MSM has gain, which may be due to t

MSM has gain, which may be due to the presence of
dislocations or deep level defects in the epilayers [38]. It is
also possible that there exist some trap levels in the AlN layer
which help to transport electrons through the AlN layer via
deep-level assisted tunneling [39]. Zhou et al. [41] reported
that the maximum responsivities of the AlN/GaN hetero-
structures photodetector can be achieved at 360 nm, which
is much higher than those of a GaN monolayer photodetector
[40]. They suggest that the main reason is that a strong
polarization field was formed in the AlN/GaN heterostructure
interface [40]. Since AlN has the largest energy band gap
( 6.1 eV) among nitride semiconductors and offers the
ability for band gap engineering through the use of alloying
and heterostructure design, our results indicate good quality
of AlN/GaN/AlN heterostructures on silicon substrate, and
the potential for MSM application for these AlN/GaN/AlN
heterostructures on silicon substrate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

MSM ได้ ซึ่งอาจจะเกิดจากการมี
ค่าธรรมเนียมหรือบกพร่องระดับลึกใน epilayers [ 38 ] มันก็เป็นไปได้ที่จะมีบ้าง

ALN กับดักระดับในชั้นซึ่งช่วยในการขนส่งอิเล็กตรอนผ่าน ALN ชั้นผ่าน
ระดับลึกช่วยอุโมงค์ [ 39 ] โจว et al . [ 41 ] รายงาน
ที่ responsivities สูงสุดของ ALN / กานอื่น
โครงสร้างโฟโตดีเทกเตอร์ได้ 360 nm ซึ่ง
จะสูงกว่าที่ของกานอย่างโฟโตดีเทกเตอร์
[ 40 ] พวกเขาแนะนำว่า เหตุผลหลักคือ ว่า สนาม โพลาไรเซชันแข็งแรง
ก่อตั้งขึ้นในส่วนโครงสร้างของ ALN / กาน
[ 40 ] ตั้งแต่ ALN ได้ใหญ่ที่สุดช่องว่างแถบพลังงาน
( 6.1 EV ) ของเซมิคอนดักเตอร์และเสนอ
ไนไตรด์ความสามารถทางวิศวกรรมช่องว่างวงผ่านการใช้โครงสร้างและการออกแบบโครงสร้างของ

ผลของเราระบุคุณภาพของ ALN / กัน / ALN heterostructures ซิลิคอนและศักยภาพสำหรับโปรแกรม msm
เหล่านี้ ALN / กัน / ALN


heterostructures ซิลิคอน .