- ข้อความ
- ประวัติศาสตร์
Thermoelectric generator are great
Thermoelectric generator are great interest because of their
widely applications in energy resources, semiconductor cooling
and temperature sensors [1,2]. But they are relegated to niche
applications due to the poor energy conversion efficiency of
thermoelectric materials [3,4]. The energy conversion efficiency
of thermoelectric material is determined by the dimensionless figure
of merit (ZT) which is defined as S2Tr/j, where S is the Seebeck
coefficient, T is the absolute temperature, r is the electrical conductivity
and j is the thermal conductivity [5]. Researching new
techniques for preparing high ZT value thermoelectric materials
is extremely urgent. Antimonide cobalt based materials, such as
CoSb3 skutterudite, exhibit good value of Seebeck coefficient and
electrical conductivity, hence are promising high ZT values [6,7].
For instance, Shi et al. [8] have report that the CoSb3 filled
Ba0.08La0.05Yb0.04 has highest ZT of 1.7 at 850 K. However, its
thermoelectric properties are still inadequate for practical use
and further improvement in thermoelectric properties is vital for
its large scale application. In particular, thin film technique is one
of method to improve the thermoelectric properties of thermoelectric
materials [9–11]. A high room-temperature figure of merit of
ZT = 2.4 has been reported for P-type Bi2Te3/Sb2Te3 superlattices
[12]. Recently, A few studies on the synthesis of antimonide cobalt
based thin films have also been reported [13–16], such as Savchuk
et al. [17] synthesized CoSb3 thin films by magnetron DC-sputtering
and investigated that the thin films have ZT > 1. However, it is still
ignored comparing to the high thermoelectric properties bulk
materials [18].
Ion beam sputtering deposition (IBSD) is a very attractive technique
since it combines a high deposition rate with great versatility
in depositing thin films [19]. In addition, preparing antimonide
cobalt thin films by ion beam sputtering deposition is rarely
reported. Therefore, in this work, antimonide cobalt thin films
deposited by IBSD were studied. Instead of using alloy targets, a
fan-shaped target was made of the Co target and Sb target
combination. The influence of the deposition temperature on the
microstructure, surface morphology and thermoelectric properties
of the thin films were systematically investigated.
widely applications in energy resources, semiconductor cooling
and temperature sensors [1,2]. But they are relegated to niche
applications due to the poor energy conversion efficiency of
thermoelectric materials [3,4]. The energy conversion efficiency
of thermoelectric material is determined by the dimensionless figure
of merit (ZT) which is defined as S2Tr/j, where S is the Seebeck
coefficient, T is the absolute temperature, r is the electrical conductivity
and j is the thermal conductivity [5]. Researching new
techniques for preparing high ZT value thermoelectric materials
is extremely urgent. Antimonide cobalt based materials, such as
CoSb3 skutterudite, exhibit good value of Seebeck coefficient and
electrical conductivity, hence are promising high ZT values [6,7].
For instance, Shi et al. [8] have report that the CoSb3 filled
Ba0.08La0.05Yb0.04 has highest ZT of 1.7 at 850 K. However, its
thermoelectric properties are still inadequate for practical use
and further improvement in thermoelectric properties is vital for
its large scale application. In particular, thin film technique is one
of method to improve the thermoelectric properties of thermoelectric
materials [9–11]. A high room-temperature figure of merit of
ZT = 2.4 has been reported for P-type Bi2Te3/Sb2Te3 superlattices
[12]. Recently, A few studies on the synthesis of antimonide cobalt
based thin films have also been reported [13–16], such as Savchuk
et al. [17] synthesized CoSb3 thin films by magnetron DC-sputtering
and investigated that the thin films have ZT > 1. However, it is still
ignored comparing to the high thermoelectric properties bulk
materials [18].
