Fig. 3. Room-temperature photolumin

Fig. 3. Room-temperature photoluminescence of SiC/Si-NPA and the annealed Si-
NPA under the 300 nm ultraviolet fluorescent light excitation.
to the vibrations of TO (∼796 cm−1) and LO (∼972 cm−1) phonon
modes of cubic SiC [18]. From the figure, it is easy to find that the
two shifts are widened evidently contrasted to bulk 3C–SiC and
this result indicates that the as-grown SiC nanoparticles might be
in very small grain sizes or large quantities of crystal defects and
serious lattice distortion have been formed in the particles [19].
Room-temperature PL of SiC/Si-NPA was studied by us. Excited
by 300 nm ultraviolet fluorescent light at room temperature, the PL
spectra of SiC/Si-NPA and the annealed Si-NPA which was treated
at 1000 ◦C in pure Ar gas were obtained and presented in Fig. 3. It
can be observed that no light emitted from the annealed Si-NPA
while strong light emissions peaked at 383 nm, 402 nm and 420 nm
are obtained in SiC/Si-NPA. This result illustrates that the strong
UV-blue light emissions come from the 3C–SiC film. The dominant
light emission peaked at 402 nm is ascribed to the lattice defects in
3C–SiC nanocrystals by referring to a new report of Kim’s [20] who
owed a strong emission of 2.75 eV in nanocrystalline SiC to the
defects in the nanoparticles. XRD and Raman data measured from
SiC/Si-NPA have proved that the prepared 3C–SiC particles contain
a large number of crystal defects which would be the origin of
the violet light emission. The UV light emission peaked at 383 nm
might come from some multiple stacking faults in the 3C–SiC film
[21]. As to the blue light emission peaked at 420 nm, it is related
to the quantum confinement effect (QCE) in SiC nanocrystals by us
since QCE has been found in colloidal 3C–SiC nanocrystals [22,23],
close-packed SiC nanocrystal films [24] and some 3C–SiC films
Fig. 4. Room-temperature photoluminescence of the annealed SiC/Si-NPA samples.
Inset: the line of the average diameter (D) of SiC nanocrystals vs the anneal temperature
(T) of SiC/Si-NPA.
produced by CVD method [25,26]. In order to explore the origin of
the light emissions, the SiC/Si-NPA samples were annealed in pure
Ar gas for 1 h at 373, 473 and 573 K, respectively. The PL spectra
of these samples are shown in Fig. 4. The average diameters of
the annealed 3C–SiC nanocrystals at different temperatures were
calculated by Scherrer’s formula and the result is shown in the
inset picture in Fig. 4. It was demonstrated that the particle size
of 3C–SiC increase with the rise of the anneal temperature. From
the PL spectra, two obvious changes are found from the annealed
SiC/Si-NPA samples. Firstly, the intensity of the light emissions
peaked at 383 and 402 nm reduced drastically. This result reveals
that the number of the crystal defects in the SiC film decrease
sharply with the rise of the anneal temperature. Secondly, the
position of the light emission originally peaked at 420 nm has a
gradual red shift with the increase of the size of SiC. This result
discloses that QCE has played an important role to the 420 nm light
emission in SiC/Si-NPA. Although it still remains unknown how the
defects affect the PL in SiC/Si-NPA, one thing has been cleared that
strong UV-blue light emission is obtained from SiC/Si-NPA at room
temperature and this would open the optoelectronic applications
such as flat panel displays for SiC/Si-NPA.
