Accordingly,copper oxide(CuO)(a p-t

Accordingly,copper oxide(CuO)(a p-type semiconductor with band gap energy of 1.4eV in its bulk form) is a good candidate to be fabricated as a thin film due to its potential applications as gas sensors,batteries,solar cell as well as photocatalysts.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามลำดับ oxide(CuO) ทองแดง (แบบ p-ชนิดสารกึ่งตัวนำ มีแถบช่องว่างพลังงาน 1.4eV แบบจำนวนมาก) จะลงสมัครรับดีหลังสร้างเป็นฟิล์มบาง ๆ เนื่องจากโปรแกรมประยุกต์ที่มีศักยภาพเป็นเซ็นเซอร์แก๊ส แบตเตอรี่ เซลล์แสงอาทิตย์ เป็น photocatalysts

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังนั้นออกไซด์ทองแดง (ออกไซด์) (สารกึ่งตัวนำชนิดพีด้วยพลังงานช่องว่างของวง 1.4eV ในรูปแบบกลุ่มของมัน) เป็นผู้สมัครที่ดีที่จะประดิษฐ์เป็นฟิล์มบาง ๆ เนื่องจากการใช้งานที่มีศักยภาพในการเป็นก๊าซเซ็นเซอร์แบตเตอรี่เซลล์แสงอาทิตย์เป็น รวมทั้งโฟโตคะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตาม , ทองแดงออกไซด์ ( 2 ( ) ( ) พีที่มีช่องว่างแถบพลังงานของ 1.4ev ในรูปแบบเป็นกลุ่ม ) เป็นตัวเลือกที่ดีที่จะประดิษฐ์เป็นฟิล์มบาง เนื่องจากศักยภาพของก๊าซเซนเซอร์ , แบตเตอรี่ , เซลล์แสงอาทิตย์เช่นเดียวกับตัวเร่งปฏิกิริยา .