Table 1Field effect mobility, ON/OF

Table 1
Field effect mobility, ON/OFF current ratio, OFF current (IOFF), threshold voltage (VT) and subthreshold slope (S) of nanocomposite SiP3HT FET devices at VDS ¼ 40 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตารางที่ 1ฟิลด์ผลจำนวน อัตรา ปัจจุบัน (IOFF), ขีดจำกัดแรงดัน (VT) และลาดชัน subthreshold (S) ของอุปกรณ์ SiP3HT FET สิตที่ VDS ¼ 40 V/ปิด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตารางที่ 1
สนาม Mobility ผล ON / OFF อัตราส่วนสภาพคล่องออกปัจจุบัน (IOFF) แรงดันเกณฑ์ (VT) และ subthreshold ลาดชัน (S) ของนาโนคอมโพสิตอุปกรณ์SiP3HT FET ที่ VDS ¼40 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตารางที่ 1การเคลื่อนไหวฟิลด์เอฟเฟค , เปิด / ปิดอัตราส่วนปัจจุบัน จากปัจจุบัน ( ioff ) , เกณฑ์แรงดัน ( VT ) และ subthreshold ความชัน ( s ) ของนาโนคอมโพสิต ศรี p3ht เฟตอุปกรณ์ที่¼ VDS  40 V