A SiC/Si-NPA/sc-Si heterojunction diode was constructed by
depositing aluminum layers as the top and the back electrodes and
the sandwich structure was shown schematically in the inset of
Fig. 5. The device is specified by 10 mm × 10 mm. The experimental

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 3 อุณหภูมิห้อง photoluminescence ของ SiC ศรี-NPA และที่ annealed ศรี-NPA ภายใต้ที่ 300 nm รังสีอัลตราไวโอเลตเรืองแสงไฟในการกระตุ้นการสั่นสะเทือนของการ (∼796 cm−1) และ phonon โล (∼972 cm−1)โหมดของ SiC ลูกบาศก์ [18] จากตัวเลข ซึ่งง่ายต่อการค้นหาที่หมายสองกะจะ widened อย่างเห็นได้ชัดต่างกับจำนวนมาก 3C – SiC และผลลัพธ์นี้บ่งชี้ว่า อาจจะเก็บกัก SiC ที่ปลูกเป็นเมล็ดขนาดเล็กมากขนาดหรือจำนวนมากของข้อบกพร่องของผลึก และก่อความผิดเพี้ยนของโครงตาข่ายประกอบอย่างจริงจังในอนุภาค [19]อุณหภูมิห้อง PL ของ SiC/ซี-NPA ถูกศึกษา โดยเรา ตื่นเต้นโดย 300 nm เรืองแสงอัลตราไวโอเลตที่อุณหภูมิห้อง PLแรมสเป็คตราของ SiC ศรี-NPA และที่ annealed ศรี-NPA ซึ่งถูกถือว่าที่ 1000 ◦C ในแก๊ส Ar บริสุทธิ์ได้รับ และนำเสนอใน Fig. 3 มันสามารถสังเกตได้ว่า ไฟไม่เปล่งออกมาจากซี-NPA annealedในขณะที่ปล่อยแสงแข็ง peaked ที่ 383 nm, 402 nm และ 420 nmจะได้รับใน SiC ศรี-NPA ผลลัพธ์นี้แสดงที่แข็งแกร่งปล่อยแสง UV สีฟ้ามาจากฟิล์ม 3C – SiC โดดเด่นมลพิษแสง peaked ที่ 402 nm เป็น ascribed การบกพร่องโครงตาข่ายประกอบใน3C – SiC nanocrystals โดยอ้างถึงรายงานใหม่ของคิมของ [20] คนหนี้เล็ดรอดแข็งแรงของ 2.75 eV ใน nanocrystalline SiC เพื่อข้อบกพร่องในการเก็บกัก วัดจากข้อมูล XRD และรามันSiC ศรี-NPA ได้พิสูจน์ว่า ประกอบด้วยอนุภาค 3C – SiC ที่เตรียมไว้จำนวนข้อบกพร่องของผลึกซึ่งจะเป็นจุดเริ่มต้นของมลพิษแสงไวโอเลท มลพิษแสง UV peaked ที่ 383 nmอาจมาจากข้อบกพร่องบางอย่างซ้อนหลายในฟิล์ม 3C – SiC[21] เป็นมลพิษแสงสีน้ำเงิน peaked ที่ 420 nm สัมพันธ์ให้ผลเข้าควอนตัม (QCE) ใน nanocrystals SiC เราเนื่องจากตรวจพบ QCE ใน nanocrystals colloidal 3C – SiC [22,23],บรรจุปิด SiC nanocrystal ภาพยนตร์ [24] และฟิล์มบาง 3C – SiCFig. 4 Photoluminescence อุณหภูมิห้องอย่าง SiC ศรี-NPA annealedแทรก: บรรทัดของเส้นค่าเฉลี่ย (D) ของซิลิก้อน nanocrystals เทียบกับอุณหภูมิ anneal(T) ของซิลิก้อน/ซี-NPAผลิต โดยวิธีผิว CVD [25,26] จุดเริ่มต้นของการออกแบบปล่อยแสง ตัวอย่าง SiC ศรี-NPA ได้ annealed ในบริสุทธิ์Ar แก๊สสำหรับ h 1 ที่ 373, 473 วิธี: 573 K ตามลำดับ แรมสเป็คตรา PLตัวอย่างเหล่านี้แสดงใน Fig. 4 ปัจจุบันค่าเฉลี่ยของnanocrystals annealed 3C – SiC ที่อุณหภูมิแตกต่างกันได้คำนวณ โดยสูตรของ Scherrer และผลลัพธ์จะแสดงในแบบแทรกรูปภาพใน Fig. 4 มันได้แสดงให้เห็นว่าที่ขนาดอนุภาคของเพิ่ม 3C – SiC กับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิ anneal จากแรมสเป็คตรา PL เปลี่ยนแปลงชัดเจนสองที่พบจากการ annealedตัวอย่างซิลิก้อน/ซี-NPA ประการแรก ความเข้มของปล่อยแสงpeaked ที่ 383 และ 402 nm ลดลงอย่างรวดเร็ว เปิดเผยผลนี้ว่า จำนวนคริสตัลข้อบกพร่องในลดฟิล์ม SiCอย่างรวดเร็ว ด้วยการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิ anneal ประการที่สอง การตำแหน่งของมลพิษแสงเดิม peaked ที่ 420 nm มีการกะแดงที่สมดุลกับการเพิ่มขึ้นของขนาดของ SiC ผลลัพธ์นี้เปิดเผยว่า QCE ได้เล่นมีบทบาทสำคัญที่ 420 nm แสงมลพิษใน SiC ศรี-NPA ถึงแม้ว่ามันยังคงไม่รู้จักวิธีการข้อบกพร่องที่มีผลต่อ PL ใน SiC ศรี-NPA สิ่งหนึ่งถูกล้างข้อมูลที่ปล่อยก๊าซแสง UV สีฟ้าแข็งแรงได้รับมาจาก SiC/ซี-NPA ห้องอุณหภูมิและนี้จะเปิดโปรแกรมประยุกต์ optoelectronicเช่นแบนแสดงสำหรับ SiC ศรี-NPAไดโอด heterojunction SiC/ซี-NPA/sc-ซีถูกสร้างขึ้นโดยฝากชั้นอลูมิเนียมด้านบนและหุงตหลัง และโครงสร้างแซนวิชแสดง schematically ในแทรกของFig. 5 อุปกรณ์ที่ระบุ โดย 10 มม. × 10 มม. การทดลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 3. photoluminescence ห้องอุณหภูมิของ SiC / Si-NPA และ Si- อบ
ทรัพย์สินรอการขายภายใต้การกระตุ้นแสง 300 นาโนเมตรเรืองแสงอัลตราไวโอเลต.
