Therefore,positive voltage stress r

Therefore,positive voltage stress results in potential-induced degradation.They
proposed a mechanism that negative charge due to leakage current
trapped in the silicon nitride layer,leading to increasing the con-
centration of the minority carrier (hole) at the front of n-layer,and
consequently increasing surface charge recombination rate [20], as
shownin Fig.6

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังนั้น ความเครียดแรงดันผลลัพธ์ในศักยภาพที่เกิดการย่อยสลาย พวกเขาเสนอกลไกที่ประจุลบเนื่องจากกระแสรั่วไหลติดอยู่ในชั้นไนไตรด์ซิลิโคน นำไปสู่การเพิ่ม con-centration ขนที่ชนกลุ่มน้อย (รู) ที่ด้านหน้าของชั้น n และจึง เพิ่มอัตราการรวมตัวกันชาร์จ surface [20], เป็นshownin Fig.6

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังนั้นผลลัพธ์ความเครียดแรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกในศักยภาพที่เกิด degradation.They
เสนอกลไกที่ประจุลบเนื่องจากการรั่วไหลของกระแส
ติดอยู่ในชั้นซิลิคอนไนไตรด์ที่นำไปสู่การเพิ่มอย่างต่อ
centration ของผู้ถือหุ้นส่วนน้อย (หลุม) ที่ด้านหน้าของ n- ชั้นและ
ส่งผลให้พื้นผิวการเพิ่มอัตราค่าใช้จ่ายรวมตัวกันอีก [20] เป็น
shownin Fig.6