The technique of MOCVD was first in

The technique of MOCVD was first introduced in the
late 1960s for the deposition of compound semiconductors
from the vapor phase. The pioneers of the technique,
Manasevit and Simpson [14.35] were interested in
a method for depositing optoelectronic semiconductors
such as GaAs onto different substrates such as spinel
and sapphire. The near-equilibrium techniques such as
LPE and chloride VPE were not suitable for nucleation
onto a surface chemically very different to the compound
being deposited. These pioneers found that if
they used combinations of an alkyl organometallic for
the Group III element and a hydride for the Group V
element, then films of GaAs could be deposited onto
a variety of different surfaces

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคนิคของ MOCVD ครั้งแรกแนะนำในการช่วงปลายทศวรรษ 1960 สำหรับการสะสมของสารกึ่งตัวนำสารจากระยะไอ ผู้บุกเบิกเทคนิคManasevit และซิมป์สัน [14.35] ที่สนใจในวิธีการฝากควบคุมอิเล็กทรอนิกส์เช่น GaAs ลงบนพื้นผิวต่าง ๆ เช่น spinelและแซฟไฟร์ เทคนิคใกล้สมดุลเช่นLPE และคลอไรด์ร่วมเหมาะสำหรับ nucleation มากกว่าไม่ได้ลงบนพื้นผิวทางเคมีแตกต่างจากสารประกอบการฝาก นวัตกรรมเหล่านี้พบว่าถ้าใช้ชุดของ alkyl organometallic สำหรับองค์ประกอบกลุ่ม III และก้อนสำหรับ V กลุ่มองค์ประกอบ แล้วภาพยนตร์ของ GaAs สามารถฝากลงพื้นผิวที่แตกต่างกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคนิคการ MOCVD เป็นครั้งแรกใน
ช่วงปลายทศวรรษ 1960 สำหรับการสะสมของเซมิคอนดักเตอร์สารประกอบ
จากเฟสไอ ผู้บุกเบิกของเทคนิค
Manasevit และซิมป์สัน [14.35] มีความสนใจใน
วิธีการในการฝากอุปกรณ์กึ่งตัวนำ optoelectronic
เช่น GaAs ลงบนพื้นผิวที่แตกต่างกันเช่นสปิเนล
และแซฟไฟร์ เทคนิคใกล้สมดุลเช่น
LPE และคลอไรด์ VPE ไม่เหมาะสำหรับนิวเคลียส
ลงบนพื้นผิวทางเคมีที่แตกต่างกันมากที่จะสารประกอบ
ถูกฝาก ผู้บุกเบิกเหล่านี้พบว่าหาก
พวกเขาใช้การรวมกันของพันธะคิลสำหรับ
องค์ประกอบกลุ่มที่สามและไฮไดรด์สำหรับกลุ่มวี
องค์ประกอบแล้วภาพยนตร์ GaAs อาจจะฝากไปยัง
หลากหลายของพื้นผิวที่แตกต่างกัน