Design a network such as appears in

Design a network such as appears in Fig. 7.40 using an enhancement-type MOSFET with
VGa(Th) = 4 V and k = 0.5 X 1O'3 A/V2 to have a Q-point of IDQ = 6 rn.A. Use a supply of 16 V
and standard values.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ออกแบบเครือข่ายเช่นปรากฏใน Fig. 7.40 ใช้มอสเฟตเป็นชนิดเพิ่มประสิทธิภาพด้วยVGa(Th) = 4 V และ k = 0.5 X 1O' 3 A/V2 มีจุด Q ของ IDQ = 6 rn A. ใช้อุปทานของ 16 Vและค่ามาตรฐาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ออกแบบเครือข่ายเช่นที่ปรากฏในรูป 7.40
การใช้เพิ่มประสิทธิภาพของมอสเฟตชนิดที่มีความละเอียดระดับVGA (Th) = 4 V และ k = 0.5 X 1O'3 A / V2 จะมี Q-จุด IDQ = 6 rn.A. ใช้แหล่งจ่าย 16 V
และค่ามาตรฐาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การออกแบบเครือข่ายเช่นที่ปรากฏในรูปอื่นใช้เสริมชนิด MOSFET กับ
VGA ( th ) = 4 V และ k = 0.5 x 1o ' 3 / V2 มี q-point ของ idq = 6 AM . . . ใช้ใส่ของ 16 v


และค่ามาตรฐาน