การสั่นสะเทือนของการ (~796 ซม-1) และ LO (~972 ซม 1) phonon
โหมด ลูกบาศก์ดังนี้ [18] จากตัวเลขมันเป็นเรื่องง่ายที่จะพบว่า
สองกะจะเพิ่มขึ้นอย่างเห็นได้ชัดเมื่อเปรียบเทียบจำนวนมาก 3C-SiC และ
ผลนี้แสดงให้เห็นว่าเป็นที่ปลูกอนุภาคนาโน SiC อาจจะมี
ขนาดเม็ดมีขนาดเล็กมากหรือปริมาณมากของข้อบกพร่องคริสตัลและ
บิดเบือนตาข่ายร้ายแรง ได้รับการสร้างขึ้นในอนุภาค [19].
ห้องอุณหภูมิของ SiC PL / Si-NPA ได้ศึกษาโดยเรา ตื่นเต้น
300 นาโนเมตรไฟเรืองแสงอัลตราไวโอเลตที่อุณหภูมิห้อง PL
สเปกตรัมของ SiC / Si-NPA และอบ Si-NPA ซึ่งได้รับการรักษา
ที่ 1000 ◦Cก๊าซเท่นบริสุทธิ์ที่ได้รับและนำเสนอในรูป 3.
สามารถสังเกตได้ว่าไม่มีแสงที่ปล่อยออกมาจากอบ Si-NPA
ในขณะที่การปล่อยแสงที่แข็งแกร่งแหลมที่ 383 นาโนเมตรและ 402 นาโนเมตร 420 นาโนเมตร
จะได้รับใน SiC / Si-NPA ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นว่าที่แข็งแกร่ง
การปล่อยแสงยูวีสีฟ้ามาจากภาพยนตร์เรื่อง 3C-SiC ที่โดดเด่น
ปล่อยแสงแหลมที่ 402 นาโนเมตรคือกำหนดข้อบกพร่องในตาข่าย
นาโนคริสตัล 3C-SiC โดยอ้างถึงรายงานฉบับใหม่ของคิม [20] ที่
เป็นหนี้ปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่แข็งแกร่งของ 2.75 eV ใน nanocrystalline SIC ที่จะ
ข้อบกพร่องในอนุภาคนาโน XRD และข้อมูลรามันวัดจาก
SiC / Si-NPA ได้พิสูจน์ว่าเตรียมอนุภาค 3C-SiC มี
จำนวนมากของข้อบกพร่องคริสตัลซึ่งจะเป็นที่มาของ
การปล่อยแสงสีม่วง การปล่อยแสงยูวียอดที่ 383 นาโนเมตร
อาจจะมาจากความผิดพลาดบางอย่างที่ซ้อนหลายในภาพยนตร์ 3C-SiC
[21] ในฐานะที่เป็นการปล่อยแสงสีฟ้าแหลมที่ 420 นาโนเมตรก็จะเกี่ยวข้องกับ
การคุมขังควอนตัมผล (QCE) ในนาโนคริสตัล SiC โดยเรา
ตั้งแต่ QCE ถูกพบในนาโนคริสตัล 3C-SiC คอลลอยด์ [22,23]
ใกล้บรรจุภาพยนตร์ SiC ผลึกขนาดนาโน [24] และบางภาพยนตร์ 3C-SiC
รูป 4. photoluminescence ห้องอุณหภูมิของอบตัวอย่างดังนี้ / Si-NPA.
ภาพประกอบ: สายของเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ย (D) ของ SiC นาโนคริสตัลเทียบอุณหภูมิหลอม
(T) ของ SiC / Si-NPA.
