสรรคพลังงานของการเปลี่ยนแปลงระยะ [7,20]4 fig. (c และ d) แสดงการสูญเสียเป็นฉนวนขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของไว้เป็นตัวอย่างได้รับแตกต่างกัน ซึ่งแตกต่างจากยอดคมสังเกตในแบบที่หนึ่ง [Fig. 4(c)], เส้นโค้งขาดทุนเป็นฉนวนของ HEBM specimens มีป้าย ดังที่แสดงใน Fig. 4(d) และเก็บที่ค่าต่ำสุด (< 1%) ภายในช่วงอุณหภูมิที่กว้าง (30ถึง 100 C), ซึ่งเป็นแนวโน้มสำหรับภาค

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คุณสมบัติเป็นฉนวนรูป 4
การจัดแสดงนิทรรศการอุณหภูมิขึ้นอยู่กับคุณสมบัติเป็นฉนวนของเซรามิกBST มาจากเส้นทางที่แตกต่างที่ 10
เฮิร์ทซ์ภายในช่วงอุณหภูมิ? 120-100 องศาเซลเซียส สำหรับตัวอย่างแบบดั้งเดิมคมลูกบาศก์ tetragonal ขั้นตอนการเปลี่ยนแปลง TT องศาเซลเซียสเป็นที่สังเกตเวลาประมาณ 2 องศาเซลเซียสและการเปลี่ยนเฟสเตตระโกน-orthorhombic ไป? T เป็นรอบ? 64? C เป็น 'ค / ตัน' และ 'ที / O 'ทำเครื่องหมายในรูป 4 (ก) ตามลำดับ. สำหรับตัวอย่าง HEBM ดังแสดงในรูปที่ 4 (ข) การเปลี่ยนแปลงสูงสุดTT องศาเซลเซียสมีการขยายและเลื่อนไปช่วงอุณหภูมิที่ต่ำกว่าของ? 66? 27? C มันยังเป็นที่สังเกตได้จากตัวเลขที่ต่ำกว่าการเผาอุณหภูมิที่ต่ำกว่าซับวูฟเฟอร์องศาเซลเซียสจะ ขยับและเปลี่ยนเฟสกว้างสามารถอธิบายได้โดย '' internalstress รูปแบบ '' - ที่เกี่ยวข้องกับการปรับแต่งขนาดเม็ด[9,18] นอกจากนี้ยังเป็นที่กล่าวข้างต้นการก่อตัวของเฟส BW นำไปสู่การลดลงของบริติชแอร์เวย์ / Sr อัตราส่วนน้อยกว่า 0.6 / 0.4 ซึ่งจะก่อให้เกิดการขยับตัวทีทีองศาเซลเซียส นี้เป็นส่วนใหญ่เพราะต่ำกว่าบา / อัตราส่วนอาร์มักจะสอดคล้องกับการลดลงของ TT องศาเซลเซียส [19] ในขณะที่เป็นรูป 4 (ข) แสดงให้เห็น To? ยอด T ไม่สามารถสังเกตเห็นในตัวอย่างเผาที่อุณหภูมิต่ำ(1100 และ 1200 องศาเซลเซียส) แต่เกิดขึ้นอีกครั้งในตัวอย่างเผาที่1250 องศาเซลเซียสซึ่งยังยืนยันมุมมองที่ภายในความเครียดสามารถช่วยให้วัสดุที่ละเอียดเอาชนะอุปสรรคพลังงานของการเปลี่ยนแปลงเฟส [7,20]. รูป 4 (C และ D) แสดงให้เห็นว่าขึ้นอยู่กับอุณหภูมิการสูญเสียอิเล็กทริกของตัวอย่างที่ได้รับแตกต่างกัน ซึ่งแตกต่างจากยอดเขาที่คมชัดสังเกตในแบบหนึ่ง [รูป 4 (ค)] โค้งสูญเสียอิเล็กทริกของตัวอย่างHEBM จะป้ายดังแสดงในรูปที่ 4 (d) และให้ค่าที่ต่ำ(<1%) ในช่วงอุณหภูมิที่กว้าง (30 ที่จะ 100 C) ซึ่งมีแนวโน้มสำหรับการประยุกต์ใช้ในทางปฏิบัติ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สมบัติไดอิเล็กทริกของ
รูปที่ 4 แสดงอุณหภูมิขึ้นอยู่กับคุณสมบัติไดอิเล็กตริก
ของ BST เซรามิกที่ได้จากเส้นทางที่แตกต่างกัน 10 กิโลภายใน
ช่วงอุณหภูมิ  120 กับ 100  C สำหรับตัวอย่างดั้งเดิม
คม , การเปลี่ยนเฟสเตตระโกนอล TT  C สังเกตที่เกี่ยวกับ
 2  C และออร์โทรอมบิกเฟสเตตระโกนอลเปลี่ยน  t
รอบ  64  C ' c / t ' และ ' T / O ' เครื่องหมายในฟิค4 ( ) ตามลำดับ .
สำหรับ hebm ตัวอย่างดังแสดงในรูปที่ 2 ( ข ) การเปลี่ยนแปลงสูงสุด
TT  C เป็นวงกว้างและขยับเพื่อลดอุณหภูมิของ  66
 27  C ก็ยังสังเกตได้จากรูปนี้ ที่ลดการเผา
อุณหภูมิ จะลดลง TT  C จะ วันเลื่อน
วงกว้างในระยะเปลี่ยนผ่านและสามารถอธิบายได้ด้วย ' 'internalstress
รูปแบบ ' ' - ที่เกี่ยวข้องกับเกรนละเอียด
[ 9,18 ] นอกจากนี้ตามที่กล่าวไว้ข้างต้น การก่อตัวของ BW เฟส
นำไปสู่การลดลงของ BA / SR อัตราส่วนน้อยกว่า 0.6 / 0.4 ซึ่งจะมีส่วนช่วยให้ขยับ TT
 C . นี้เป็นส่วนใหญ่เนื่องจากลด
/ SR อัตราส่วนมักจะสอดคล้องกับ TT ลด  C [ 19 ] โดย
เป็นรูป 4 ( b ) แสดงให้  T ยอดไม่สามารถพบในตัวอย่าง
เผาที่อุณหภูมิต่ำ ( 1 , 100 และ 1 , 200  C ) แต่ปรากฏ
ในตัวอย่างที่อุณหภูมิ 1 , 250 องศาเซลเซียส ซึ่งยัง  , HUB
มุมมองว่า ความเครียดสามารถช่วยอย่างละเอียดภายในวัสดุ
เอาชนะอุปสรรคของการเปลี่ยนสถานะของพลังงาน [ 7,20 ] .
รูปที่ 4 ( C และ D ) แสดงอุณหภูมิแบบไดอิเล็กทริกการสูญเสีย
ของตัวอย่างได้แตกต่างกัน ซึ่งแตกต่างจากยอดเขาแหลมสังเกต
ในแบบหนึ่ง [ รูปที่ 4 ( c ) ] , เส้นโค้งการสูญเสียไดอิเล็กทริก
ของ hebm ตัวอย่างละเลง ดังแสดงในรูปที่ 4 ( D ) และเก็บค่า
ต่ำ ( < 1% ) ในช่วงอุณหภูมิที่กว้าง (  30
100  C ) ซึ่งจะนำไปประยุกต์ใช้ ในทางปฏิบัติ