Radio frequency plasma enhanced che

Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition
Posted on August, 14 in Thin Film Solar Cells Fabrication, Characterization and Applications
The deposition method most widely used to produce device quality a-Si:H is rf (the excitation frequency of plasma is 13.56 MHz) PECVD. The role of the plasma is to provide a source of energy to dissociate silicon bearing gas, which is usually silane. This is done by collisions with electrons, which originate as secondary electrons in the plasma and build up their energy by acceleration in an electric field. The growth of an a-Si:H film is accomplished by attaching reactive particles of dissociated silane molecules, called radicals, to the surface of the growing film. As the thickness of the a-Si:H film for device applications is around half a micrometer, a-Si:H must be deposited on an appropriate substrate carrier. Some of the energy transferred to silane molecules in the collisions with electrons is radiated as visible light, for which reason the deposition method is also referred to as glow discharge. An important advantage of plasma enhanced CVD deposition is that the deposition temperature of device quality a-Si:H is usually between 200 °C and 250 °C. The low temperature process allows the use of a variety of low cost materials as a substrate, such as glass, stainless steel and flexible plastic foils.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พลาสม่าความถี่วิทยุเพิ่มการสะสมไอสารเคมีโพสต์เมื่อสิงหาคม 14 ในฟิล์มบางแสงอาทิตย์เซลล์ประดิษฐ์ จำแนกลักษณะ และการใช้งานวิธีการสะสมที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตคุณภาพอุปกรณ์-Si:H เป็น rf (13.56 MHz เป็นความถี่ไฟฟ้าของพลาสม่า) PECVD บทบาทของพลาสม่าคือเพื่อ ให้เป็นแหล่งของพลังงานที่จะแยกตัวออกซิลิคอนแบกแก๊ส ซึ่งมักจะไซเลน นี้จะกระทำ โดยชนกับอิเล็กตรอน ซึ่งให้กำเนิดอิเล็กตรอนทุติยภูมิในพลาสม่า และสร้างพลังงานของพวกเขา โดยการเร่งความเร็วในสนามไฟฟ้า การเติบโตของการมี-Si:H ฟิล์มได้ โดยแนบปฏิกิริยาอนุภาคของโมเลกุลพ้นไซเลน ที่เรียกว่าอนุมูล พื้นผิวของฟิล์มเติบโต เป็นความหนาของการเป็น-ฟิล์ม Si:H สำหรับการใช้งานอุปกรณ์เป็นรอบครึ่งมิเตอร์ เป็น-Si:H ที่ต้องฝากไว้ในผู้ให้บริการมีพื้นผิวที่เหมาะสม บางส่วนของพลังงานโอนโมเลกุลไซเลนในจะชนกับอิเล็กตรอนคือแผ่เป็นแสงที่มองเห็น ซึ่งเหตุผลวิธีการสะสมยังเรียกว่าปล่อยเรืองแสง ข้อดีสำคัญของพลาสม่าเพิ่มสะสม CVD คืออุณหภูมิสะสมคุณภาพอุปกรณ์-Si:H มักจะอยู่ระหว่าง 200 ° C ถึง 250 ° c กระบวนการอุณหภูมิต่ำช่วยให้การใช้ความหลากหลายของวัสดุต้นทุนต่ำเป็นพื้นผิว เช่นกระจก สแตนเลส และฟอยล์พลาสติกยืดหยุ่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คลื่นความถี่วิทยุพลาสม่าไอสารเคมีเพิ่มการสะสม
