10 s), which represents a combinati

10 s), which represents a combination between high current density
during time-on (high risk of flaws) and frequent pauses at low currents
(useful for the recovery, the heat dissipation and the homogenization of
the temperature on the component).
The sample obtained interrupting the treatment after 76 min (before
reaching a potential of 40 V) meets all the requirements expected:
in just over an hour it was possible to get a hard and compact oxide
(PC_6, Table 4) with a defects-free interfacial morphology, shown in
Fig. 6c, and properties comparable to those of the samples obtained
working at lower current values.
4. Conclusions
The most important results obtained by studying the hard anodizing
process of 7075-T6 alloy can be summarized as follow:
i) the brittleness and the poor interfacial adhesion of the AA 7075-
T6 anodic films are related to the presence of some intermetallic
phases, which are substrates unfit for this treatment: with direct
current procedures (simple DC or MSDC) only a properly selection
of the bath conditions and electrical parameters allow the
growth of interesting oxides;
ii) pulsed current cycles (PC), considering slow square pulse mode,
allow to obtain hard anodic oxide coating without affecting the
interfacial adhesion and then minimizing, thanks to the recovery
periods, the flaws growth on the intermetallic phases;
iii) high potential values, reached during the final stage of PC treatments,
cause an increase of the defectiveness due to an inhomogeneous
concentration of the electric field on the different alloy
constituents. Defectless thick coating (~80 μm) was obtained by
applying a current density of 24 mA/cm2 during the time-on, with
a duty cycle ranging between 50 and 75% (120–150 minute treatment);
slightly thinner oxides (50 μm) can be obtained in 1 h,
interrupting the PC treatment when the voltage approach the
value of 40 V.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

10 s), ซึ่งแสดงถึงการผสมผสานระหว่างความหนาแน่นสูงปัจจุบันช่วงเวลาใน (ความเสี่ยงสูงของข้อบกพร่อง) และหยุดชั่วคราวบ่อยที่กระแสต่ำ(ประโยชน์สำหรับการกู้คืน กระจายความร้อน และ homogenization ของอุณหภูมิในส่วนประกอบ)ตัวอย่างได้รับการรักษาหลังจากนาทีที่ 76 (ก่อนการขัดจังหวะถึงศักยภาพของ 40 V) ตรงกับความคาดหวัง:ในเพียงกว่าชั่วโมง ก็อาจออกไซด์ยาก และกระทัดรัด(PC_6 ตาราง 4) มีสัณฐานวิทยาที่ปราศจากข้อบกพร่อง interfacial แสดงในC fig. 6 และคุณสมบัติเปรียบเทียบได้กับตัวอย่างที่ได้รับทำงานที่ค่าต่ำกว่าปัจจุบัน4. บทสรุปผลสำคัญที่สุดที่ได้รับ โดยศึกษา anodizing-ยากกระบวนการของอัลลอยด์ 7075 T6 สามารถสรุปได้ดังต่อไปนี้:i)เปราะและ interfacial ยึดดีของ AA 7075-เกี่ยวข้องกับสถานะของ intermetallic บางฟิล์ม anodic T6ระยะ ซึ่งไม่เหมาะสำหรับการรักษานี้พื้นผิว: ด้วยโดยตรงขั้นตอนปัจจุบัน (เรื่อง DC หรือ MSDC) เท่านั้นถูกเลือกสภาพน้ำและไฟฟ้าพารามิเตอร์อนุญาตให้เจริญเติบโตของออกไซด์ที่น่าสนใจii) พัลปัจจุบันรอบ (พีซี), พิจารณาช้าตารางชีพจรโหมดอนุญาตให้รับเคลือบออกไซด์ anodic ยากสภาพการยึดเกาะ interfacial แล้ว ลด ด้วยการกู้คืนรอบระยะเวลา การเจริญเติบโตข้อบกพร่องในระยะ intermetalliciii) ค่าศักยภาพสูง มาถึงในขั้นตอนสุดท้ายของการรักษา PCทำให้เกิดการเพิ่มขึ้นของ defectiveness เนื่องจากการใช้งานความเข้มข้นของสนามไฟฟ้าในโลหะผสมต่าง ๆconstituents เคลือบหนา defectless (~ 80 μm) ได้รับโดยใช้ความหนาแน่นปัจจุบันของ 24 mA cm2 ในระหว่างเวลาบน ด้วยวงจรภาษีระหว่าง 50 และ 75% (120 – 150 นาทีรักษา);ออกไซด์บางเล็กน้อย (50 μm) ได้ใน 1 hรบกวนการรักษา PC เมื่อวิธีแรงดันค่าของ 40 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

