To systematically study the GNPs-en

To systematically study the GNPs-enhanced PL enhancement from GaAs with the DNA bridge, we explored series of different complementary DNA molecules ranging from 5 to 30 bases in length (see Fig. 1 for the DNA sequences). Each DNA duplex was attached onto GaAs and then adsorbed the GNPs (step 1 in Fig. 1). The effect of GNPs on the PL properties of GaAs was studied (Fig. 3A). As can be seen, the PL emissions at ∼875 nm became more intense, and the PL emission intensities were dependent on the DNAlength between GNPs and GaAs. The stronger PL emission was observed when the shorter DNA was used relative to longer oligomers. Next, we used the simple model reported by Clegg et al. to evaluatethe separation distance between the GaAs and the GNPs 0005 and 0095. As described by Hagermanet al., the duplex DNA with less than 100 base pairs can be modeled as a rigidrod-like molecule [6]. Thus, the length of duplex DNA is increased in 0.32 nm with the addition of each DNA base pair. Consequently, we can assume that the separation between GaAs and GNPs can be tuned easily by changing the dsDNA length. If taking no account of the size of the GNPs, Au–S distance and GaAs-S distance, the separation between GaAs and GNPs was systematically varied by changing the number of base pairs. Fig. 3B presents the enhanced PL emission at ∼875 nm of the different GaAs substrates as functions of thedifferent length of DNAs between GNPs and GaAs. An approximately 20-fold enhancement in the PL intensity compared to untreated GaAs was measured for 5 bp DNA used, corresponding to a distance of ∼2 nm between the GNPs and the GaAs. While only a lower PL enhancement (8 fold) for 30 bp of DNA used,which means a ∼10 nm distance. And, no obvious fluorescence signal was obtained from pure GNPs (data not shown here).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อศึกษาอย่างเป็นระบบเพิ่มประสิทธิภาพขั้นสูง GNPs PL จาก GaAs ด้วยสะพานดีเอ็นเอ แบ่งชุดแตกต่าง DNA โมเลกุลเสริมตั้งแต่ 5 ถึง 30 ฐานยาว (ดูรูปที่ 1 สำหรับดีเอ็นเอลำดับ) ดูเพล็กซ์ดีเอ็นเอแต่ละแนบลงบน GaAs แล้ว ซับ GNPs (ขั้นตอนที่ 1 ในรูปที่ 1) ผลของการ GNPs คุณสมบัติ PL ของ GaAs ถูกศึกษา (มะเดื่อ 3A) สามารถมองเห็น ปล่อย PL ที่ ∼875 nm เป็นรุนแรงมากขึ้น และการปลดปล่อยก๊าซมลพิษ PL พึ่ง DNAlength ระหว่าง GNPs และ GaAs นี้ การปล่อย PL แข็งพบว่า เมื่อดีเอ็นเอที่สั้นลงใช้สัมพันธ์กับ oligomers อีกต่อไป ถัดไป เราสามารถใช้รูปแบบง่ายที่รายงานโดย Clegg ร้อยเอ็ด evaluatethe ระยะห่างระหว่าง GaAs GNPs 0005 และ 0095 ตามที่อธิบายไว้ โดย Hagermanet al. ดีเอ็นเอสองกับฐานไม่เกิน 100 คู่สามารถถูกจำลองเป็นโมเลกุลเช่น rigidrod [6] ดังนั้น ความยาวของดีเอ็นเอดูเพล็กซ์ขึ้นใน 0.32 นาโนเมตรของแต่ละคู่ฐานของดีเอ็นเอ ดังนั้น เราสามารถสรุปได้ว่า การแยกระหว่าง GaAs และ GNPs สามารถจะปรับได้อย่างง่ายดาย โดยการเปลี่ยนความยาว dsDNA ถ้าไม่คำนึงถึงขนาดของ GNPs, Au – S ระยะทางและระยะทาง GaAs S แยกระหว่าง GaAs และ GNPs คือระบบแตกต่างกัน โดยการเปลี่ยนหมายเลขของคู่เบส รูป 3B แสดงการปล่อย PL เพิ่มที่ ∼875 nm ของ GaAs พื้นผิวแตกต่างกันเป็นหน้าที่ของ thedifferent ยาวของดีเอ็นเอระหว่าง GNPs และ GaAs เพิ่มประสิทธิภาพประมาณยี่สิบเท่าในความเข้ม PL เทียบกับ GaAs บำบัดแก้ไขวัด 5 bp ดีเอ็นเอใช้ ที่สอดคล้องกับระยะ ∼2 nm ระหว่าง GNPs กับ GaAs ในขณะที่เฉพาะที่ต่ำกว่า PL เพิ่ม (8 เท่า) 30 bp ของดีเอ็นเอที่ใช้ ซึ่งหมายความว่า ระยะ ∼10 nm และ เรืองแสงชัดเจนไม่มีสัญญาณมาจาก GNPs บริสุทธิ์ (ข้อมูลไม่แสดงที่นี่)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระบบการศึกษาการเพิ่มประสิทธิภาพของ PL GNPs เพิ่มจาก GaAs กับสะพานดีเอ็นเอที่เราสำรวจชุดที่แตกต่างกันของโมเลกุลดีเอ็นเอเสริมตั้งแต่ 5-30 ฐานยาว (ดูรูป. 1 สำหรับลำดับดีเอ็นเอ) แต่ละเพล็กซ์ดีเอ็นเอที่ติดอยู่บน GaAs แล้วดูดซับ GNPs (ขั้นที่ 1 ในรูปที่ 1). ผลของการ GNPs บน PL คุณสมบัติของ GaAs การศึกษา (รูป. 3A) ที่สามารถมองเห็น, การปล่อย PL ที่ ~875 นาโนเมตรกลายเป็นความรุนแรงมากขึ้นและ PL เข้มการปล่อยก๊าซขึ้นอยู่กับ DNAlength ระหว่าง GNPs และ GaAs แข็งแรงการปล่อย PL ก็สังเกตเห็นเมื่อสั้นดีเอ็นเอถูกนำมาใช้เมื่อเทียบกับ oligomers อีกต่อไป ต่อไปเราจะใช้รูปแบบที่เรียบง่ายรายงานโดย Clegg, et al เพื่อ evaluatethe ระยะห่างระหว่าง GaAs และ GNPs 0005 และ 0095. ตามที่อธิบาย Hagermanet al., ดีเอ็นเอเพล็กซ์ที่มีน้อยกว่า 100 คู่เบสสามารถจำลองเป็นโมเลกุล rigidrod เหมือน [6] ดังนั้นความยาวของดีเอ็นเอเพล็กซ์จะเพิ่มขึ้นใน 0.32 นาโนเมตรมีการเพิ่มของแต่ละคู่ฐานดีเอ็นเอ ดังนั้นเราจึงสามารถสรุปได้ว่าการแยกระหว่าง GaAs และ GNPs