Nanowire synthesisTo form the Cu2S

Nanowire synthesis
To form the Cu2S and PbS nanowires on substrates, Si (100)
substrates were first cleaned by sonication in isopropanol.
Thermal evaporation was used to place a 2.0 nm sticking layer of
chromium, followed by a 12.0 nm layer of bismuth. Upon
heating the substrates, the Bi thin film melted forming molten
droplets on the surface of the substrate, which act as catalysts in
the formation of the solution-liquid-solid (SLS) grown nanowires.
The amount of molecular precursor used per substrate
area was increased for the nanowire syntheses to achieve a more
suitable precursor to catalyst ratio. For the cuprous sulfide
nanowires, 10 mL of a 0.44 M solution in TOP was used; for the
lead sulfide nanowires, 15 mL of a 0.22 M solution was used.
After adding the molecular precursor dissolved in TOP, the Bi
covered substrates were heated to 250 C and left at this
temperature until all solvent had evaporated 10–14 min.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การสังเคราะห์เส้นลวดนาโน
ในรูปแบบ Cu2S และ nanowires พีบีเอสบนพื้นผิว, ศรี (100)
พื้นผิวที่ได้รับการทำความสะอาดครั้งแรกโดย sonication ใน isopropanol.
ระเหยความร้อนถูกใช้ในการวางชั้นติดนาโนเมตร 2.0 ของ
โครเมียมตามด้วยนาโนเมตรชั้น 12.0 ของบิสมัท เมื่อ
ความร้อนพื้นผิว, Bi ฟิล์มบางละลายหลอมเหลวขึ้นรูป
หยดน้ำบนพื้นผิวของพื้นผิวซึ่งทำหน้าที่เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาใน
รูปแบบของการแก้ปัญหาของเหลวของแข็ง (SLS) เติบโต nanowires.
ปริมาณของสารตั้งต้นที่ใช้โมเลกุลต่อพื้นผิว
บริเวณที่เป็น ที่เพิ่มขึ้นสำหรับการสังเคราะห์เส้นลวดนาโนเพื่อให้เกิดมากขึ้น
สารตั้งต้นที่เหมาะสมต่อตัวเร่งปฏิกิริยา สำหรับซัลไฟด์ cuprous
nanowires, 10 มล 0.44 M แก้ปัญหาใน TOP ถูกนำมาใช้; สำหรับ
nanowires ซัลไฟด์ตะกั่ว 15 มิลลิลิตร 0.22 M ทางออกที่ถูกนำมาใช้.
หลังจากเพิ่มสารตั้งต้นโมเลกุลละลายใน TOP, Bi
ปกคลุมพื้นผิวที่ถูกอุ่นให้? 250? C และทิ้งไว้ที่นี้
อุณหภูมิจนกว่าทุกคนจะได้ตัวทำละลายระเหย? 10-14 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

nanowire การสังเคราะห์
แบบฟอร์ม cu2s และ PBS นาโนบนพื้นผิว , ศรี ( 100 )
) ครั้งแรกที่สะอาด โดย sonication ในไอโซโพรพานอล .
ความร้อนระเหยใช้สถานที่ 2.0 nm ผสานชั้น
โครเมียมตาม 12.0 nm ชั้นของธาตุบิสมัท เมื่อ
ความร้อนพื้นผิวฟิล์มละลายเป็นหยดสองหล่อ
บนพื้นผิวของพื้นผิวซึ่งทำหน้าที่เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาใน
การก่อตัวของสารละลายของแข็งของเหลว ( SLS ) โตนาโน .
ปริมาณของโมเลกุลสารตั้งต้นที่ใช้ต่อพื้นที่พื้นผิว
เพิ่มขึ้นสำหรับ nanowire การสังเคราะห์เพื่อให้บรรลุมากขึ้น
เหมาะสารตั้งต้นต่อตัวเร่งปฏิกิริยา สำหรับนาโนที่ปนทองแดงซัลไฟด์
10 มิลลิลิตรของสารละลายในด้านบน ใช้ 2 M ;
ตะกั่วซัลไฟด์ นาโนโซลูชั่น 15 ml ใช้ 0.22 m .
หลังจากการเพิ่มโมเลกุลโปรตีนที่ละลายในด้านบนสอง
ครอบคลุมพื้นผิวถูกความร้อนจะ  250  C และทิ้งไว้ที่อุณหภูมินี้
จนระเหยตัวทำละลายมี  10 – 14 นาที