10 วินาที) ซึ่งหมายถึงการรวมกันระหว่างความหนาแน่นสูงในปัจจุบัน
ในช่วงเวลาในการ (ความเสี่ยงสูงของข้อบกพร่อง) และหยุดบ่อยที่กระแสต่ำ
(มีประโยชน์สำหรับการกู้คืนกระจายความร้อนและเป็นเนื้อเดียวกันของ
อุณหภูมิที่มีต่อองค์ประกอบ).
ตัวอย่าง ที่ได้รับการรบกวนการรักษาหลังจาก 76 นาที (ก่อน
ถึงศักยภาพของ 40 V) ตรงตามความต้องการทั้งหมดที่คาดว่า:
ในเวลาเพียงกว่าหนึ่งชั่วโมงมันเป็นไปได้ที่จะได้รับออกไซด์ยากและมีขนาดกะทัดรัด
(PC_6 ตารางที่ 4) ที่มีข้อบกพร่องฟรีสัณฐานสัมผัส แสดงใน
รูปที่ 6c และคุณสมบัติเทียบเคียงได้กับของกลุ่มตัวอย่างที่ได้รับ
การทำงานที่ต่ำกว่าค่าปัจจุบัน.
4 สรุป
ผลที่สำคัญที่สุดที่ได้จากการศึกษาอโนไดซ์อย่างหนัก
กระบวนการของ 7075-T6 อัลลอยสามารถสรุปได้ดังต่อไปนี้
i) ความเปราะและยึดติดที่น่าสงสารของ AA 7075-
T6 ภาพยนตร์ขั้วบวกที่เกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวของ intermetallic บาง
ขั้นตอน ซึ่งเป็นพื้นผิวที่ไม่เหมาะสำหรับการรักษานี้โดยตรงกับ
ขั้นตอนปัจจุบัน (ง่าย DC หรือ MSDC) เพียงตัวเลือกอย่างถูกต้อง
มีเงื่อนไขอาบน้ำและค่าไฟฟ้าช่วยให้
การเจริญเติบโตของออกไซด์ที่น่าสนใจ;
ii) ชีพจรรอบปัจจุบัน (PC) พิจารณาโหมดการเต้นของชีพจรตารางช้า ,
ช่วยให้ที่จะได้รับการเคลือบออกไซด์ anodic อย่างหนักโดยไม่มีผลต่อ
ยึดติดแล้วลดขอบคุณการกู้คืน
ระยะเวลาการเจริญเติบโตของข้อบกพร่องในขั้นตอน intermetallic;
iii) ค่าที่มีศักยภาพสูงถึงในระหว่างขั้นตอนสุดท้ายของการรักษาเครื่องคอมพิวเตอร์ที่
ก่อให้เกิดการเพิ่มขึ้นของ บกพร่องเนื่องจาก inhomogeneous
ความเข้มข้นของสนามไฟฟ้าบนโลหะผสมที่แตกต่างกัน
เป็นคนละเรื่อง เคลือบหนา Defectless (~ 80 ไมครอน) ที่ได้รับจาก
การใช้ความหนาแน่นกระแสไฟฟ้า 24 mA / cm2 ในช่วงเวลาที่มี
รอบการทำงานระหว่าง 50 และ 75% (120-150 นาทีการรักษา);
ออกไซด์บางลงเล็กน้อย (50 ไมครอน ) สามารถหาได้ใน 1 ชั่วโมง,
ขัดจังหวะการรักษาเครื่องคอมพิวเตอร์เมื่อแรงดันไฟฟ้าเข้าใกล้
มูลค่าของ 40 V.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

10 ) ซึ่งหมายถึงการรวมกันระหว่าง
ความหนาแน่นกระแสสูงในช่วงเวลา ( ความเสี่ยงสูงของข้อบกพร่อง ) และหยุดบ่อย ๆ ที่กระแสต่ำ
( ที่มีประโยชน์สำหรับการกู้คืน และการระบายความร้อนของอุณหภูมิต่อองค์ประกอบ
)
กลุ่มตัวอย่างขัดจังหวะการรักษาหลังจาก 76 นาที ( ก่อน
ถึง ศักยภาพของ 40 V ) ตรงตามความต้องการทั้งหมดที่คาด :
ในเวลาเพียงชั่วโมงกว่า มันเป็นไปได้ที่จะได้รับหนักและกระชับออกไซด์
( pc_6 ตาราง 4 ) กับข้อบกพร่องฟรีระหว่างสัณฐานวิทยา แสดงในรูปที่ 6
และคุณสมบัติเทียบเท่ากับของตัวอย่างการทำงานที่ลดกระแสค่านิยมได้
.
4 สรุป
ที่สำคัญที่สุดผลที่ได้จากการศึกษากระบวนการ anodizing ยาก
7075-t6 โลหะผสมได้ดังนี้
1 ) เปราะและคนจนระหว่างการยึดติดของ AA 7075 T6 -
การภาพยนตร์ที่เกี่ยวข้องกับการแสดงตนของบางชนิด
เฟสซึ่งมีพื้นผิวที่ไม่เหมาะสมสำหรับการรักษานี้ : ด้วยขั้นตอนกระแสไฟตรง ( DC ธรรมดา หรือ msdc

) เท่านั้นถูกเลือกจากอ่างเงื่อนไขและพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าให้
การเจริญเติบโต ออกไซด์ที่น่าสนใจ ;
2 ) พัลรอบปัจจุบัน ( PC )พิจารณาตารางชีพจรช้าโหมด
ให้รับยากการออกไซด์เคลือบโดยไม่มีผลต่อการยึดเกาะระหว่าง
แล้วลด ขอบคุณที่จะกู้คืน
ช่วงการเจริญเติบโตข้อบกพร่องในขั้นตอนชนิด ;
3 ) ค่าศักยภาพสูงถึงในระหว่างขั้นตอนสุดท้ายของ PC รักษา
สาเหตุการเพิ่มขึ้นของ defectiveness เนื่องจาก การ inhomogeneous
ความเข้มข้นของสนามไฟฟ้าในส่วนประกอบของโลหะผสม
แตกต่างกัน เคลือบหนา defectless ( ~ 80 μ M ) โดยนำ
ใช้ความหนาแน่นของ / cm2 24 มา ในระหว่างเวลาที่มี
หน้าที่วงจรตั้งแต่ระหว่าง 50 และ 75 % ( การรักษานาที 120 - 150 ) ;
เรียวเล็กน้อย ออกไซด์ ( 50 μ M ) ได้ใน 1 H ,
ขัดจังหวะ การรักษาเครื่องคอมพิวเตอร์เมื่อแรงดันเข้าหา
มูลค่า 40 โวลต์