investigators, is the initial spike

investigators, is the initial spike/overshoot measured on the residual voltage (Figure 5.20). Careful studies linked this phenomenon to circuit inductance [120], the impulse rate of rise [122, 123], the impulse amplitude [124], the nature and amount of additives [125], the preinjection of carriers (using a double impulse technique) [125, 126], the value of the non-linearity coefficient and the difference in the rate of harge accumulation at the electron and hole traps located at the interface of the grain and intergranular layer [127]. This type of overshoot is, however, not observable on SiC material [127, 128]. This leads to the attribution of the overshoot to ZnO material,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นักสืบ สไปค์/overshoot เริ่มต้นวัดบนแรงดันไฟฟ้าส่วนที่เหลือ (รูป 5.20) ระมัดระวังการศึกษาเชื่อมโยงปรากฏการณ์นี้วงจร inductance [120], อัตราการกระแสเพิ่มขึ้น [122, 123], คลื่นกระแส [124], ธรรมชาติ และจำนวนสาร [125], preinjection ของสายการบิน (ใช้เทคนิคกระแสคู่) [125, 126], ค่าของสัมประสิทธิ์ไม่แบบดอกไม้และความแตกต่างในอัตราการสะสม harge ที่กับดักอิเล็กตรอนและหลุมที่อยู่อินเทอร์เฟซของเมล็ดข้าวและ intergranular ชั้น [127] Overshoot ชนิดนี้ อย่างไรก็ตาม ไม่ได้ observable บนวัสดุ SiC [127, 128] นี้นำไปสู่การแสดงที่มาของ overshoot กับวัสดุ ZnO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผู้ตรวจสอบเป็นครั้งแรกเข็ม / แหกวัดแรงดันไฟฟ้าที่เหลือ (รูปที่ 5.20) การศึกษาอย่างรอบคอบเชื่อมโยงปรากฏการณ์นี้กับวงจรเหนี่ยวนำ [120] ที่อัตราการแรงกระตุ้นจากการเพิ่มขึ้น [122, 123] แรงกระตุ้นกว้าง [124] ธรรมชาติและปริมาณของสารเติมแต่ง [125] Preinjection ของผู้ให้บริการ (โดยใช้เทคนิคอิมพัลคู่ ) [125, 126] ค่าของค่าสัมประสิทธิ์ที่ไม่เป็นเชิงเส้นและความแตกต่างในอัตราการสะสม harge ที่อิเล็กตรอนและหลุมกับดักอยู่ที่อินเตอร์เฟซของเมล็ดข้าวและชั้นขอบเกรน [127] ประเภทของการแหกนี้ แต่ไม่ได้ติดตามใน SiC วัสดุ [127, 128] นี้นำไปสู่​​การกำหนดลักษณะของแหกวัสดุซิงค์ออกไซด์ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พนักงานสอบสวน คือ เข็มวัดแรงดัน / เริ่มต้นเลยเหลือ ( รูปที่ 5.20 ) การศึกษาการเชื่อมโยงปรากฏการณ์นี้ระวังวงจรตัวเหนี่ยวนำ [ 120 ] กระตุ้นอัตราการเพิ่มขึ้น [ 122 , 123 ] ค่า [ 124 ] แรงกระตุ้น ลักษณะและปริมาณของวัตถุ [ 125 ] , preinjection ของผู้ให้บริการ ( ใช้เทคนิค double แรงกระตุ้น ) [ 125 , 126 ]ค่าของไม่และค่าสัมประสิทธิ์ความแตกต่างในอัตราการสะสมของฮาร์จที่อิเล็กตรอนและกับดักหลุมตั้งอยู่ที่อินเตอร์เฟซของเมล็ดพืชและขอบเกรนเยอร์ [ 127 ] ชนิดนี้เป็นแบบ แต่ไม่ได้สังเกตใน SIC วัสดุ [ 127 , 128 ] นี้นำไปสู่ลักษณะของกระบวนการ วัสดุ ZnO ,