were drop-deposited on top of p-typ

were drop-deposited on top of p-type Si wafer [100] surface followed by heating at 80 °C for 30 minutes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีฝากวางบนชนิด p ศรีเว [100] พื้นผิวตามความร้อนที่อุณหภูมิ 80 ° C นาน 30 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ถูกหล่นฝากด้านบนของ P-ประเภทศรีเวเฟอร์ [100] พื้นผิวตามด้วยความร้อนที่อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 30 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ถูกวางไว้บนแผ่นเวเฟอร์ พีซี [ 100 ] พื้นผิวตามความร้อนที่อุณหภูมิ 80 องศา C เป็นเวลา 30 นาที