for each spectra. It was found that

for each spectra. It was found that when the thiolated dsDNA-GaAs incubated with GNPs, another ∼7-fold increase in PL intensity of GaAs was obtained (Fig. 2A). In contrast, only little PL signal change was observed when the untreated GaAs or nonthiolated dsDNA-GaAs (with nonthiolated rDNA) incubated with GNPs. Scanning electron microscopy (SEM) was used to directly characterize the GNPs attachment on GaAs surface. As shown in Fig. 2B, a typical GNPs-GaAs hybrid structure was obtained by incubating thiolated dsDNA-GaAs with GNPs. The GNPs were evenly distributed over the whole GaAs surface with a diameter of ∼5 nm. Whereas, untreated or nonthiolated dsDNA-GaAs resulted in a clean surface without any GNPs. Therefore, the functionalized DNA duplex scaffolds are responsible for GNPs attachment on GaAs substrate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับสเปกตรัมแต่ละ จะพบว่า เมื่อรับการ thiolated dsDNA-GaAs กกกับ GNPs, ∼7 พับเพิ่มขึ้นอีกใน PL เข้มของ GaAs ได้รับ (รูป 2A) ตรงกันข้าม เฉพาะ PL สัญญาณเปลี่ยนไปเล็กน้อยพบว่า เมื่อบำบัด GaAs หรือ nonthiolated dsDNA-GaAs (กับ nonthiolated rDNA) รับการกกกับ GNPs สแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ใช้การอธิบายลักษณะสิ่งที่แนบ GNPs บน GaAs surface โดยตรง ดังแสดงในรูป 2B โครงสร้างไฮบริ GNPs GaAs ทั่วไปได้รับ โดย incubating thiolated dsDNA GaAs ด้วย GNPs GNPs ได้กระจายพื้น GaAs ทั้งอาหาร ∼5 nm ขณะ ไม่ถูกรักษา หรือ nonthiolated dsDNA-GaAs ส่งผลให้พื้นผิวสะอาดโดยไม่ GNPs ใด ๆ ดังนั้น scaffolds เพล็กซ์ดีเอ็นเอที่ functionalized รับผิดชอบสำหรับสิ่งที่แนบ GNPs บน GaAs พื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับแต่ละสเปกตรัม นอกจากนี้ยังพบว่าเมื่อ thiolated dsDNA-GaAs บ่มกับ GNPs อื่นเพิ่มขึ้น ~7 เท่าในความเข้มของ PL GaAs ได้ (รูป. 2A) ในทางตรงกันข้ามการเปลี่ยนแปลงเพียงเล็กน้อยสัญญาณ PL พบว่าเมื่อได้รับการรักษาหรือ GaAs nonthiolated dsDNA-GaAs (กับ nonthiolated rDNA) บ่มกับ GNPs กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ได้ถูกใช้ในลักษณะของสิ่งที่แนบมาโดยตรง GNPs บนพื้นผิว GaAs ดังแสดงในรูป 2B, ทั่วไปโครงสร้างไฮบริด GNPs-GaAs ได้มาจากการบ่ม thiolated dsDNA-GaAs กับ GNPs GNPs มีการกระจายอย่างสม่ำเสมอตลอดพื้นผิว GaAs ทั้งที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง ~5 นาโนเมตร ในขณะที่ได้รับการรักษาหรือ nonthiolated dsDNA-GaAs ส่งผลให้พื้นผิวที่สะอาดโดยไม่ต้อง GNPs ใด ๆ ดังนั้นฟังก์ชันดีเอ็นเอโครงเพล็กซ์มีความรับผิดชอบในสิ่งที่แนบมาใน GNPs GaAs สารตั้งต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในแต่ละช่วง . พบว่าเมื่อ thiolated dsdna แกลเลียมอาร์เซไนด์แยก gnps อีก∼ 7-fold เพิ่มความเข้มในสิ่งที่ได้รับ ( รูปที่ 2A ) ในทางตรงกันข้าม มีเพียงเล็กน้อย พบว่าสัญญาณที่จะเปลี่ยนเมื่อแกลเลียมอาร์เซไนด์ดิบ หรือ nonthiolated dsdna GaAs ( nonthiolated rDNA ) แยก gnps . กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) มาใช้โดยตรง ลักษณะของสิ่งที่แนบ gnps บน GaAs พื้นผิว ดังแสดงในรูปที่ 2B เป็นลูกผสม gnps ในโครงสร้างได้ โดยการแช่ thiolated dsdna GaAs ด้วย gnps . การ gnps กำลังกระจายตัวทั่วทั้งพื้นผิวแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่มีเส้นผ่าศูนย์กลาง∼ 5 นาโนเมตร ส่วนดิบ หรือ nonthiolated dsdna นี้มีผลในการทำความสะอาดผิว โดยไม่ gnps . ดังนั้น ที่มี DNA เพล็กซ์นั่งร้านรับผิดชอบสิ่งที่แนบ gnps บน GaAs substrate .