It was speculated that the future h

It was speculated that the future high electron mobility transistor would be fabricated based on the transition-metal oxides

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มันถูกคาดการณ์ว่า ทรานซิสเตอร์การเคลื่อนย้ายอิเล็กตรอนสูงที่ในอนาคตจะสามารถประดิษฐ์อิงออกไซด์โลหะการเปลี่ยนแปลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันได้รับการคาดการณ์ว่าในอนาคตอิเล็กตรอนสูงคล่องตัวทรานซิสเตอร์จะถูกประดิษฐ์ขึ้นอยู่กับการเปลี่ยนแปลงออกไซด์โลหะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันถูกคาดการณ์ว่า ในอนาคตการสร้างทรานซิสเตอร์อิเล็กตรอนสูงจะขึ้นอยู่กับการเปลี่ยนแปลงของโลหะออกไซด์