ผลิตโดยวิธี CVD [25 26] เพื่อสำรวจที่มาของ
การปล่อยแสง SiC / ตัวอย่าง Si-NPA ถูกอบในบริสุทธิ์
ก๊าซเท่นเวลา 1 ชั่วโมงที่ 373, 473 และ 573 K ตามลำดับ PL สเปกตรัม
ของกลุ่มตัวอย่างเหล่านี้จะแสดงในรูป 4. ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยของ
อบนาโนคริสตัล 3C-SiC ที่อุณหภูมิที่แตกต่างกันได้รับการ
คำนวณจากสูตร Scherrer และผลที่ปรากฏอยู่ใน
ภาพที่ใส่เข้าไปในรูป 4. มันก็แสดงให้เห็นว่าขนาดอนุภาค
ของ 3C-SiC เพิ่มขึ้นด้วยการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิหลอม จาก
สเปกตรัม PL, สองการเปลี่ยนแปลงที่เห็นได้ชัดจากการที่พบอบ
SiC / Si-NPA ตัวอย่าง ประการแรกความเข้มของการปล่อยแสง
แหลมที่ 383 และ 402 นาโนเมตรลดลงอย่างมาก ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็น
ว่าจำนวนของข้อบกพร่องคริสตัลในภาพยนตร์ SiC ลดลง
อย่างรวดเร็วกับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิหลอม ประการที่สอง
ตำแหน่งของการปล่อยแสงเดิมแหลมที่ 420 นาโนเมตรที่มี
การเปลี่ยนแปลงอย่างค่อยเป็นค่อยไปสีแดงกับการเพิ่มขนาดของ SiC ผลที่ได้นี้
เปิดเผยว่า QCE มีบทบาทสำคัญที่จะแสงนาโนเมตร 420
ปล่อยก๊าซเรือนกระจกใน SiC / Si-NPA แม้ว่ามันจะยังคงยังไม่ทราบวิธีการที่
ส่งผลกระทบต่อความบกพร่องใน SiC PL / Si-NPA สิ่งหนึ่งที่ได้รับการล้างที่
ปล่อยแสงยูวีสีฟ้าที่แข็งแกร่งจะได้รับจาก SiC / Si-NPA ณ ห้อง
อุณหภูมิและนี้จะเปิดการใช้งาน optoelectronic
เช่น จอแบนสำหรับ SiC / Si-NPA.
SiC / Si-NPA / SC-Si เฮเทอโรไดโอดถูกสร้างขึ้นโดย
การฝากชั้นอลูมิเนียมเป็นด้านบนและขั้วไฟฟ้าหลังและ
โครงสร้างแซนวิชก็แสดงให้เห็นสิ่งที่ใส่เข้าไปในแผนผังของ
รูป 5. อุปกรณ์ที่ระบุโดย 10 มม x 10 มม การทดลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 3 อุณหภูมิของห้องแบบ SIC / ศรี NPA และอบชิ -
NPA ภายใต้ 300 nm ยูวีแสงฟลูออเรสเซนต์ และ .
กับแรงสั่นสะเทือนของ ( ∼ 796 cm − 1 ) และ โล ( ∼ 972 cm − 1 ) Phonon
โหมดลูกบาศก์ Sic [ 18 ] จากรูป เป็นการง่ายที่จะพบว่า
2 กะจะกว้างขึ้นอย่างเห็นได้ชัดแบบเป็นกลุ่ม ( SiC และ
3 Cผลที่ได้นี้พบว่าอนุภาคนาโนอาจจะปลูกเป็น SIC
ขนาดเม็ดขนาดเล็กมากหรือขนาดใหญ่ปริมาณของข้อบกพร่องร้ายแรงขัดแตะคริสตัล
บิดเบือนที่ได้รับการจัดตั้งขึ้นในอนุภาค [ 19 ] .
