It is well known that electron mobi

It is well known that electron mobility of ZnO is much
higher than that of TiO2, while the conduction band edge of
both materials is approximate at the same level. In this study,
ZnO and Ga-doped ZnO fabricated by sol-gel process were
inserted between FTO and nanoparticle TiO2 layer, as shown
in Fig. 4. However, the reported photocurrent conversion
efficiency of ZnO DSSCs is far less than that of TiO2 due to
the poor dye absorption of ZnO.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นที่รู้จักว่า อิเล็กตรอนเคลื่อนของ ZnO อยู่มากสูงกว่าของ TiO2 ในขณะที่การนำวงขอบวัสดุทั้งสองเป็นประมาณระดับเดียวกัน ในการศึกษานี้ZnO และ ZnO Ga doped หลังสร้างโดยกระบวนการโซลเจลแทรกระหว่าง FTO nanoparticle ที่ชั้น TiO2 เหมือนใน Fig. 4 อย่างไรก็ตาม การแปลงรายงาน photocurrentประสิทธิภาพของ ZnO DSSCs อยู่ไกลน้อยกว่าของ TiO2 เนื่องดูดซึมสีย้อมที่ไม่ดีของ ZnO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นที่ทราบกันดีว่าการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนของซิงค์ออกไซด์มาก
สูงกว่า TiO2 ในขณะที่ขอบวงการนำของ
วัสดุทั้งสองเป็นตัวอย่างในระดับเดียวกัน ในการศึกษานี้
ซิงค์ออกไซด์และ Ga เจือ ZnO ประดิษฐ์โดยกระบวนการโซลเจลถูก
แทรกระหว่าง FTO และอนุภาคนาโนชั้น TiO2 ดังแสดง
ในรูปที่ 4. อย่างไรก็ตามรายงานการแปลง photocurrent
ประสิทธิภาพของซิงค์ออกไซด์ DSSCs อยู่ไกลน้อยกว่าของ TiO2 เนื่องจากการ
ดูดซึมสีย้อมที่น่าสงสารของซิงค์ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันเป็นที่รู้จักกันดีว่าอิเล็กตรอนเคลื่อนที่ของซิงค์ออกไซด์มาก
สูงกว่าของ TiO2 , ในขณะที่นำวงดนตรีขอบ
ทั้งวัสดุประมาณในระดับเดียวกัน ในการศึกษานี้
ZnO และ GA ด้วยเช่นกันประดิษฐ์โดยกระบวนการโซล - เจล ถูก
แทรกระหว่างชั้น และอนุภาคนาโน TiO2 FTO ดังแสดงในรูปที่ 4
. อย่างไรก็ตาม รายงานการแปลง
บูบูประสิทธิภาพของ ZnO dsscs อยู่ไกลน้อยกว่าของ TiO2 เนื่องจาก
คนจนการดูดซึมสีย้อมของเช่นกัน