The silicon based regenerative diod

The silicon based regenerative diode shown in Fig. 1 acts as a unipolar device until the voltage across the device reaches 0.6 to 0.7V at 300K, after which it becomes a bipolar device. In the reverse direction, there is a small reverse peak current flowing in the device up to an approximate value of- IV due to the normally on-state behavior ofthe device. The device is turned-offafter this voltage, which re-instates that it needs some reverse voltage/current to turn-offthe device. As the voltage crosses an approximate value of -lV, the reverse peak current decreases to a very small value due to the regenerative action ofthe device. In Fig. 2(a), the region A exhibits that the device is in a bipolar state, region B exhibits that the device is in a unipolar state, region C exhibits the flow of a small reverse peak current through the device till an approximate value of -lV, region D exhibits that a very small reverse leakage current is flowing through the device and finally region E exhibits that the device is in break down condition.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซิลิคอนที่ใช้ไดโอดสำหรับสินค้าทั้งหมดที่แสดงใน Fig. 1 ทำหน้าที่เป็นอุปกรณ์ unipolar จนกว่าแรงดันไฟฟ้าระหว่างอุปกรณ์ถึง 0.6 เพื่อ 0.7V ที่ 300 K หลังจากที่มันกลายเป็นอุปกรณ์ไฟที่ไบโพลาร์ ในทิศทางย้อนกลับ มีขนาดเล็กกลับสูงสุดปัจจุบันไหลในอุปกรณ์ได้เป็นค่าโดยประมาณของ-IV เนื่องจากลักษณะการทำงานปกติบนสถานะของอุปกรณ์ อุปกรณ์มีแรงดันนี้ ซึ่งอีกครั้ง instates ว่า มันต้องบางกลับแรงดัน/กระแสอุปกรณ์เปิด offthe offafter เปิด เป็นแรงดันไฟฟ้าตัดค่าประมาณ-lV ปัจจุบันสูงสุดกลับลดค่าเนื่องจากการดำเนินการสำหรับอุปกรณ์ขนาดเล็กมาก ใน Fig. 2(a) ยุคภูมิภาค A ที่อุปกรณ์อยู่ในสถานะไฟที่ไบโพลาร์ B จัดแสดงว่า อุปกรณ์อยู่ในสถานะ unipolar ภูมิภาค ภูมิภาค C จัดแสดงการไหลขนาดเล็กกลับสูงสุดปัจจุบันผ่านอุปกรณ์จนถึงค่าประมาณของ - lV ภูมิภาค D จัดแสดงว่า รั่วกลับเล็ก ๆ ปัจจุบันจะไหลผ่านอุปกรณ์ และในที่สุด ภูมิภาค E จัดแสดงอุปกรณ์ว่าแบ่งลงเงื่อนไข

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไดโอดปฏิรูปตามซิลิกอนที่แสดงในรูป 1 ทำหน้าที่เป็นอุปกรณ์ unipolar จนกระทั่งแรงดันไฟฟ้าทั่วอุปกรณ์ถึง 0.6 ถึง 0.7V ที่ 300K หลังจากที่มันจะกลายเป็นอุปกรณ์ที่มีสองขั้ว ในทิศทางกลับกันมีขนาดเล็กกลับสูงสุดในปัจจุบันไหลในเครื่องได้ถึงค่าประมาณ of- IV เนื่องจากปกติพฤติกรรมในรัฐ ofthe อุปกรณ์ อุปกรณ์หัน offafter แรงดันไฟฟ้านี้ซึ่งอีก instates ว่ามันต้องการบางแรงดันย้อนกลับ / ปัจจุบันเพื่อเปิด offthe อุปกรณ์ ในฐานะที่เป็นแรงดันไฟฟ้าข้ามค่าประมาณของ -lV ยอดเขากลับลดลงในปัจจุบันกับค่าขนาดเล็กมากเนื่องจากการดำเนินการปฏิรูป ofthe อุปกรณ์ ในรูป (2) การจัดแสดงนิทรรศการในภูมิภาคว่าอุปกรณ์อยู่ในสภาพขั้วภูมิภาคจัดแสดงนิทรรศการบีที่อุปกรณ์อยู่ในรัฐ unipolar ภูมิภาค C จัดแสดงนิทรรศการการไหลของยอดเขาเล็ก ๆ กลับปัจจุบันผ่านอุปกรณ์จนถึงค่าประมาณของ - LV ภูมิภาคจัดแสดงนิทรรศการมิติที่รั่วไหลขนาดเล็กมากกลับมีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านอุปกรณ์และในที่สุดการจัดแสดงนิทรรศการ E ภูมิภาคท​​ี่อุปกรณ์อยู่ในสภาพที่ทำลายลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิคอนไดโอดใหม่ซึ่งแสดงในรูปที่ 1 ซึ่งทำหน้าที่เป็นอุปกรณ์ขั้วต่อจนกว่าความต่างศักย์อุปกรณ์ถึง 0.6 0.7v ที่ 300 หลังจากที่มันกลายเป็นสองอุปกรณ์ ในทิศทางกลับกัน มียอดกลับกระแสเล็ก ๆที่ไหลในอุปกรณ์ขึ้นเป็นค่าโดยประมาณของ - 4 เนื่องจากปกติสภาพอุปกรณ์ของพฤติกรรมอุปกรณ์เปิด offafter แรงดันนี้ ซึ่งเป็น instates ที่มันต้องการแรงดัน / กระแสย้อนกลับเปลี่ยนอุปกรณ์ offthe . เป็นแรงดันไฟฟ้าข้ามเป็นค่าโดยประมาณของ - LV ย้อนกลับสูงสุดในปัจจุบันลดลงค่าขนาดเล็กมากเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงการกระทำของอุปกรณ์ ในรูปที่ 2 ( ก ) , พื้นที่จัดแสดงอุปกรณ์ที่อยู่ในขั้วของรัฐเขต B พบว่าอุปกรณ์ในขั้วต่อรัฐ เขต C แสดงการไหลของยอดกลับกระแสเล็ก ๆผ่านอุปกรณ์จนเป็นค่าโดยประมาณของ - LV เขต D จัดแสดงที่ขนาดเล็กมากกลับกระแสรั่วไหลจะไหลผ่านอุปกรณ์ และสุดท้าย ภาค E ที่เป็นอุปกรณ์ในการทำลายสภาพ