Based on annealing experiments with

Based on annealing experiments with natural and synthetic raw materials of known grain size and impurity level as well as single crystals the temperature of thermal dissociation of ZrSiO4 was assessed at 1673 ± 10 °C. ZrSiO4 decomposes by a solid-state reaction releasing SiO2 in form of discrete metastable intermediate phases with superstoichiometric Si-content. The eutectic temperature in the ZrO2–SiO2 system was set to 1687 ± 10 °C. The thermodynamic dataset for the ZrO2–SiO2 system was optimised and the quasi-binary phase diagram was re-calculated. The significant influence of even small amounts of impurities on the decomposition temperature and kinetics is explained by the formation of low melting liquid phases resulting in the favoured dissolution of solid silica immediately after release from the zircon structure.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามการทดลองหลอมกับธรรมชาติ และวัตถุดิบของข้าวรู้จักขนาดและมลทินระดับเช่นเดียวกับผลึกอุณหภูมิความร้อน dissociation ของ ZrSiO4 ถูกประเมินที่ 1673 ± 10 องศาเซลเซียส Decomposes ZrSiO4 โดยปฏิกิริยาแบบโซลิดสเตตปล่อย SiO2 ในฟอร์มแยกกัน metastable ระยะกลางมีเนื้อหาศรี superstoichiometric อุณหภูมิในระบบ ZrO2 – SiO2 eutectic ถูกตั้งค่าให้ 1687 ± 10 องศาเซลเซียส ชุดข้อมูลทางอุณหพลศาสตร์สำหรับระบบ ZrO2 – SiO2 ถูกเหมาะงานกราฟฟิก และไดอะแกรมระยะกึ่งไบนารีถูกคำนวณใหม่ อิทธิพลอย่างมีนัยสำคัญของจำนวนสิ่งสกปรกขนาดเล็กแม้อุณหภูมิแยกส่วนประกอบและจลนพลศาสตร์คืออธิบาย โดยการก่อตัวของต่ำละลายเหลวระยะยุบ favoured นส่วนแข็งเกิดทันทีหลังจากออกจากโครงสร้างของเพทาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขึ้นอยู่กับการทดลองที่มีการหลอมวัตถุดิบธรรมชาติและสังเคราะห์ที่มีขนาดเม็ดที่รู้จักและระดับการปนเปื้อนเช่นเดียวกับผลึกเดี่ยวอุณหภูมิความร้อนของการแยกตัวออก ZrSiO4 ถูกประเมิน ณ 1,673 ± 10 ° C ZrSiO4 สลายตัวโดยปฏิกิริยาของรัฐที่มั่นคงปล่อย SiO2 ในรูปแบบของขั้นตอนที่ไม่ต่อเนื่องกลาง metastable กับ superstoichiometric ศรีเนื้อหา อุณหภูมิยูเทคติกในระบบ ZrO2-SiO2 ถูกกำหนดให้ 1,687 ± 10 ° C ชุดข้อมูลทางอุณหพลศาสตร์สำหรับระบบ ZrO2-SiO2 ถูกปรับให้เหมาะสมและเฟสไดอะแกรมกึ่งไบนารีเป็นอีกครั้งที่การคำนวณ อิทธิพลอย่างมีนัยสำคัญแม้จำนวนเงินขนาดเล็กของสิ่งสกปรกกับอุณหภูมิการสลายตัวและจลนศาสตร์จะมีการอธิบายโดยขั้นตอนการก่อตัวของของเหลวละลายต่ำส่งผลให้ได้รับการสนับสนุนการสลายตัวของซิลิกาแข็งทันทีหลังจากที่ปล่อยจากโครงสร้างเพทาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขึ้นอยู่กับขนาดทดลองด้วยวัสดุธรรมชาติและสังเคราะห์วัตถุดิบหรือเม็ดขนาดและระดับความสกปรกเช่นเดียวกับผลึกเดี่ยวอุณหภูมิของความร้อนที่ได้รับการ zrsio4 ที่ 1621 ± 10 องศา zrsio4 สลายตัวโดยปฏิกิริยาสถานะของแข็งในรูปปล่อยพ่นต่อเนื่องระยะเมตาสเตเบิลกลางกับ superstoichiometric ศรี )อุณหภูมิเทคติคใน ZrO2 และระบบถูกตั้งไว้ 1 , SiO2 ± 10 ° C thermodynamic ข้อมูลสำหรับ ZrO2 และระบบกึ่ง - SiO2 และไบนารีเฟสไดอะแกรมเป็นอีกครั้งการคํานวณอิทธิพลสำคัญของจํานวนเล็กน้อยแม้จะปลอมบนอุณหภูมิการสลายตัวและจลนศาสตร์จะอธิบายโดยการก่อตัวของเหลวจุดหลอมเหลวต่ำระยะผลในการละลายของของแข็งที่ชื่นชอบซิลิกาทันทีหลังจากที่ปล่อยจากโครงสร้างของเพทาย .