The phase transition temperature of

The phase transition temperature of VO2 film can be further reduced by doping with metals such as tungsten and niobium, or precipitating VO2 formed in SiO2 by ion implantation

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุณหภูมิเปลี่ยนระยะฟิล์ม VO2 สามารถเพิ่มเติมลดลง โดยโดปปิงค์ด้วยโลหะทังสเตนและไนโอเบียม หรือปัจจัย VO2 เกิดใน SiO2 โดยฤทธิ์ไอออน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุณหภูมิการเปลี่ยนเฟสของภาพยนตร์ VO2 จะลดลงต่อไปโดยยาสลบกับโลหะเช่นทังสเตนและไนโอเบียมหรือทำให้เกิดความวุ่นวายที่เกิดขึ้นใน VO2 SiO2 โดยฝังไอออน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุณหภูมิการเปลี่ยนสถานะของการใช้ออกซิเจนภาพยนตร์ที่สามารถลดลงโดยการเติมโลหะ เช่น ทังสเตน และไนโอเบียม หรือตกตะกอน การใช้ออกซิเจนเกิดขึ้นในซิลิกาโดยฝังไอออน