The specific contact resistance was

The specific contact resistance was derived from the current–
voltage data. Fig. 2 shows the resistance of the two ohmic contacts
after annealing from 220
C to 390
C for 30 s. In the n-type
ohmic contact system, the Cu/Ge/Pd (150 nm/150 nm/15 nm)
system shows the lowest contact resistance of 4.4  10
6 O cm2
at an annealing temperature of 250
C and the Cu/Pt/Ti/Pt
(150 nm/60 nm/50 nm/5 nm) system shows the lowest value of
6.9  10
6 O cm2 at an annealing temperature of 310
C. Both ohmic
contacts for n-GaAs and p-Ge showed a contact resistance value in
the range of 10
6 O cm2, low enough for a practical III–V device
application.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ต่อต้านการติดต่อเฉพาะที่มาจากปัจจุบัน –ข้อมูลแรงดันไฟฟ้า Fig. 2 แสดงความต้านทานของผู้ติดต่อแบบโอห์มมิคสองหลังจากการอบเหนียวจาก 220 C ถึง C 390 สำหรับ 30 s ในแบบ nระบบติดต่อแบบโอห์มมิค Cu/Ge/Pd (150 nm 150 nm/15 nm)ระบบแสดงที่ความต้านทานติดต่อต่ำสุด 4.4 cm2 10 6 Oที่อุณหภูมิ 250 C และ Cu/Pt/ตี้/Pt การหลอม(150 nm/60 nm/50 nm/5 nm) ระบบแสดงค่าต่ำสุดของ6.9 10 6 O cm2 อุณหภูมิการหลอมของ 310 C. ทั้งแบบโอห์มมิคติดต่อ n GaAs และ p-Ge แสดงให้เห็นว่าค่าความต้านทานที่ติดต่อในช่วงของ 10 6 O cm2 ต่ำพอสำหรับอุปกรณ์ III – V ปฏิบัติแอพลิเคชัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความต้านทานติดต่อเฉพาะได้มาจากรุ่นปัจจุบันข้อมูลแรงดันไฟฟ้า มะเดื่อ. 2 แสดงความต้านทานของทั้งสองรายชื่อ ohmic
หลังจากที่หลอมจาก 220? C ถึง 390? C เป็นเวลา 30 วินาที n-ประเภทระบบการติดต่อ ohmic ที่ลูกบาศ์ก / Ge / Pd (150 นาโนเมตร / 150 นาโนเมตร / 15 นาโนเมตร) ระบบจะแสดงความต้านทานติดต่อต่ำสุดของ 4.4? 10? 6 O cm2 ที่อุณหภูมิการอบ 250 องศาเซลเซียสและ Cu / Pt / ตี / Pt (150 นาโนเมตร / 60 นาโนเมตร / 50 นาโนเมตร / 5 นาโนเมตร) ระบบจะแสดงค่าต่ำสุดของ6.9? 10? 6 O cm2 ที่อุณหภูมิการอบ 310 องศาเซลเซียส ทั้งสอง ohmic รายชื่อสำหรับ n-GaAs และพีจีอีพบว่ามีค่าความต้านทานการติดต่อในช่วง10? 6 O cm2 ที่ต่ำเพียงพอสำหรับการปฏิบัติอุปกรณ์ III-V แอพลิเคชัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความต้านทานการติดต่อเฉพาะได้มาจากปัจจุบัน–
แรงดันข้อมูล รูปที่ 2 แสดงความต้านทานของทั้งสองค่าติดต่อ
หลังจากการหลอมจาก 220
C 390
เป็นเวลา 30 วินาทีในทั่วไป
ค่าติดต่อระบบ ลบ / GE / PD ( 150 nm / 150 nm / 15 nm )
ระบบแสดงสุดติดต่อต้านทาน 4.4  10
CM2
6 o ที่อุณหภูมิการอบอ่อน 250
C และ Cu / PT / Ti / PT
( 150 nm / 60 nm / 50 nm / 5 nm ) ระบบจะแสดงมูลค่าต่ำสุดของ
6.9  10
6 O cm2 ที่อุณหภูมิการอบอ่อนของ 310
C ทั้งค่า
ติดต่อสำหรับ n-gaas p-ge ติดต่อและพบค่าความต้านทานในช่วง 10

6 o cm2 ต่ำเพียงพอสำหรับการปฏิบัติ 3 – 5 อุปกรณ์
ใบสมัคร