is a thin film deposition technique

is a thin film deposition technique that is based on the sequential use of a gas phase chemical process. The majority of ALD reactions use two chemicals, typically called precursors. These precursors react with the surface of a material one at a time in a sequential, self-limiting, manner. Through the repeated exposure to separate precursors, a thin film is slowly deposited.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคนิคสะสมฟิล์มบางที่ใช้ลำดับของกระบวนการทางเคมีระยะก๊าซใช้ ได้ ALD ปฏิกิริยาส่วนใหญ่ใช้สารเคมี 2 โดยทั่วไปเรียกว่า precursors Precursors เหล่านี้ตอบสนองกับพื้นผิวของวัสดุหนึ่งทีในลักษณะตามลำดับ ข้อ จำกัดตนเอง การ ผ่านการสัมผัสซ้ำแยก precursors ช้ามีฝากฟิล์มบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นเทคนิคการสะสมฟิล์มบางที่ขึ้นอยู่กับการใช้งานที่ต่อเนื่องของกระบวนการทางเคมีสถานะก๊าซ ส่วนใหญ่ของการเกิดปฏิกิริยามรกตใช้สองสารเคมีสารตั้งต้นมักจะเรียกว่า สารตั้งต้นเหล่านี้ทำปฏิกิริยากับพื้นผิวของวัสดุในช่วงเวลาหนึ่งในลำดับตนเอง จำกัด ลักษณะ ผ่านการสัมผัสซ้ำที่จะไม่ยุ่งเกี่ยวแยกเป็นฟิล์มบาง ๆ เป็นเงินช้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คือการเคลือบฟิล์มบางเทคนิคที่ขึ้นอยู่กับการใช้ลำดับของเฟสก๊าซเคมีกระบวนการ ส่วนใหญ่ของปฏิกิริยา ald ใช้สารเคมี , มักจะเรียกว่าการ . สารตั้งต้นเหล่านี้ทำปฏิกิริยากับพื้นผิวของวัสดุหนึ่งที่เวลาในตนเองต่อเนื่อง , จำกัด , ลักษณะ . ผ่านการสัมผัสซ้ํา ๆเพื่อแยกสารตั้งต้น เป็นฟิล์มบาง ๆค่อย ๆฝาก