3.3. Cyclic oxidation behaviorFig.

3.3. Cyclic oxidation behavior

Fig. 5 shows the cyclic oxidation curves of MWSC1 at 600 °C and 900 °C. During the initial 10 h of the oxidation process, it can be observed a relatively rapid increase in weight of sample MWSC1. Because the sample has a low relative density and therefore high porosity and many defects such as gaps, the penetration of oxygen into the sample is easy. At that stage, rapid sample surface oxidation may generate a glass phase silica layer, which leads to the observed increase of sample weight in the initial stage, but the oxide layer is not continuous and dense. After approx. 30 h, weight gain becomes slow, and at 600 °C the oxidation weight gain first decreased and then increased again. This is probably due to the formation of an oxide layer not completely covering the entire matrix at this stage, SiC surface oxidation generated CO, CO2, therefore the weight of the sample shows a downward trend. Then oxidation continues and the silicon oxide film layer of protection gradually covers the entire matrix material, and hence the entry of oxygen becomes difficult and sample weight is stable. It can be seen from the oxidation curve of MWSC1, there has been no “pesting” phenomenon of the in situ SiC/(Mo, W)Si2 composite, and the composite showed good low-temperature and mediate-temperature oxidation resistance.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.3 พฤติกรรมการเกิดออกซิเดชันที่วงจรรูป 5 แสดงเส้นโค้งเกิดออกซิเดชันวงจรของ MWSC1 ที่ 600 และ 900 องศาเซลเซียส ระหว่างชม. 10 ครั้งแรกของกระบวนการออกซิเดชัน มันสามารถสังเกตการเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วค่อนข้างน้ำหนักของตัวอย่าง MWSC1 เนื่องจากตัวอย่างที่มีความหนาแน่นสัมพัทธ์ต่ำ และความพรุนสูงดังนั้น และข้อบกพร่องมากเช่นช่องว่าง การเจาะเกราะของออกซิเจนเป็นตัวอย่างเป็นเรื่องง่าย ในขั้นตอน ออกซิเดชั่นผิวอย่างรวดเร็วอาจสร้างแก้วเฟสซิลิกาชั้น ซึ่งนำไปสู่การเพิ่มน้ำหนักตัวอย่างจากการสังเกตในระยะแรก แต่ชั้นออกไซด์ไม่หนาแน่น และต่อเนื่อง หลังจากประมาณ 30 h น้ำหนักจะช้า และ 600 ° c น้ำหนักออกซิเดชัน กำไรครั้งแรก ลดลงแล้ว เพิ่มอีก นี้คืออาจจะเนื่องจากการก่อตัวของชั้นออกไซด์ที่ไม่ครอบคลุมทั้งหมดเมตริกซ์ทั้งในขั้นตอนนี้ ออกซิเดชั่นผิวของ SiC สร้าง CO, CO2 ดังนั้น น้ำหนักของตัวแสดงเป็นแนวโน้มลง ยังคงเกิดออกซิเดชัน และชั้นฟิล์มออกไซด์ซิลิคอนป้องกันครอบคลุมวัสดุทั้งเมตริกซ์ ค่อย ๆ ดังนั้นรายการของออกซิเจนกลายเป็นยาก และน้ำหนักตัวอย่างมีเสถียรภาพ จะเห็นได้จากเส้นโค้งการออกซิเดชันของ MWSC1 ได้รับไม่มี "pesting" ปรากฏการณ์ของ SiC ในแหล่งกำเนิด /(Mo, W) Si2 คอมโพสิต และคอมโพสิตพบว่า อุณหภูมิต่ำ และ อุณหภูมิเป็นสื่อกลางในเทค

