The proposed new resonant gate driv

The proposed new resonant gate drive circuit is shown in Fig. 2. The circuit consists of four switches – , which is inherited from dual channel conventional gate drive circuit, connecting as a bridge configuration, an inductor, and a capacitor connecting across the bridge. Diode and capacitor consist of a bootstrap circuit for high side drive. Capacitors, and , represent the input capacitors of the power MOSFETs and respectively. is the high side switch and Q2 is the lower side switch. is the gate drive voltage source. In order to simplify the implementation, P-channel MOSFET is used for and and N-channel MOSFET is used for and . It is noted that other implementation methods can also be used to achieve the same objective

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การนำเสนอใหม่ประตูคงขับรถวงจรจะแสดงใน Fig. 2 วงจรประกอบด้วยสวิตช์สี่ –, ซึ่งได้รับมาจากวงจรไดรฟ์ธรรมดาประตูสองช่อง เชื่อมต่อเป็นโครงสะพาน มือการ และตัวเก็บประจุการเชื่อมต่อข้ามสะพาน ไดโอดและตัวเก็บประจุประกอบด้วยของวงจรเริ่มต้นระบบสำหรับไดรฟ์ด้านสูง ตัวเก็บประจุ และ แสดงตัวเก็บประจุเข้า MOSFETs ไฟฟ้า และตามลำดับ เป็นสวิตช์ด้านสูง และ Q2 เป็นสวิตช์ด้านล่าง เป็นแหล่งที่มาของแรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ประตู เพื่อทำให้ใช้งานง่าย ใช้มอสเฟตแชนแนล P สำหรับ และ และใช้มอสเฟตแชนแนล N และ ตั้งข้อสังเกตว่า วิธีการใช้งานอื่น ๆ ยังสามารถใช้เพื่อให้บรรลุวัตถุประสงค์เดียวกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เสนอประตูจังหวะใหม่วงจรไดรฟ์แสดงในรูป 2. วงจรประกอบด้วยสี่สวิทช์ - ซึ่งจะรับมาจากประตูธรรมดา Dual Channel วงจรไดรฟ์ที่เชื่อมต่อการกำหนดค่าสะพานเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุเชื่อมต่อข้ามสะพาน ไดโอดและตัวเก็บประจุประกอบด้วยวงจรบูตสำหรับไดรฟ์ด้านสูง ตัวเก็บประจุและเป็นตัวแทนของตัวเก็บประจุเข้าของ MOSFETs อำนาจและตามลำดับ เป็นสวิทช์ด้านสูงและไตรมาสที่ 2 เป็นสวิทช์ด้านล่าง คือไดรฟ์ประตูแหล่งจ่ายแรงดัน เพื่อที่จะลดความซับซ้อนของการดำเนินการ, มอส P-ช่องที่ใช้สำหรับการและและ MOSFET N-ช่องที่ใช้สำหรับการและ มันเป็นข้อสังเกตว่าวิธีการดำเนินการอื่น ๆ นอกจากนี้ยังสามารถนำมาใช้เพื่อให้บรรลุวัตถุประสงค์เดียวกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เสนอใหม่จังหวะประตูขับวงจรที่แสดงในรูปที่ 2 วงจรประกอบด้วยสี่สวิทช์–ซึ่งเป็นมรดกจากสองช่องทางปกติวงจรขับเกตเชื่อมต่อเป็นสะพานโครงการ , และตัวเก็บประจุเชื่อมต่อข้ามสะพาน ไดโอดและตัวเก็บประจุประกอบด้วยบูวงจรสำหรับขับด้านข้างสูง ตัวเก็บประจุ และเป็นตัวแทนนำเข้าอุปกรณ์ของมอสเฟตกำลัง และ ตามลำดับ คือ ด้านสูงและด้านต่ำจากสวิตช์เป็นสวิตช์ เป็นประตูขับแรงดัน แหล่งที่มา เพื่อลดความซับซ้อนในการใช้งาน p-channel MOSFET ใช้ MOSFET และนแชนแนล ใช้ และ มันเป็นข้อสังเกตว่าวิธีการอื่น ๆนอกจากนี้ยังสามารถใช้เพื่อให้บรรลุจุดประสงค์เดียวกัน