Ion beam sputtering deposition (IBSD) is a very attractive technique
since it combines a high deposition rate with great versatility
in depositing thin films [19]. In addition, preparing antimonide
cobalt thin films by ion beam sputtering deposition is rarely
reported. Therefore, in this work, antimonide cobalt thin films
deposited by IBSD were studied. Instead of using alloy targets, a
fan-shaped target was made of the Co target and Sb target
combination. The influence of the deposition temperature on the
microstructure, surface morphology and thermoelectric properties
of the thin films were systematically investigated.
0/5000
Thermoelectric generator are great interest because of theirwidely applications in energy resources, semiconductor coolingand temperature sensors [1,2]. But they are relegated to nicheapplications due to the poor energy conversion efficiency ofthermoelectric materials [3,4]. The energy conversion efficiencyof thermoelectric material is determined by the dimensionless figureof merit (ZT) which is defined as S2Tr/j, where S is the Seebeckcoefficient, T is the absolute temperature, r is the electrical conductivityand j is the thermal conductivity [5]. Researching newtechniques for preparing high ZT value thermoelectric materialsis extremely urgent. Antimonide cobalt based materials, such asCoSb3 skutterudite, exhibit good value of Seebeck coefficient andelectrical conductivity, hence are promising high ZT values [6,7].For instance, Shi et al. [8] have report that the CoSb3 filledBa0.08La0.05Yb0.04 has highest ZT of 1.7 at 850 K. However, itsthermoelectric properties are still inadequate for practical useand further improvement in thermoelectric properties is vital forits large scale application. In particular, thin film technique is oneof method to improve the thermoelectric properties of thermoelectricmaterials [9–11]. A high room-temperature figure of merit ofZT = 2.4 has been reported for P-type Bi2Te3/Sb2Te3 superlattices[12]. Recently, A few studies on the synthesis of antimonide cobaltbased thin films have also been reported [13–16], such as Savchuket al. [17] synthesized CoSb3 thin films by magnetron DC-sputteringand investigated that the thin films have ZT > 1. However, it is stillignored comparing to the high thermoelectric properties bulkmaterials [18].Ion beam sputtering deposition (IBSD) is a very attractive techniquesince it combines a high deposition rate with great versatilityin depositing thin films [19]. In addition, preparing antimonidecobalt thin films by ion beam sputtering deposition is rarelyreported. Therefore, in this work, antimonide cobalt thin filmsdeposited by IBSD were studied. Instead of using alloy targets, afan-shaped target was made of the Co target and Sb targetcombination. The influence of the deposition temperature on themicrostructure, surface morphology and thermoelectric propertiesof the thin films were systematically investigated.
การแปล กรุณารอสักครู่..
Thermoelectric generator are great interest because of their
widely applications in energy resources, semiconductor cooling
and temperature sensors [1,2]. But they are relegated to niche
applications due to the poor energy conversion efficiency of
thermoelectric materials [3,4]. The energy conversion efficiency
of thermoelectric material is determined by the dimensionless figure
of merit (ZT) which is defined as S2Tr/j, where S is the Seebeck
coefficient, T is the absolute temperature, r is the electrical conductivity
and j is the thermal conductivity [5]. Researching new
techniques for preparing high ZT value thermoelectric materials
is extremely urgent. Antimonide cobalt based materials, such as
CoSb3 skutterudite, exhibit good value of Seebeck coefficient and
electrical conductivity, hence are promising high ZT values [6,7].
For instance, Shi et al. [8] have report that the CoSb3 filled
Ba0.08La0.05Yb0.04 has highest ZT of 1.7 at 850 K. However, its
thermoelectric properties are still inadequate for practical use
and further improvement in thermoelectric properties is vital for
its large scale application. In particular, thin film technique is one
of method to improve the thermoelectric properties of thermoelectric
materials [9–11]. A high room-temperature figure of merit of
ZT = 2.4 has been reported for P-type Bi2Te3/Sb2Te3 superlattices
[12]. Recently, A few studies on the synthesis of antimonide cobalt
based thin films have also been reported [13–16], such as Savchuk
et al. [17] synthesized CoSb3 thin films by magnetron DC-sputtering
and investigated that the thin films have ZT > 1. However, it is still
ignored comparing to the high thermoelectric properties bulk
materials [18].
