In this letter, we present a new co

In this letter, we present a new configuration with laser illumination to measure the temperature of visible light-emitting diode (LED) chips using nematic liquid crystals. This method is applied to measuring the junction temperature of multiquantum well (MQW) LEDs in InGaN-GaN-sapphire structure. A color filter is inserted in the optical path to attenuate the overwhelming LED light. A high-power laser beam is used as the sensing light to enhance the contrast of the thermal image on LED chips. This technique is nondestructive and can be performed in real-time during device operation. One objective is to investigate the effect of the junction temperature on the electrical and optical performance of the LED devices. For the LEDs measured, the conversion efficiency decreases by 67% when the junction temperature rises from 22°C to 107°C. The new measurement configuration is a valuable tool to study the thermal performance of GaN-based LED devices and subsequently to investigate the degradation on electrical and optical performance due to junction temperature increase.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในจดหมายนี้ เราแสดงการกำหนดค่าใหม่ ด้วยรัศมีการเลเซอร์ในการวัดอุณหภูมิโดยใช้ผลึกเหลว nematic ชิเห็นแสง–ไดโอดเปล่ง (LED) วิธีนี้จะใช้กับการวัดอุณหภูมิเชื่อมต่อของ Led ดี multiquantum (MQW) ในโครงสร้างแซฟไฟร์ย่าน InGaN ตัวสีจะถูกแทรกในเส้นทางแสงไป attenuate LED ครอบงำแสง ใช้แสงเลเซอร์กำลังแรงสูงเป็นแสง sensing เพื่อเพิ่มความคมชัดของภาพความร้อนบนชิป LED เทคนิคนี้ถูกทำลาย และสามารถดำเนินการในเวลาจริงในระหว่างการดำเนินการอุปกรณ์ วัตถุประสงค์หนึ่งคือการ ตรวจสอบผลของอุณหภูมิเชื่อมต่อประสิทธิภาพ LED อุปกรณ์ไฟฟ้า และแสง สำหรับวัด ไฟ Led ประสิทธิภาพการแปลงลดลง 67% เมื่อเชื่อมต่ออุณหภูมิ 22° c ขึ้น 107 องศาเซลเซียส โครงวัดใหม่เป็นเครื่องมือที่มีคุณค่า เพื่อศึกษาประสิทธิภาพความร้อนของอุปกรณ์ LED ตามกัน และในเวลาต่อมาสืบสร้างประสิทธิภาพไฟฟ้า และแสงจากชุมทางอุณหภูมิเพิ่ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในจดหมายฉบับนี้เรานำเสนอการกำหนดค่าใหม่ที่มีแสงเลเซอร์ในการวัดอุณหภูมิของไดโอด (LED) ชิปเปล่งแสงที่มองเห็นได้โดยใช้ผลึกเหลว nematic วิธีการนี​​้จะนำไปใช้วัดอุณหภูมิทางแยกของ multiquantum ดี (MQW) ไฟ LED ใน InGaN-GaN ที่ไพลินโครงสร้าง ฟิลเตอร์สีถูกแทรกในเส้นทางแสงเพื่อทำให้ไฟ LED อย่างท่วมท้น แสงเลเซอร์พลังงานสูงจะถูกใช้เป็นแสงรู้เพื่อเพิ่มความคมชัดของภาพความร้อนบนชิป LED เทคนิคนี้จะไม่ทำลายและสามารถดำเนินการในเวลาจริงในระหว่างการดำเนินอุปกรณ์ วัตถุประสงค์หนึ่งคือการตรวจสอบผลกระทบของอุณหภูมิทางแยกผลการดำเนินงานไฟฟ้าและแสงไฟ LED ของอุปกรณ์ สำหรับไฟ LED วัดประสิทธิภาพการแปลงลดลง 67% เมื่ออุณหภูมิทางแยกที่เพิ่มขึ้นจาก 22 ° C ถึง 107 ° C การกำหนดค่าการวัดใหม่เป็นเครื่องมือที่มีคุณค่าเพื่อการศึกษาสมรรถนะทางความร้อนของอุปกรณ์ไฟ LED กานตามและต่อมาในการตรวจสอบการสลายการปฏิบัติงานไฟฟ้าและแสงอันเนื่องมาจากทางแยกเพิ่มอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในฉบับนี้เรานำเสนอการปรับแต่งใหม่ ด้วยแสงเลเซอร์วัดระดับอุณหภูมิที่มองเห็น ไดโอดเปล่งแสง ( LED ) ชิปโดยใช้ผลึกเหลวเนมาติก . วิธีนี้เป็นวิธีที่ใช้ในการวัดอุณหภูมิของ multiquantum ชุมทางดี ( mqw ) ไฟ LED ในโครงสร้างแซฟไฟร์ ingan กาน . สีกรองลงในเส้นทางแสงเจือจาง ทำให้ไฟ LEDแสงเลเซอร์ที่ใช้เป็นพลังงานสูง ตรวจจับแสงเพื่อเพิ่มความคมชัดของภาพ LED ความร้อนบนชิป เทคนิคนี้คือความแก่และสามารถดำเนินการในเวลาจริงในระหว่างที่ใช้งานอุปกรณ์ วัตถุประสงค์คือ เพื่อศึกษาผลของอุณหภูมิต่อการปฏิบัติแยกไฟฟ้าและแสงของ LED อุปกรณ์ สำหรับไฟ LED วัดแปลงประสิทธิภาพลดลง 67% เมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นจาก 25 ° C ต่อถึง 107 องศา ค่าวัดใหม่เป็นเครื่องมือที่มีคุณค่าเพื่อศึกษาสมรรถนะเชิงความร้อนของกานตามอุปกรณ์ LED และต่อมาเพื่อศึกษาการย่อยสลายในงานไฟฟ้าและแสงเนื่องจากการเพิ่มอุณหภูมิชุมทาง