Fifth Generation HEXFETs from Inter

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
device for use in a wide variety of applications.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ห้ารุ่น HEXFETs จากวงจรเรียงกระแสอินเตอร์
ใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้บรรลุการ
ต่ำสุดในการต้านทานต่อพื้นที่ซิลิคอน สวัสดิการนี้,
รวมอย่างรวดเร็วสลับเร็ว และ ruggedized
ออกแบบอุปกรณ์ MOSFETs ไฟฟ้า HEXFET ดี
รู้จัก แสดงแบบ มีประสิทธิภาพมาก
อุปกรณ์สำหรับใช้ในโปรแกรมประยุกต์ที่หลากหลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

HEXFETs รุ่นที่ห้าจากนานาชาติ Rectifier
ใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้บรรลุ
ต่ำสุดที่เป็นไปได้ในการต้านทานต่อพื้นที่ซิลิกอน ประโยชน์นี้
รวมกับความเร็วในการเปลี่ยนอย่างรวดเร็วและ ruggedized
การออกแบบอุปกรณ์ที่ MOSFETs HEXFET ไฟฟ้าเป็นอย่างดี
ที่รู้จักกันให้นักออกแบบที่มีประสิทธิภาพมาก
อุปกรณ์สำหรับใช้ในการที่หลากหลายของการใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รุ่นที่ 5 hexfets จาก
กระแสนานาชาติใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้บรรลุ
ต่ําสุดที่เป็นไปได้ในความต้านทานต่อพื้นที่ซิลิกอน ประโยชน์นี้
รวมกับเปลี่ยนความเร็วอย่างรวดเร็วและ ruggedized
การออกแบบอุปกรณ์ที่ hexfet มอสเฟตกำลังดี
รู้จักให้นักออกแบบที่มีอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพ
อย่างมากสำหรับใช้ในหลากหลายของการใช้งาน