Ion beam sputtering deposition (IBSD) is a very attractive technique
since it combines a high deposition rate with great versatility
in depositing thin films [19]. In addition, preparing antimonide
cobalt thin films by ion beam sputtering deposition is rarely
reported. Therefore, in this work, antimonide cobalt thin films
deposited by IBSD were studied. Instead of using alloy targets, a
fan-shaped target was made of the Co target and Sb target
combination. The influence of the deposition temperature on the
microstructure, surface morphology and thermoelectric properties
of the thin films were systematically investigated.
widely applications in energy resources, semiconductor cooling
and temperature sensors [1,2]. But they are relegated to niche
applications due to the poor energy conversion efficiency of
thermoelectric materials [3,4]. The energy conversion efficiency
of thermoelectric material is determined by the dimensionless figure
of merit (ZT) which is defined as S2Tr/j, where S is the Seebeck
coefficient, T is the absolute temperature, r is the electrical conductivity
and j is the thermal conductivity [5]. Researching new
techniques for preparing high ZT value thermoelectric materials
is extremely urgent. Antimonide cobalt based materials, such as
CoSb3 skutterudite, exhibit good value of Seebeck coefficient and
electrical conductivity, hence are promising high ZT values [6,7].
For instance, Shi et al. [8] have report that the CoSb3 filled
Ba0.08La0.05Yb0.04 has highest ZT of 1.7 at 850 K. However, its
thermoelectric properties are still inadequate for practical use
and further improvement in thermoelectric properties is vital for
its large scale application. In particular, thin film technique is one
of method to improve the thermoelectric properties of thermoelectric
materials [9–11]. A high room-temperature figure of merit of
ZT = 2.4 has been reported for P-type Bi2Te3/Sb2Te3 superlattices
[12]. Recently, A few studies on the synthesis of antimonide cobalt
based thin films have also been reported [13–16], such as Savchuk
et al. [17] synthesized CoSb3 thin films by magnetron DC-sputtering
and investigated that the thin films have ZT > 1. However, it is still
ignored comparing to the high thermoelectric properties bulk
materials [18].
Ion beam sputtering deposition (IBSD) is a very attractive technique
since it combines a high deposition rate with great versatility
in depositing thin films [19]. In addition, preparing antimonide
cobalt thin films by ion beam sputtering deposition is rarely
reported. Therefore, in this work, antimonide cobalt thin films
deposited by IBSD were studied. Instead of using alloy targets, a
fan-shaped target was made of the Co target and Sb target
combination. The influence of the deposition temperature on the
microstructure, surface morphology and thermoelectric properties
of the thin films were systematically investigated.
การแปล กรุณารอสักครู่..
เทอร์โมไฟฟ้าสนใจมากเพราะพวกเขา
อย่างกว้างขวางการประยุกต์ใช้ในทรัพยากรพลังงาน , เซมิคอนดักเตอร์และเซ็นเซอร์อุณหภูมิเย็น
[ 1 , 2 ] แต่พวกเขาจะเนรเทศไปยังโปรแกรมประยุกต์เฉพาะ
เนื่องจากยากจนพลังงานประสิทธิภาพของการแปลงวัสดุเทอร์โม
[ 3 , 4 ] ประสิทธิภาพการใช้พลังงานของวัสดุที่ถูกกำหนดโดยเทอร์โม
รูปที่ไร้มิติบุญ ( คูน ) ซึ่งหมายถึง s2tr / J ซึ่งเป็นค่าวัด
, T คืออุณหภูมิสัมบูรณ์ , R คือการนำไฟฟ้า
และ J เป็นค่าการนำความร้อน [ 5 ] ศึกษาเทคนิคใหม่
เตรียมค่า ZT สูงวัสดุเทอร์โม
เป็นเรื่องเร่งด่วนมาก โคบอลต์ antimonide ตามวัสดุ เช่น
cosb3 สกุตเทอรูไดต์ งานนิทรรศการดีค่า วัดค่า
การนำไฟฟ้าจึงเป็นสัญญา ZT ค่าสูง [ 6 , 7 ] .
