they proposed a mechanism that nega

they proposed a mechanism that negative charge due to leakage current trapped in the silicon nitride layer, leading to increasing the concentration of the minority carrier (hole) at the front of n-layer, and consequently increasing surface charge recombination reat, as shown in fig.6

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พวกเขาเสนอกลไกที่ประจุลบเนื่องจากกระแสรั่วไหลติดอยู่ในชั้นไนไตรด์ซิลิโคน นำไปสู่การเพิ่มความเข้มข้นของชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการ (หลุม) ที่ด้านหน้าของเลเยอร์ n และจึง เพิ่มชาร์จ surface รวมตัวกันอีกรอบ reat ดังที่แสดงใน fig.6

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พวกเขาเสนอกลไกที่ประจุลบเนื่องจากการรั่วไหลของกระแสติดอยู่ในชั้นซิลิกอนไนไตรด์ที่นำไปสู่​​การเพิ่มความเข้มข้นของผู้ถือหุ้นส่วนน้อย (หลุม) ที่ด้านหน้าของ N-ชั้นและดังนั้นการเพิ่มพื้นผิวที่ค่าใช้จ่ายรวมตัวกันอีก reat ดังแสดงในรูปที่ 0.6

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พวกเขาเสนอกลไกที่ประจุลบเนื่องจากกระแสรั่วไหลอยู่ในซิลิคอนไนไตรด์ชั้นไปสู่การเพิ่มความเข้มข้นของพาหะส่วนน้อย ( รู ) ที่ด้านหน้าของ n-layer และจึงเพิ่มการประจุพื้นผิว reat ดังแสดงใน fig.6