3.3. DiscussionFrom all of the abov

3.3. Discussion
From all of the above characterizations very consistent results have been obtained with the different employed techniques, XRD, HRTEM, and FTIR. According to them, in the fourth reaction step, a purely amorphous SiO2/C composite has been obtained from the SiO2 mixed with sucrose, as a source of carbon, H2SO4 and water, as it was intended. This amorphous carbon is more reactive for the next step of the process (carbothermal reduction) than a crystalline material like graphite, as pointed out by Cruz Fernandes et al. (1998). It requires a relatively low temperature (700 C) that was achieved in the solar furnace by partially closing the shutter; to reduce the amount of incident concentrated solar radiation. In previous works the precursors of SiC produced in a solar furnace were not obtained from a solar process (Cruz Fernandes et al., 1998; Gulamova et al., 2009).
With regards to the SiC obtained in the fifth step of the process, the characterization indicates that it is composed mainly of b-SiC, with a small amount of a-SiC. However, a very noticeable amount of unreacted silica remained in the samples at the end of the process, which disappears after etching acid HF, obtaining pure SiC. A careful optimization of operation conditions must be carried out in order to maximize the SiC production. The use of a reactor specifically designed for this process, to allow a more uniform heating of the sample, is a requirement to increase reaction extent.
For both reaction steps, varying the aperture of the shutter, thus varying the concentrated radiative flux at the furnace´s focal region, the temperature of the sample was controlled. This allowed keeping very stable reaction conditions. However, this control was based on the temperature measured by a thermocouple located at the bottom of the sample. An improved control, allowing to keep optimum conditions on the sample, could be developed based on the noninvasive temperature distribution measurements provided by the thermographic camera.
With reference to previous works (Cruz Fernandes et al., 1998; Gulamova et al., 2009), it has been possible to synthesize SiC from different precursors and with different process. There is not so much information in those works, besides XRD, to allow a detailed comparison of the quality of the obtained material with the present study. Experimental conditions are also difficult to compare, as Cruz Fernandes et al. (1998) do not report the method used to measure temperature of the sample, and Gulamova et al. (2009) do not report temperature but irradiance instead. From the available information it appears that somewhat smaller temperatures, with higher radiative fluxes have been used in the present work.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.3 การสนทนาจาก characterizations ข้างต้นทั้งหมด ได้ถูกรับผลลัพธ์ที่สอดคล้องกันมาก ด้วยเทคนิคต่าง ๆ เจ้า XRD, HRTEM และ FTIR ตามนั้น ในปฏิกิริยาขั้นที่สี่ ส่วนประกอบไปหมดจด SiO2/C ได้รับจาก SiO2 ที่ผสมกับซูโครส เป็นแหล่งของคาร์บอน กำมะถัน และ น้ำ มันถูกต้อง คาร์บอนนี้ไปจะมีปฏิกิริยาในขั้นตอนต่อไปของกระบวนการ (การลด carbothermal) กว่าวัสดุผลึกเช่นแกรไฟต์ เป็นชี้ให้เห็นโดยครูซ Fernandes et al. (1998) ต้องการอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ (700 C) ที่ทำในเตาแสงอาทิตย์บางส่วนปิดชัตเตอร์ เพื่อลดจำนวนเหตุการณ์เข้มรังสีแสงอาทิตย์ ในงานก่อนหน้า precursors