While the sensor response enhanceme

While the sensor response enhancement for ZnO:Nb sensor is certainly illustrated by n-n nano-heterojunction of two semiconductors (ZnO:Nb2O5) leading to an adjustment of the enlarged depletion layer width.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในขณะที่การปรับปรุงเซ็นเซอร์ตอบสนองสำหรับเซนเซอร์ ZnO:Nb แน่นอนจะแสดง โดย n-n นาโน-heterojunction เซมิคอนดักสอง (ZnO:Nb2O5) นำไปสู่การปรับปรุงของความสูญเสียที่ขยายกว้างชั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองเซ็นเซอร์สำหรับ ZnO: เซ็นเซอร์ Nb จะมีภาพประกอบอย่างแน่นอนโดย NN นาโนเฮเทอโรของทั้งสองเซมิคอนดักเตอร์ (ZnO: Nb2O5) ที่นำไปสู่การปรับตัวของความกว้างของชั้นพร่องขยาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองของเซนเซอร์เพื่อซิงค์ออกไซด์ : NB เซนเซอร์แน่นอนภาพประกอบโดย n-n นาโน heterojunction สองระบบ ( P : nb2o5 ) ที่นำไปสู่การขยายการปรับชั้น ความกว้าง