N-Channel MOSFETMOSFET having n-cha

N-Channel MOSFET

MOSFET having n-channel region between source and drain is known as n-channel MOSFET . It is a four terminal device, the terminals are gate, drain and source and substrate or body. The drain and source are heavily doped n+ region and the substrate is p-type. The current flows due to flow of the negatively charged electrons, that’s why it is known as n- channel MOSFET. When we apply the positive gate voltage the holes present beneath the oxide layer experiences repulsive force and the holes are pushed downwards in to the bound negative charges which are associated with the acceptor atoms. The positive gate voltage also attracts electrons from n+ source and drain region in to the channel thus an electron reach channel is formed, now if a voltage is applied between the source and drain. The gate voltage controls the electron concentration in the channel n-channel MOSFET is preferred over p-channel MOSFET as the mobility of electrons are higher than holes. The diagrams of enhancements mode and depletion mode are given below.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

N-Channel MOSFETMOSFET มีช่อง n ภูมิภาคระหว่างแหล่งและท่อระบายน้ำเรียกว่า MOSFET n ช่อง เป็นอุปกรณ์อาคาร 4 อาคารผู้โดยสารประตู ท่อระบายน้ำ และแหล่งที่มา และพื้นผิว หรือร่างกาย ท่อระบายน้ำและแหล่งที่มี n + ภูมิภาคเจือมาก และพื้นผิวเป็นชนิด p กระแสปัจจุบันเนื่องจากกระแสของอิเล็กตรอน ที่ว่าทำไมมันเรียกว่า MOSFET n ช่อง เมื่อเราใช้ แรงดันบวกประตูที่หลุมปัจจุบันอยู่ใต้ชั้นออกไซด์ประสบแรงผลัก และหลุมผลักลงในค่าธรรมเนียมค่าลบถูกผูกไว้ซึ่งเกี่ยวข้องกับอะตอมให้เป็นผู้รับ แรงดันไฟฟ้าบวกประตูยังดึงดูดอิเล็กตรอนจาก n + แหล่งที่มาและระบบท่อระบายน้ำช่องจึง มีช่องทางเข้าถึงอิเล็กตรอนจะเกิดขึ้น ตอนนี้ถ้ามีใช้แรงดันไฟฟ้าระหว่างต้นทางและท่อระบายน้ำ แรงดันไฟฟ้าประตูควบคุมความเข้มข้นของอิเล็กตรอนในช่อง n ช่อง MOSFET ที่ต้องผ่าน MOSFET ช่อง p เป็นจำนวนของอิเล็กตรอนสูงกว่าหลุม ไดอะแกรมของการสูญเสียและการปรับปรุงโหมดดังนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

N-Channel MOSFET

มอสเฟตมีเขต n ช่องทางระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำเป็นที่รู้จักกัน MOSFET N-ช่อง มันเป็นอุปกรณ์ปลายทางสี่ขั้วที่มีประตูท่อระบายน้ำและแหล่งที่มาและสารตั้งต้นหรือร่างกาย ท่อระบายน้ำและแหล่งที่มีการเจือหนัก N + ภูมิภาคและสารตั้งต้นคือ P-ประเภท กระแสในปัจจุบันเนื่องจากการไหลของอิเล็กตรอนประจุลบที่ว่าทำไมมันเป็นที่รู้จักกัน MOSFET ช่อง n- เมื่อเราใช้แรงดันบวกประตูหลุมในปัจจุบันภายใต้ประสบการณ์ชั้นออกไซด์แรงน่ารังเกียจและหลุมจะถูกผลักลงไปในเชิงลบค่าใช้จ่ายที่ถูกผูกไว้ที่เกี่ยวข้องกับอะตอมผู้ยอมรับ แรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกประตูยังดึงดูดอิเล็กตรอนจาก N + แหล่งที่มาและการระบายน้ำในภูมิภาคไปยังช่องจึงเป็นช่องทางเข้าถึงอิเล็กตรอนจะเกิดขึ้นในขณะนี้ถ้ามีการใช้ไฟฟ้าระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำ แรงดันไฟฟ้าประตูควบคุมความเข้มข้นของอิเล็กตรอนในช่อง N-ช่อง MOSFET เป็นที่ต้องการมากกว่า MOSFET P-ช่องการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนจะสูงกว่าหลุม แผนภาพของโหมดการปรับปรุงและโหมดการสูญเสียจะได้รับดังนี้