สำหรับอินสแตนซ์ ซือ et al . [ 8 ] มีรายงานว่า cosb3 เต็ม
ba0.08la0.05yb0.04 มี ZT สูงสุด 1.7 ที่ 850 K . อย่างไรก็ตาม , เทอร์โมคุณสมบัติยังไม่เพียงพอ
ใช้ปฏิบัติและการปรับปรุงเพิ่มเติมในคุณสมบัติของเทอร์โมเป็นสําคัญสําหรับ
โปรแกรมขนาดใหญ่ โดยเฉพาะเทคนิคฟิล์มบางเป็นหนึ่ง
วิธีการเพื่อปรับปรุงสมบัติของวัสดุเทอร์โมเทอร์โม
[ 9 – 11 ] ห้องอุณหภูมิสูงรูปบุญ
ZT = 2.4 มีรายงาน สำหรับพี bi2te3 / sb2te3 superlattices
[ 12 ] เมื่อเร็วๆนี้ มีการศึกษาเกี่ยวกับการสังเคราะห์โคบอลต์ antimonide
จากฟิล์มบาง นอกจากนี้ยังมีรายงาน [ 13 – 16 ] เช่น savchuk
et al .[ 17 ] cosb3 สังเคราะห์ฟิล์มบางด้วยโลหะ ดีซีสปัต
และตรวจสอบว่าฟิล์มบางมี ZT 1 อย่างไรก็ตาม มันยังคง
ละเว้นเปรียบเทียบกับวัสดุเทอร์โมคุณสมบัติสูงเป็นกลุ่ม
[ 18 ] .
ลำแสงไอออนไนโตรเจนสะสม ( ibsd ) เป็นเทคนิคที่น่าสนใจมากเพราะมันรวม
สูงอัตราการสะสมมากในฟิล์มบางตัว
- [ 19 ] นอกจากนี้เตรียม antimonide
โคบอลต์ ฟิล์ม โดยลำแสงไอออนสสะสมไม่ค่อย
รายงาน ดังนั้น ในงานนี้ antimonide โคบอลต์ ฟิล์ม
ฝากโดย ibsd เพื่อ แทนการใช้โลหะผสมเป้าหมาย , เป้าหมายได้
พัดลมรูปของสหกรณ์เป้าหมายและ SB รวมกันเป้าหมาย
อิทธิพลของการสะสมอุณหภูมิบน
โครงสร้างจุลภาคพื้นผิว และเทอร์โมคุณสมบัติ
ของฟิล์มบาง ) ที่ศึกษาอย่างเป็นระบบ
อย่างกว้างขวางการประยุกต์ใช้ในทรัพยากรพลังงาน , เซมิคอนดักเตอร์และเซ็นเซอร์อุณหภูมิเย็น
[ 1 , 2 ] แต่พวกเขาจะเนรเทศไปยังโปรแกรมประยุกต์เฉพาะ
เนื่องจากยากจนพลังงานประสิทธิภาพของการแปลงวัสดุเทอร์โม
[ 3 , 4 ] ประสิทธิภาพการใช้พลังงานของวัสดุที่ถูกกำหนดโดยเทอร์โม
รูปที่ไร้มิติบุญ ( คูน ) ซึ่งหมายถึง s2tr / J ซึ่งเป็นค่าวัด
, T คืออุณหภูมิสัมบูรณ์ , R คือการนำไฟฟ้า
และ J เป็นค่าการนำความร้อน [ 5 ] ศึกษาเทคนิคใหม่
เตรียมค่า ZT สูงวัสดุเทอร์โม
เป็นเรื่องเร่งด่วนมาก โคบอลต์ antimonide ตามวัสดุ เช่น
cosb3 สกุตเทอรูไดต์ งานนิทรรศการดีค่า วัดค่า
การนำไฟฟ้าจึงเป็นสัญญา ZT ค่าสูง [ 6 , 7 ] .
