3. Results and Discussion3.1. Micro

3. Results and Discussion
3.1. Microstructure characterization
Fig. 3 shows the bright-field TEM micrographs of the unreinforced pure nickel together with the Ni–SiCNP composites. Evident dislocation lines are observed in the unreinforced pure nickel, as shown in Fig. 3(a) and no other defects are observed in the sample. Nevertheless, a large number of well-dispersed SiCNP and defects are seen in the Ni–SiCNP composites as shown in Fig. 3(b–e). The SiCNP is bright in the bright-field TEM micrographs due to the low atomic numbers of Si and C atoms in comparison to Ni. The SiCNP size in the Ni–SiCNP composite with a milling time of 8 h is 30–100 nm, whereas a milling time of 24 h increases the size to around 30–150 nm due to an obvious coarsening effect of the SiCNP in the Ni–SiCNP composites. The SiCNP are uniformly dispersed in this latter case due to the increase in milling time. In addition, a visible coarsening of the SiCNP is seen, likely associated to the large size of the SiCNP which transpires with extended milling time from 24 to 48 h, as shown in Fig. 3(c–e). Taking into account the high melting point and high stability of SiCNP in the Ni matrix, it can be concluded that the coarsening of the SiCNP is likely due to their agglomeration during the ball milling process due to strong adhesion forces and the sintering of these agglomerates into single particles during SPS and heat treatment[37]. In addition, the phenomenon becomes more significant with an increase in milling time, which can be explained by the increased probability of contact between interspersed SiCNP that can agglomerate with the extension of milling time.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3. ผลลัพธ์ และสนทนา3.1 การต่อโครงสร้างจุลภาคจำแนกFig. 3 แสดง micrographs ยการฟิลด์สว่างของนิกเกิลบริสุทธิ์ unreinforced กับคอมโพสิต Ni – SiCNP บรรทัดเคลื่อนชัดพบในนิกเกิลบริสุทธิ์ unreinforced ดังที่แสดงใน Fig. 3(a) และข้อบกพร่องอื่น ๆ ไม่พบในตัวอย่าง อย่างไรก็ตาม SiCNP และบกพร่องแห่งกระจัดกระจายเป็นจำนวนมากจะเห็นในคอมโพสิต Ni – SiCNP แสดงใน Fig. 3(b–e) SiCNP จะสดใสใน micrographs ยการสว่างฟิลด์จากหมายเลขอะตอมต่ำของศรีและ C อะตอมโดย Ni ขนาด SiCNP ในคอมโพสิต Ni – SiCNP ด้วยเวลาสีของ 8 h คือ 30-100 nm ขณะเวลาสีของ 24 h เพิ่มขนาดไปรอบ 30 – 150 nm เนื่องจากลักษณะพิเศษของ SiCNP ในคอมโพสิต Ni – SiCNP coarsening ชัดเจน SiCNP มีกระจายสม่ำเสมอเมื่อเทียบเคียงในกรณีนี้หลังจากการเพิ่มขึ้นของเวลากัด การเห็น coarsening ของ SiCNP จะเห็น จะสัมพันธ์กับขนาดใหญ่ของ SiCNP ที่ชาย มีหน้าขยายเวลาจาก 24 48 h ดังที่แสดงใน Fig. 3(c–e) การพิจารณาจุดหลอมเหลวสูงและมีเสถียรภาพสูงของ SiCNP ในเมตริกซ์ Ni มันสามารถสรุปได้ว่า coarsening SiCNP มีแนวโน้มจากการ agglomeration ระหว่างลูกกัดกระบวนกองกำลังยึดเกาะที่แข็งแรงและการเผาผนึกของ agglomerates เหล่านี้เป็นอนุภาคเดียว SPS และรักษาความร้อน [37] นอกจากนี้ ปรากฏการณ์จะสำคัญยิ่งกว่า ด้วยการเพิ่มเวลา ซึ่งสามารถอธิบายความที่เพิ่มขึ้นน่าเป็นระหว่าง SiCNP กระจายที่สามารถ agglomerate กับส่วนขยายของเวลากัด กัด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. ผลการอภิปรายและ
3.1 จุลภาคลักษณะ
รูป 3 แสดง TEM สดใสสนาม micrographs ของนิกเกิลบริสุทธิ์ไม่มีโครงสร้างที่แข็งแรงพร้อมกับคอมโพสิต Ni-SiCNP สายการเคลื่อนที่จะสังเกตเห็นได้ชัดในนิกเกิลบริสุทธิ์ไม่มีโครงสร้างที่แข็งแรงตามที่แสดงในรูป 3 (ก) และไม่มีข้อบกพร่องอื่น ๆ จะสังเกตเห็นในตัวอย่าง อย่างไรก็ตามจำนวนมาก SiCNP ดีแยกย้ายกันไปและข้อบกพร่องจะเห็นในคอมโพสิต Ni-SiCNP ดังแสดงในรูป 3 (ขจ) SiCNP สดใสใน TEM สดใสสนามไมโครเนื่องจากเลขอะตอมต่ำของศรีและอะตอม C ในการเปรียบเทียบกับ Ni ขนาด SiCNP ใน Ni-SiCNP คอมโพสิตที่มีเวลาการสี 8 ชั่วโมงเป็น 30-100 นาโนเมตรในขณะที่เวลาของการกัด 24 ชั่วโมงเพิ่มขนาดประมาณ 30-150 นาโนเมตรเนื่องจากผลกระทบที่เห็นได้ชัดของอนุภาคใน SiCNP Ni คอมโพสิต -SiCNP SiCNP จะแยกย้ายกันไปอย่างสม่ำเสมอในกรณีหลังนี้เนื่องจากการเพิ่มขึ้นในเวลาที่กัด นอกจากนี้อนุภาคที่มองเห็นของ SiCNP จะเห็นแนวโน้มที่จะเกี่ยวข้องขนาดใหญ่ของ SiCNP ซึ่งขึ้นกับเวลาโม่ขยาย 24-48 ชั่วโมงดังแสดงในรูป 3 (คจ) โดยคำนึงถึงจุดหลอมละลายสูงและมีเสถียรภาพสูงของ SiCNP ในเมทริกซ์ Ni ก็สามารถสรุปได้ว่าหยาบ SiCNP น่าจะเกิดจากการรวมตัวกันของพวกเขาในระหว่างขั้นตอนการกัดลูกเนื่องจากกองกำลังยึดเกาะที่แข็งแกร่งและการเผาของ agglomerates เหล่านี้เป็น อนุภาคเดียวในช่วง SPS และการรักษาความร้อน [37] นอกจากนี้จะกลายเป็นปรากฏการณ์ที่สำคัญมากขึ้นกับการเพิ่มขึ้นในเวลาที่กัดซึ่งสามารถอธิบายได้ด้วยความน่าจะเป็นที่เพิ่มขึ้นของการติดต่อระหว่าง SiCNP สลับที่สามารถจับเป็นก้อนกับขยายระยะเวลาการกัด