สามารถปรับได้อย่างง่ายดายโดยการเปลี่ยนความยาว dsDNA หากคำนึงถึงขนาดของ GNPs ที่ไม่มี au-S ระยะทางและ GaAs-S ระยะทางแยกระหว่าง GaAs และ GNPs ก็แตกต่างกันอย่างเป็นระบบโดยการเปลี่ยนจำนวนคู่ฐาน มะเดื่อ. 3B นำเสนอการปล่อย PL เพิ่มที่ ~875 นาโนเมตรของพื้นผิวที่แตกต่างกัน GaAs เป็นฟังก์ชั่นของความยาวของดีเอ็นเอระหว่าง GNPs และ GaAs thedifferent การเพิ่มประสิทธิภาพประมาณ 20 เท่าในความเข้ม PL เมื่อเทียบกับการได้รับการรักษา GaAs วัด 5 ดีเอ็นเอ BP ใช้สอดคล้องกับระยะทางของ ~2 นาโนเมตรระหว่าง GNPs และ GaAs ที่ ขณะที่มีเพียงการเพิ่มประสิทธิภาพ PL ต่ำ (8 เท่า) 30 bp ดีเอ็นเอใช้ซึ่งหมายถึงระยะทาง ~ 10 นาโนเมตร และไม่มีสัญญาณการเรืองแสงที่เห็นได้ชัดที่ได้รับจาก GNPs บริสุทธิ์ (ไม่ได้แสดงข้อมูลที่นี่)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระบบการศึกษา gnps ที่จะเพิ่มเสริมจาก GaAs ด้วยสะพานดีเอ็นเอ เราสำรวจชุดประกอบดีเอ็นเอของโมเลกุลแตกต่างกันตั้งแต่ 5 ถึง 30 ฐานยาว ( ดูรูปที่ 1 สำหรับลำดับดีเอ็นเอ ) แต่ละสองคือดีเอ็นเอแนบลงบนแกลเลียมอาร์เซไนด์แล้ว 30 gnps ( ขั้นตอนที่ 1 ในรูปที่ 1 ) ผลของ gnps ในที่จะศึกษาคุณสมบัติของแกลเลียมอาร์เซไนด์ ( รูปที่ 3 ) ทั้งนี้ พีปล่อยที่∼ 875 nm กลายเป็นที่รุนแรงมากขึ้น และการมีที่จะเข้มขึ้นอยู่กับ dnalength ระหว่าง gnps และ GaAs . ที่แข็งแกร่ง การที่จะพบเมื่อใช้ดีเอ็นเอสั้นเมื่อเทียบกับหน่วยอีกต่อไป ต่อไปเราใช้อย่างง่ายๆที่รายงานโดย Clegg et al . เบสแยกระยะห่างระหว่างนี้และ gnps 0005 และ 0095 . ตามที่อธิบายไว้โดย hagermanet al . , เพล็กซ์ดีเอ็นเอที่มีน้อยกว่า 100 คู่ ฐานเป็นแบบ rigidrod เหมือนโมเลกุล [ 6 ] ดังนั้นความยาวของเพล็กซ์ดีเอ็นเอเพิ่มขึ้น 0.32 nm ด้วยการนำดีเอ็นเอแต่ละคู่เบส ดังนั้นเราสามารถสรุปได้ว่า การแยกระหว่างใน gnps และสามารถปรับได้ง่ายโดยการเปลี่ยน dsdna ความยาว ถ้าถ่ายไม่มีบัญชีของขนาดของ gnps , AU ) ด้วยระยะทางและ gaas-s ระยะห่าง ระยะห่างระหว่าง gnps ได้อย่างเป็นระบบ และในหลากหลายโดยการเปลี่ยนจำนวนของคู่เบส รูปที่ 3B เป็นการเพิ่มมลพิษที่คุณ∼ 875 nm ของพื้นผิวที่แตกต่างกันนี้เป็นฟังก์ชั่นของความยาวต่างๆของแถบ ระหว่าง gnps และ GaAs . ประมาณ 20 เท่า เมื่อเทียบกับที่จะเสริมในความดิบ ณวัด 5 BP ดีเอ็นเอที่ใช้สอดคล้องกับระยะทาง∼ 2 nm ระหว่าง gnps และ GaAs . ขณะที่มีเพียงการลดลง ( 8 ที่จะพับ ) ได้ 30 BP ของดีเอ็นเอที่ใช้ ซึ่งหมายความว่า ∼ 10 nm ระยะทาง และไม่มีสัญญาณชัดเจนที่เรืองแสงได้จาก gnps บริสุทธิ์ ( ข้อมูลไม่แสดงที่นี่ )