Faced multiple device failure(GaAs

Faced multiple device failure(GaAs MESFET, depletion type MOSFET) until final product was produced by controlling the electrons in the superlattice by introducing a Schottky barrier over the single heterojunction
HEMT’s replaced GaAs MESFET’s because of the shrink in necessary size of the antenna by .5 or more
In the 90’s these entered into the satellite receivers and mobile phone applications, improvements in cost and processes

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต้องเผชิญกับความล้มเหลวของอุปกรณ์หลาย ๆ (GaAs MESFET, มอสเฟตชนิดพร่อง) จนกว่าผลิตภัณฑ์สุดท้ายที่ถูกผลิตโดยการควบคุมอิเล็กตรอนใน superlattice โดยการแนะนำอุปสรรคกีที่มากกว่าเฮเทอโรเดียว
HEMT แทนที่ GaAs MESFET เนื่องจากการหดตัวในขนาดที่จำเป็นของเสาอากาศโดย 0.5
หรือมากกว่าใน90 ของเหล่านี้ป้อนเข้าสู่เครื่องรับสัญญาณดาวเทียมและการใช้งานโทรศัพท์มือถือในการปรับปรุงค่าใช้จ่ายและกระบวนการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ประสบความล้มเหลวของอุปกรณ์หลาย ๆ ( mesfet GaAs , ชนิด MOSFET depletion ) จนถึงผลิตภัณฑ์สุดท้ายที่ผลิตโดยการควบคุมอิเล็กตรอนในซูเปอร์แลตทิซโดยการนำสิ่งกีดขวางท์ผ่านเดียว heterojunction
hemt แทนที่ใน mesfet เพราะลดขนาดของเสาอากาศที่จำเป็นโดย 5 หรือมากกว่า
.ใน 90 ของเหล่านี้เข้าไปในดาวเทียมรับและการใช้งานโทรศัพท์มือถือในการปรับปรุงกระบวนการค่าใช้จ่ายและ