อุณหภูมิห้อง PL ของ SIC / จังหวัดเข้ามาศึกษาโดยเรา ตื่นเต้น
300 nm ยูวีหลอดไฟที่อุณหภูมิห้อง , PL
สเปกตรัมของ SIC / ศรี NPA และ NPA ซึ่งถือว่า
อบซีที่ 1000 ◦ C ในก๊าซ AR บริสุทธิ์ได้ และนำเสนอในรูปที่ 3 ครับผมสามารถสังเกตได้ว่าไม่มีแสงที่ปล่อยออกมาจากการอบอ่อนศรี NPA
ในขณะที่การปล่อยแสงแข็งแหลมที่ 383 nm 402 nm และ 420 nm
จะได้รับ SIC / ศรี NPA ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นว่าแรง
UV สีฟ้าอ่อนที่ปล่อยออกมาจาก 3C ) เล่นฟิล์ม เด่น
การเปล่งแสง , 402 nm เป็น ascribed เพื่อตาข่ายในข้อบกพร่อง
3 C ( sic nanocrystals โดยอ้างอิงรายงานฉบับใหม่ของคิม [ 20 ] ใคร
ค้างปล่อยแข็งแรง 2.75 EV ใน nanocrystalline SIC กับ
ข้อบกพร่องในอนุภาค วิเคราะห์ข้อมูลและวัดรามัญจาก
SIC / ศรีคงพิสูจน์ได้ว่าเตรียม 3C – SIC อนุภาคประกอบด้วย
ตัวเลขขนาดใหญ่ของคริสตัลข้อบกพร่องซึ่งจะเป็นจุดเริ่มต้นของ
สีม่วงอ่อนออกมา แสงยูวีจากแหลมที่ 383 nm
อาจมาจากหลายซ้อนข้อบกพร่องใน 3C – SIC ภาพยนตร์
[ 21 ] ถึงการเปล่งแสงสีฟ้าแหลมที่ 420 นาโนเมตร มันเกี่ยวข้องกับควอนตัมจำกัด
( ผล qce ) ใน nanocrystals SIC เรา
ตั้งแต่ qce ได้รับการพบในคอลลอยด์ 3C ( sic nanocrystals [ 22,23 ] ,
ปิดแน่น SIC nanocrystal ภาพยนตร์ [ 24 ] และ 3C – SIC ภาพยนตร์
รูปที่ 4 อุณหภูมิของห้องแบบอบ SIC / ศรีตัวอย่าง NPA .
ใส่ : เส้นค่าเฉลี่ยของขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง ( d ) ของ SIC nanocrystals vs หลอมอุณหภูมิ
( T ) ของ SIC / ศรี NPA .
ที่ผลิตโดยวิธีซีวีดี [ 25,26 ] เพื่อศึกษาที่มาของ
ปล่อยไฟ , SIC / ศรีตัวอย่าง NPA เป็นอบในบริสุทธิ์
AR แก๊ส 1 H ที่ 373 , และคุณ K ตามลำดับ
พีสเปกตรัมตัวอย่างเหล่านี้จะถูกแสดงในรูปที่ 4 ค่าเฉลี่ยของเส้นผ่าศูนย์กลางของ
3 C ) อบที่อุณหภูมิต่าง ๆ
nanocrystals SIC ที่คำนวณด้วยสูตรของ เชเรอร์และผลจะแสดงในรูปที่ใส่ในรูป
4 มันแสดงให้เห็นว่าอนุภาคขนาด
3C – SIC เพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของเนล อุณหภูมิ จากคุณ Spectra 2
, การเปลี่ยนแปลงอย่างเห็นได้ชัด จะพบได้จากอบ
SIC / ศรีตัวอย่าง NPA ประการแรก ความเข้มของการปล่อยแสง
ที่บ้านแล้ว 402 nm ลดลงอย่างมาก ผลที่ได้นี้พบว่าจำนวนของคริสตัล
บกพร่องในฟิล์ม SIC ลด
อย่างมากกับการเพิ่มขึ้นของเนล อุณหภูมิ ประการที่สอง
ตำแหน่งของการเปล่งแสง แต่เดิมมี 420 nm ได้เปลี่ยนเป็นสีแดงทีละน้อย
ด้วยการเพิ่มของขนาดของ SiC นี้ผล
เปิดเผยว่า qce มีบทบาทสำคัญต่อ 420 nm แสง
ต่อ SIC / ศรี NPA แม้ว่ามันจะยังคงวิธีการที่ไม่รู้จัก
ข้อบกพร่องมีผลต่อคุณใน SIC / ศรีเข้ามา สิ่งหนึ่งที่ได้รับการล้างที่แข็งแกร่ง UV สีฟ้า
การได้มาจาก SIC / ศรี NPA ที่อุณหภูมิห้อง
และนี้จะเปิดการใช้งาน Optoelectronic
เช่นจอแบนแสดงสำหรับ SIC / Si
NPAเป็นแนว SIC / จังหวัด / SC ศรี heterojunction ไดโอดถูกสร้างขึ้นโดย
ฝากชั้นอลูมิเนียมเป็นยอดและขั้วไฟฟ้าด้านหลังและ
โครงสร้างแซนวิชแสดงแผนผังในสิ่งที่ใส่เข้าไปของ
รูปที่ 5 อุปกรณ์ที่ระบุโดย 10 มม. × 10 มิลลิเมตร ทดลอง