ของ SiC ที่ผลิตในเตาแสงอาทิตย์ได้ไม่ได้รับจากกระบวนการพลังงานแสงอาทิตย์ (ครัซ Fernandes et al., 1998 Gulamova et al., 2009)เกี่ยวกับ SiC ได้รับในขั้นตอนห้าการ การจำแนกระบุว่า ประกอบด้วยส่วนใหญ่บี-SiC มีจำนวนเล็กน้อยที่ SiC อย่างไรก็ตาม จำนวนซิ unreacted ที่เห็นได้ชัดมากอยู่ในตัวอย่างในตอนท้ายของกระบวนการ ซึ่งหายไปหลังจากกรด HF, SiC บริสุทธิ์ได้รับการแกะสลัก เพิ่มประสิทธิภาพระวังเงื่อนไขการดำเนินงานต้องสามารถดำเนินการขยายการผลิต SiC งาน การใช้เครื่องปฏิกรณ์ที่ออกแบบเฉพาะสำหรับกระบวนการนี้ ให้ความร้อนสม่ำเสมอมากขึ้นของตัวอย่าง มีความต้องเพิ่มขอบเขตของปฏิกิริยามีควบคุมอุณหภูมิของตัวอย่างทั้งสองขั้นตอนปฏิกิริยา รูรับแสงของชัตเตอร์ ฟลักซ์ radiative เข้มข้นที่ภูมิภาคโฟกัส furnace´s ที่แตกต่างกันจึง แตกต่างกัน รักษาเงื่อนไขปฏิกิริยามากมั่นคงได้ อย่างไรก็ตาม ตัวควบคุมนี้ขึ้นกับอุณหภูมิที่วัด โดย thermocouple ที่อยู่ด้านล่างของตัวอย่าง การควบคุมดีขึ้น ช่วยในการรักษาเงื่อนไขในตัวอย่าง สามารถพัฒนาได้จากการวัดการกระจายอุณหภูมิ noninvasive โดยกล้อง thermographicโดยอ้างอิงก่อนหน้านี้ทำงาน (ครัซ Fernandes et al., 1998 Gulamova et al., 2009), แล้วไปสังเคราะห์ SiC precursors แตกต่างกัน และ มีกระบวนการที่แตกต่างกัน ไม่มีข้อมูลมากในการทำงานเหล่านั้น นอกจาก XRD ให้การเปรียบเทียบรายละเอียดของคุณภาพของวัสดุได้รับกับการศึกษาปัจจุบัน เงื่อนไขทดลองก็ยากที่จะเปรียบเทียบ ครัซ Fernandes et al. (1998) รายงานวิธีการที่ใช้วัดอุณหภูมิของตัวอย่าง และ Gulamova et al. (2009) รายงานอุณหภูมิแต่ irradiance แทน จากข้อมูลที่มี ปรากฏว่า อุณหภูมิที่ค่อนข้างเล็ก กับ fluxes radiative สูงใช้ในงานนำเสนอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.3 คำอธิบายจากทั้งหมดของสมบัติดังกล่าวข้างต้นผลที่สอดคล้องกันมากได้รับด้วยเทคนิคงานที่แตกต่างกัน XRD, HRTEM และ FTIR
ตามที่พวกเขาในขั้นตอนการเกิดปฏิกิริยาที่สี่เป็นรูปร่างอย่างหมดจดคอมโพสิต SiO2 / C ได้รับจาก SiO2 ผสมกับน้ำตาลซูโครสเป็นแหล่งของคาร์บอน H2SO4 และน้ำเป็นก็ตั้งใจ นี้คาร์บอนอสัณฐานเป็นปฏิกิริยามากขึ้นสำหรับขั้นตอนต่อไปของกระบวนการ (การลดลง carbothermal) มากกว่าวัสดุผลึกเช่นกราไฟท์เป็นแหลมออกโดยครูซเฟอร์นันเด et al, (1998) มันต้องมีอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ (700 C) ที่ประสบความสำเร็จในเตาพลังงานแสงอาทิตย์โดยบางส่วนปิดชัตเตอร์; เพื่อลดปริมาณของเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นมีความเข้มข้นของรังสีแสงอาทิตย์ ในก่อนหน้านี้ทำงานเป็นสารตั้งต้นของ SiC ผลิตในเตาพลังงานแสงอาทิตย์ไม่ได้ที่ได้รับจากกระบวนการแสงอาทิตย์ (ครูซเฟอร์นันเด, et al, 1998;.. Gulamova et al, 2009).
ด้วยการไปถึง SiC ที่ได้รับในขั้นตอนที่ห้าของกระบวนการ ลักษณะบ่งชี้ว่ามันเป็นส่วนประกอบของ B-SiC มีจำนวนเล็ก ๆ ของ-SiC แต่จำนวนเงินที่เห็นได้ชัดมากของซิลิกา unreacted ยังคงอยู่ในกลุ่มตัวอย่างในตอนท้ายของกระบวนการซึ่งหายไปหลังจากที่แกะสลัก HF กรดบริสุทธิ์ได้รับดังนี้ เพิ่มประสิทธิภาพระมัดระวังของเงื่อนไขการดำเนินการจะต้องดำเนินการเพื่อเพิ่มการผลิตดังนี้ การใช้งานของเครื่องปฏิกรณ์ได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับขั้นตอนนี้เพื่อให้ความร้อนสม่ำเสมอมากขึ้นของกลุ่มตัวอย่างที่เป็นความต้องการที่จะเพิ่มขึ้นในระดับปฏิกิริยา.
สำหรับขั้นตอนทั้งสองปฏิกิริยาที่แตกต่างกันขนาดรูรับแสงของชัตเตอร์จึงแตกต่างกันการไหลของรังสีความเข้มข้นในเตาเผา เป็นภูมิภาคโฟกัสอุณหภูมิของตัวอย่างที่ถูกควบคุม นี้ได้รับอนุญาตการรักษาเสถียรภาพมากเงื่อนไขการเกิดปฏิกิริยา อย่างไรก็ตามการควบคุมนี้ก็ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิที่วัดโดยวัดที่ตั้งอยู่ที่ด้านล่างของตัวอย่าง ตัวควบคุมที่ดีขึ้นช่วยให้การรักษาสภาวะที่เหมาะสมในตัวอย่างจะได้รับการพัฒนาบนพื้นฐานของการวัดการกระจายอุณหภูมิทางการจัดไว้ให้โดยกล้อง thermographic.
