The graphene used in this study was

The graphene used in this study was synthesized on copper foil
by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) [24,25], with
methane as carbon source. After synthesis, it was transferred onto
heavily doped Si substrate with a 100-nm-thick SiO2 capping layer.
The samples were then bombarded by boron ions to doses ranging
from 0 to 5  1014 cm2 at a fixed energy of 32 keV. Those boron
ions was introduced by an implanter (Varian 350D) which is widely

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Graphene ที่ใช้ในการศึกษานี้ถูกสังเคราะห์ในฟอยล์ทองแดงโดยสะสมไอสารเคมีความดันต่ำ (LPCVD) [24,25], ด้วยมีเทนเป็นแหล่งคาร์บอน หลังจากสังเคราะห์ จะถูกโอนย้ายไปพื้นผิวศรี doped หนักกับ capping ชั้น SiO2 หนา 100 nmตัวอย่างได้ระดม โดยประจุโบรอนเพื่อปริมาณตั้งแต่จาก 0 5 1014 ซม. 2 ที่พลังงานถาวรของ 32 keV โบรอนที่กันถูกนำมาใช้ โดยการ implanter (แล้วแต่กำหนด 350D) ซึ่งเป็นอย่างกว้างขวาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

graphene ที่ใช้ในการศึกษาครั้งนี้ คือ ทองแดงฟอยล์ทองแดง
โดยความดันต่ำ ( chemical vapor deposition ( lpcvd ) [ 24,25 ] ,
มีเทนเป็นแหล่งคาร์บอน หลังจากการสังเคราะห์ มันถูกโอนไปยัง
หนักเจือศรีพื้นผิวด้วย 100 nm หนา SiO2 •ชั้น .
จำนวนแล้วระดมยิง โดยไอออนโบรอนในปริมาณตั้งแต่
0 5  1014 ซม.  2 ที่คงที่ของพลังงาน 32 เคฟ
พวกโบรอนแนะนำการฝังไอออน ( Varian 350d ) ซึ่งเป็นกันอย่างแพร่หลาย