The dielectric membranesconsisted o

The dielectric membranes
consisted of a 0.2
m thick Si3N4 layer grown by
LPCVD. Each chip had four membranes, the size of which
was 900
m×900
m. (2) Deposition and patterning of a
POCl3-doped polysilicon heating meander.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เยื่อหุ้มเป็นฉนวน
ประกอบด้วย 0.2 m หนา Si3N4 ชั้นโดย
LPCVD 4 สาร ขนาดที่มีชิปแต่ละ
ได้ 900 เมตร × 900 เมตร (2) สะสมและ patterning ของเป็น
polysilicon POCl3 doped ร้อนคดเคี้ยว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เยื่ออิเล็กทริก
ประกอบด้วย 0.2? m ชั้น Si3N4 หนาเติบโตขึ้นโดย
LPCVD ชิปแต่ละคนมีสี่เยื่อขนาดของซึ่ง
เป็น 900 เมตร× 900 เมตร (2) สะสมและการเลียนแบบของ
คดเคี้ยวความร้อนโพลีซิลิคอน POCl3 เจือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หุ้มฉนวน
ประกอบด้วย
ม. หนา 0.2 Si3N4 ชั้นปลูกด้วย
lpcvd . แต่ละชิปมี 4 ขนาด คือ ขนาดของซึ่ง

m × 900
900 ม. ( 2 ) สะสมและการเลียนแบบของ
pocl3 เจือ Polysilicon ความร้อนราคาถูก .