โพสต์เมื่อสิงหาคม 14 ในฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์ผลิต, การศึกษาลักษณะและการประยุกต์ใช้
วิธีการของพยานที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตที่มีคุณภาพอุปกรณ์-Si: H เป็น RF (ความถี่กระตุ้นของพลาสม่าเป็น 13.56 MHz) PECVD . บทบาทของพลาสม่าคือการให้แหล่งที่มาของพลังงานที่จะแยกตัวออกก๊าซซิลิกอนแบริ่งซึ่งมักจะไซเลน นี้จะกระทำโดยการชนกับอิเล็กตรอนซึ่งเกิดอิเล็กตรอนรองในพลาสม่าและสร้างพลังงานของพวกเขาโดยการเร่งความเร็วในสนามไฟฟ้า การเจริญเติบโตของ A-Si: ฟิล์ม H สามารถทำได้โดยการติดอนุภาคปฏิกิริยาของโมเลกุลของไซเลนพ้นเรียกว่าอนุมูลกับพื้นผิวของฟิล์มที่กำลังเติบโต ในฐานะที่เป็นความหนาของ A-ศรี: ฟิล์ม H สำหรับการใช้งานอุปกรณ์อยู่ที่ประมาณครึ่งไมโครเมตร a-Si: H จะต้องวางอยู่บนเรือบรรทุกสารตั้งต้นที่เหมาะสม บางส่วนของพลังงานที่ถ่ายโอนไปยังโมเลกุลของไซเลนในการชนกับอิเล็กตรอนจะแผ่เป็นแสงที่มองเห็นเป็นเหตุให้วิธีการของพยานยังจะเรียกว่าเป็นประกาย ประโยชน์ที่สำคัญของพลาสม่าเพิ่ม CVD ทับถมเป็นว่าอุณหภูมิสะสมของที่มีคุณภาพอุปกรณ์-Si: H มักจะอยู่ระหว่าง 200 ° C และ 250 ° C กระบวนการอุณหภูมิต่ำช่วยให้การใช้ความหลากหลายของวัสดุที่ใช้ต้นทุนต่ำเป็นสารตั้งต้นเช่นแก้วสแตนเลสและฟอยล์พลาสติกที่มีความยืดหยุ่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วิทยุความถี่พลาสมาเพิ่มสะสมไอเคมีโพสต์เมื่อวันที่  14  ในเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางผลิตการพิสูจน์เอกลักษณ์และการประยุกต์ใช้การเคลือบแบบอะมอร์ฟัสซิลิคอนที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตคุณภาพอุปกรณ์ : H คือ RF ( ความถี่ 13.56 MHz และพลาสมา ) pecvd . บทบาทของพลาสมา เพื่อให้เป็นแหล่งพลังงาน เพื่อแยกก๊าซซิลิคอน แบริ่ง ซึ่งเป็นเลน . นี้จะกระทำโดยการชนกับอิเล็กตรอน ซึ่งอยู่ในฐานะรองอิเล็กตรอนในพลาสมาและสร้างพลังงานของพวกเขาโดยการเร่งความเร็วในสนามไฟฟ้า การเจริญเติบโตของอะมอร์ฟัสซิลิคอน H ภาพยนตร์ได้ โดยแนบอนุภาคของโมเลกุลปฏิกิริยาทางใจ เรียกว่า ไซเลน , อนุมูลอิสระ , พื้นผิวของการปลูกฟิล์ม เมื่อความหนาของฟิล์มอะมอร์ฟัสซิลิคอน H สำหรับการใช้งานอุปกรณ์ประมาณครึ่งไมโครมิเตอร์ , อะมอร์ฟัสซิลิคอน H ต้องฝากไว้กับผู้ให้บริการที่เหมาะสมที่ทนทาน บางส่วนของพลังงานที่โมเลกุลไซเลนในการชนกับอิเล็กตรอนจะเปล่งประกายเป็นแสงที่มองเห็นเหตุ ฝากเงิน วิธีจะยังเรียกว่าโกลว์ปล่อย ประโยชน์ที่สำคัญของพลาสมาซีวีดี สะสมอยู่ที่การเพิ่มอุณหภูมิของอะมอร์ฟัสซิลิคอนคุณภาพอุปกรณ์ : H เป็นปกติระหว่าง 200 องศา C และ 250 องศา C อุณหภูมิต่ำกระบวนการอนุญาตให้ใช้ความหลากหลายของวัสดุราคาถูกที่หลากหลาย เช่น แก้ว เหล็ก สแตนเลส และฟอยล์พลาสติกที่มีความยืดหยุ่น