สำหรับอินสแตนซ์ ซือ et al . [ 8 ] มีรายงานว่า cosb3 เต็ม
ba0.08la0.05yb0.04 มี ZT สูงสุด 1.7 ที่ 850 K . อย่างไรก็ตาม , เทอร์โมคุณสมบัติยังไม่เพียงพอ
ใช้ปฏิบัติและการปรับปรุงเพิ่มเติมในคุณสมบัติของเทอร์โมเป็นสําคัญสําหรับ
โปรแกรมขนาดใหญ่ โดยเฉพาะเทคนิคฟิล์มบางเป็นหนึ่ง
วิธีการเพื่อปรับปรุงสมบัติของวัสดุเทอร์โมเทอร์โม
[ 9 – 11 ] ห้องอุณหภูมิสูงรูปบุญ
ZT = 2.4 มีรายงาน สำหรับพี bi2te3 / sb2te3 superlattices
[ 12 ] เมื่อเร็วๆนี้ มีการศึกษาเกี่ยวกับการสังเคราะห์โคบอลต์ antimonide
จากฟิล์มบาง นอกจากนี้ยังมีรายงาน [ 13 – 16 ] เช่น savchuk
et al .[ 17 ] cosb3 สังเคราะห์ฟิล์มบางด้วยโลหะ ดีซีสปัต
และตรวจสอบว่าฟิล์มบางมี ZT 1 อย่างไรก็ตาม มันยังคง
ละเว้นเปรียบเทียบกับวัสดุเทอร์โมคุณสมบัติสูงเป็นกลุ่ม
[ 18 ] .
ลำแสงไอออนไนโตรเจนสะสม ( ibsd ) เป็นเทคนิคที่น่าสนใจมากเพราะมันรวม
สูงอัตราการสะสมมากในฟิล์มบางตัว
- [ 19 ] นอกจากนี้เตรียม antimonide
โคบอลต์ ฟิล์ม โดยลำแสงไอออนสสะสมไม่ค่อย
รายงาน ดังนั้น ในงานนี้ antimonide โคบอลต์ ฟิล์ม
ฝากโดย ibsd เพื่อ แทนการใช้โลหะผสมเป้าหมาย , เป้าหมายได้
พัดลมรูปของสหกรณ์เป้าหมายและ SB รวมกันเป้าหมาย
อิทธิพลของการสะสมอุณหภูมิบน
โครงสร้างจุลภาคพื้นผิว และเทอร์โมคุณสมบัติ
ของฟิล์มบาง ) ที่ศึกษาอย่างเป็นระบบ
การแปล กรุณารอสักครู่..
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.
- Rice with raw eggs Sprinkle a dash of so
- set
- ฉันคิดว่า
- ดูแลเครื่องคอมพิวเตอร์ของพนักงานทุกๆสาขา
- ไม่ชอบวิชาอังกฤษ
- Ｉ was arbeit
- cream
- Hello Prakhong Next week I am goint to c
- host
- if u dont wanna chat than i leave
- Project Reader in the clothing donation
- แต่ยังไงก็ต้องกลับอยู่ดี
- คุณเก่งมากๆ คุณรู้จักช้างไหม ช้างเป็นสัต
- ฝันดีนะครับ
- ผลลัพธ์ (ภาษาอังกฤษ) 2:The future is som
- For now or forever lol
- ฉันชอบการเรียนการสอนของที่นี้
- cream
- available
- มีความสุขมากๆประสบความสำเร็จในทุกเรื่องท
- You have freedom, I want the same.
- A Headless Rider, a Headless Bride
- Attendees at a seminar share a common in
- Project Reader in the clothing donation