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.3 พฤติกรรมการเกิดออกซิเดชัน Cyclic รูป 5 แสดงเส้นโค้งการเกิดออกซิเดชันของวงจร MWSC1 ที่ 600 ° C และ 900 ° C ในช่วงเริ่มต้น 10 ชั่วโมงของกระบวนการออกซิเดชั่ก็สามารถสังเกตได้เพิ่มขึ้นค่อนข้างรวดเร็วในน้ำหนักของ MWSC1 ตัวอย่าง เพราะตัวอย่างมีความหนาแน่นสัมพัทธ์ต่ำและความพรุนจึงสูงและข้อบกพร่องหลายอย่างเช่นช่องว่างการรุกของออกซิเจนเข้าสู่ตัวอย่างเป็นเรื่องง่าย ในขั้นตอนที่ตัวอย่างรวดเร็วออกซิเดชันพื้นผิวอาจสร้างชั้นซิลิกาเฟสแก้วซึ่งนำไปสู่การเพิ่มขึ้นของการสังเกตของน้ำหนักตัวอย่างในระยะแรก แต่ชั้นออกไซด์ไม่ได้อย่างต่อเนื่องและมีความหนาแน่น หลังจากที่ประมาณ 30 ชั่วโมงน้ำหนักที่เพิ่มขึ้นจะกลายเป็นช้าและที่ 600 ° C เพิ่มน้ำหนักการเกิดออกซิเดชันลดลงเป็นครั้งแรกและจากนั้นเพิ่มขึ้นอีกครั้ง นี้น่าจะเกิดจากการก่อตัวของชั้นออกไซด์ไม่สมบูรณ์ครอบคลุมเมทริกซ์ทั้งในขั้นตอนนี้, SiC ออกซิเดชันพื้นผิวที่สร้าง CO, CO2 ดังนั้นน้ำหนักของตัวอย่างที่แสดงให้เห็นแนวโน้มลดลง จากนั้นยังคงเกิดออกซิเดชันและชั้นฟิล์มซิลิกอนออกไซด์ของการป้องกันค่อยๆครอบคลุมวัสดุเมทริกซ์ทั้งหมดและด้วยเหตุนี้การเข้ามาของออกซิเจนกลายเป็นเรื่องยากและน้ำหนักตัวอย่างมีเสถียรภาพ มันสามารถเห็นได้จากเส้นโค้งการเกิดออกซิเดชันของ MWSC1 ได้มีการไม่มี "pesting" ปรากฏการณ์ในแหล่งกำเนิด SiC / (MO, w) Si2 คอมโพสิต, คอมโพสิตและแสดงให้เห็นว่าดีที่อุณหภูมิต่ำและเป็นสื่อกลางในอุณหภูมิความต้านทานการเกิดออกซิเดชัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.3 . พฤติกรรมการออกซิเดชันเป็นรูปที่ 5 แสดงเส้นโค้งไซคลิกออกซิเดชันของ mwsc1 ที่ 600 ° C และ 900 องศา ในช่วงเริ่มต้น 10 H ของกระบวนการออกซิเดชัน จึงสามารถสังเกตได้เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วในน้ำหนักของตัวอย่างที่ค่อนข้าง mwsc1 . เนื่องจากตัวอย่างมีความหนาแน่นสัมพัทธ์ต่ำและความพรุนสูงจึงและข้อบกพร่องหลายอย่าง เช่น ช่องว่าง การซึมผ่านของออกซิเจนในตัวอย่างง่าย ในขั้นตอนที่รวดเร็วตัวอย่างพื้นผิวออกซิเดชันอาจสร้างเฟสชั้นแก้วซิลิกา ซึ่งนำไปสู่การเพิ่มขึ้นของน้ำหนักตัวอย่างพบว่าในช่วงแรก แต่ออกไซด์เป็นชั้นไม่ต่อเนื่องและหนาแน่น หลังจากที่ประมาณ 30 ชั่วโมง น้ำหนักจะกลายเป็นช้าและที่อุณหภูมิ 600 องศา C ออกซิเดชันน้ำหนักแรกลดลง แล้วเพิ่มขึ้นอีก นี้อาจจะเนื่องจากการสะสมของชั้นออกไซด์ไม่สมบูรณ์ครอบคลุมเมทริกซ์ทั้งหมดในขั้นตอนนี้เพียงการสร้างพื้นผิว CO , CO2 , และน้ำหนักของตัวอย่างที่แสดงให้เห็นแนวโน้มลดลง แล้วปฏิกิริยาอย่างต่อเนื่องและซิลิกอนออกไซด์ฟิล์มชั้นของการป้องกันค่อยๆครอบคลุมวัสดุเมทริกซ์ทั้งหมด ดังนั้นรายการของออกซิเจนกลายเป็นเรื่องยากและตัวอย่างน้ำหนักคงที่ มันสามารถเห็นได้จากปฏิกิริยาออกซิเดชันโค้ง mwsc1 ไม่มี " pesting " ปรากฏการณ์ใน situ SIC / ( โม , w ) si2 คอมโพสิต และคอมโพสิตว่าต้านทานออกซิเดชันและอุณหภูมิเป็นอุณหภูมิ