ด้วยการอ้างอิงถึงผลงานก่อนหน้า (ครูซเฟอร์นันเด, et al, 1998;.. Gulamova et al, 2009) แต่ก็มีความเป็นไปได้ในการสังเคราะห์จากสารตั้งต้น SiC แตกต่างกันและมีกระบวนการที่แตกต่างกัน ไม่มีข้อมูลมากในผลงานเหล่านั้นนอกเหนือจาก XRD เพื่อให้สามารถเปรียบเทียบรายละเอียดของคุณภาพของวัสดุที่ได้รับกับการศึกษาปัจจุบัน เงื่อนไขการทดลองนี้ยังยากที่จะเปรียบเทียบเป็นครูซเฟอร์นันเด et al, (1998) ไม่รายงานวิธีการที่ใช้ในการวัดอุณหภูมิของตัวอย่างและ Gulamova et al, (2009) ไม่รายงานอุณหภูมิ แต่รังสีแทน จากข้อมูลที่มีอยู่ปรากฏว่าอุณหภูมิที่ค่อนข้างมีขนาดเล็กที่มีฟลักซ์การแผ่รังสีสูงมีการใช้ในการทำงานในปัจจุบัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.3 . การอภิปราย
จากทั้งหมดของ characterizations เหนือผลสอดคล้องกันมากได้รับกับที่แตกต่างกันที่ใช้เทคนิค XRD , hrtem และ FTIR . ตามพวกเขาในปฏิกิริยาขั้นตอนที่สี่ประกอบซิลิกอนไดออกไซด์ / C หมดจดซึ่งได้จากซิลิกาผสมกับซูโครสเป็นแหล่งคาร์บอน กรดซัลฟิวริกและน้ำ ตามที่ได้ตั้งใจไว้คาร์บอนอสัณฐานนี้จะมีปฏิกิริยาในขั้นตอนต่อไปของกระบวนการคาร์โบเทอร์มอลรีดักชั่น ) กว่าวัสดุผลึก เช่น แกรไฟต์ เป็นแหลมออกโดยครูซ Fernandes et al . ( 1998 ) มันต้องมีอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ ( 700 C ) ที่ประสบความสำเร็จในเตาพลังงานแสงอาทิตย์ โดยบางส่วนปิดชัตเตอร์ เพื่อลดปริมาณความเข้มข้นของเหตุการณ์รังสีแสงอาทิตย์ในผลงานก่อนหน้าของ SIC ตั้งต้นผลิตเตาแสงอาทิตย์ได้มาจากกระบวนการแสงอาทิตย์ ( ครูซ Fernandes et al . , 1998 ; gulamova et al . , 2009 ) .
เกี่ยวกับ SIC ที่ได้ในขั้นตอนที่ 5 ของกระบวนการ การบ่งชี้ว่า มันประกอบด้วยส่วนใหญ่ของ b-sic ด้วย จำนวนเล็ก ๆของฟิล์มบางอะมอร์ฟัส . อย่างไรก็ตามปริมาณของซิลิกามากสามารถเข้าสู่ยังคงอยู่ในตัวอย่างที่ส่วนท้ายของกระบวนการ ซึ่งหายไปหลังจากการกัดกรด HF ได้รับบริสุทธิ์ SiC เพิ่มประสิทธิภาพด้วยสภาพการดำเนินงานต้องดำเนินการเพื่อเพิ่ม SIC การผลิต การใช้เครื่องปฏิกรณ์ที่ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับกระบวนการนี้ เพื่อให้ความร้อนชุดเพิ่มเติมของตัวอย่างมีความต้องการที่จะเพิ่มขอบเขตปฏิกิริยา
ทั้งปฏิกิริยาขั้นตอนการแปรรู ของ ชัตเตอร์ ค่าฟลักซ์ที่เข้มข้นจึงเปลี่ยนเตาใหม่ระดับภูมิภาค อุณหภูมิของตัวอย่างควบคุม นี้อนุญาตให้เงื่อนไขปฏิกิริยาที่มั่นคงมาก อย่างไรก็ตาม การควบคุมนี้ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ วัดได้จากเทอร์โมคัปเปิลตั้งอยู่ที่ด้านล่างของตัวอย่างการปรับปรุงการควบคุมช่วยให้เพื่อให้สภาวะที่เหมาะสมในตัวอย่างอาจจะพัฒนาบนพื้นฐานของการกระจายอุณหภูมิการวัดไม่ให้กล้อง thermographic .
อ้างอิงผลงานก่อนหน้า ( ครูซ Fernandes et al . , 1998 ; gulamova et al . , 2009 ) , มันเป็นไปได้ เพื่อสังเคราะห์จากสารตั้งต้นที่แตกต่างกันและกับ SIC กระบวนการที่แตกต่างกันไม่มีข้อมูลมากในผลงานเหล่านั้นนอกจาก XRD เพื่อให้รายละเอียดการเปรียบเทียบคุณภาพของที่ได้กับวัสดุการศึกษาปัจจุบัน เงื่อนไขการทดลองยังยากที่จะเปรียบเทียบเป็นครูซ Fernandes et al . ( 1998 ) ไม่รายงาน วิธีการที่ใช้ในการวัดอุณหภูมิของตัวอย่าง และ gulamova et al . ( 2009 ) ไม่รายงานอุณหภูมิ แต่ดังกล่าวแทน