ZnCdS films were formed by in situ

ZnCdS films were formed by in situ chemical doping of CdS with Zn in a chemical bath. The X-ray diffraction (XRD) patterns of CdS films after Zn doping showed a more disordered nature, consisting of reflections from Zn0.049Cd0.951S (JCPDS 40-834) as well as CdS greenockite (hexagonal, JCPDS 41-1049) and hawleyite (cubic, JCPDS 10-0454) phases. A comparison of the optical transmittance spectra for undoped and Zn-doped films showed that the cut-off wavelength was modified after Zn doping, indicating the presence of impurity states in the band gap. Zn-doped films showed an increase in dark conductivity after annealing at about 200°C. These films exhibit promising characteristics for application in solar cell and photodetector structures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์ม ZnCdS ถูกก่อตั้งขึ้น โดยใน situ เคมีโดปปิงค์ของซีดีกับ Zn ในน้ำสารเคมี รูปแบบการเลี้ยวเบนการเอ็กซ์เรย์ (XRD) ซีดีภาพยนตร์หลังจากโดปปิงค์ Zn พบธรรมชาติ disordered เพิ่มเติม ประกอบด้วยสะท้อนจาก Zn0.049Cd0.951S (JCPDS 40-834) และซีดี greenockite (หกเหลี่ยม JCPDS 41-1049) และ hawleyite (ลูกบาศก์ JCPDS 10-0454) ระยะการ การเปรียบเทียบของแรมสเป็คตรา transmittance แสงสำหรับ undoped และ Zn doped ภาพยนตร์แสดงให้เห็นว่า ความยาวคลื่นตัดถูกปรับเปลี่ยนหลังจาก Zn โดปปิงค์ บ่งชี้สถานะของอเมริกาในมลทินในช่องว่างวง Zn doped ฟิล์มพบเพิ่มในนำเข้มหลังการอบเหนียวที่ประมาณ 200 องศาเซลเซียส ภาพยนตร์เหล่านี้แสดงลักษณะสัญญาในเซลล์แสงอาทิตย์และโครงสร้าง photodetector

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ ZnCdS กำลังก่อตัวขึ้นโดยในแหล่งกำเนิดยาสลบทางเคมีของแผ่นซีดีที่มีธาตุสังกะสีในห้องอาบน้ำสารเคมี เลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ (XRD) รูปแบบของภาพยนตร์ซีดีหลังจากยาสลบ Zn แสดงให้เห็นว่ามีลักษณะเป็นระเบียบมากขึ้นประกอบด้วยการสะท้อนจาก Zn0.049Cd0.951S (JCPDS 40-834) เช่นเดียวกับซีดี greenockite (หกเหลี่ยม JCPDS 41-1049) และ hawleyite (ลูกบาศก์ JCPDS 10-0454) ขั้นตอน การเปรียบเทียบสเปกตรัมการส่งผ่านแสงสำหรับภาพยนตร์และโคบอลต์สังกะสีเจือพบว่าความยาวคลื่นตัดหลังจากที่มีการปรับเปลี่ยนการเติมธาตุสังกะสีแสดงให้เห็นการปรากฏตัวของรัฐปนเปื้อนในช่องว่างวง ภาพยนตร์สังกะสีเจือแสดงให้เห็นว่าการเพิ่มขึ้นของการนำความมืดหลังจากการอบที่ 200 องศาเซลเซียส เรื่องเหล่านี้แสดงลักษณะแนวโน้มสำหรับการประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์และโครงสร้าง photodetector

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพยนตร์ zncds ขึ้นโดยการเติมสารเคมีในแหล่งกำเนิดของซีดีกับสังกะสี ในสารเคมีที่อาบ การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ ( XRD ) รูปแบบของซีดีภาพยนตร์หลังจากการเติมสังกะสีมีมากกว่าปรกติ ธรรมชาติ ประกอบด้วยแสงสะท้อนจาก zn0.049cd0.951s ( jcpds 40-834 ) รวมทั้งซีดี greenockite ( หกเหลี่ยม jcpds 41-1049 ) และ hawleyite ( ลูกบาศก์ jcpds 10-0454 ) ระยะการเปรียบเทียบการส่งผ่านแสงสเปกตรัมสำหรับเคมีไฟฟ้าและสังกะสีเจือฟิล์มพบว่าความยาวคลื่นที่ถูกปรับเปลี่ยนหลังจากการตัดสังกะสีแสดงตนของมลรัฐในแถบช่องว่าง สังกะสีเจือภาพยนตร์แสดงให้เห็นว่าการเพิ่มขึ้นในความเข้มเมื่ออบอ่อนที่อุณหภูมิ 200 องศา ภาพยนตร์เหล่านี้มีลักษณะที่มีแนวโน้มสำหรับการประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์และโครงสร้างโฟโตดีเทกเตอร์ .