investigators, is the initial spike/overshoot measured on the residual voltage (Figure 5.20). Careful studies linked this phenomenon to circuit inductance [120], the impulse rate of rise [122, 123], the impulse amplitude [124], the nature and amount of additives [125], the preinjection of carriers (using a double impulse technique) [125, 126], the value of the non-linearity coefficient and the difference in the rate of harge accumulation at the electron and hole traps located at the interface of the grain and intergranular layer [127]. This type of overshoot is, however, not observable on SiC material [127, 128]. This leads to the attribution of the overshoot to ZnO material,
นักสืบ สไปค์/overshoot เริ่มต้นวัดบนแรงดันไฟฟ้าส่วนที่เหลือ (รูป 5.20) ระมัดระวังการศึกษาเชื่อมโยงปรากฏการณ์นี้วงจร inductance [120], อัตราการกระแสเพิ่มขึ้น [122, 123], คลื่นกระแส [124], ธรรมชาติ และจำนวนสาร [125], preinjection ของสายการบิน (ใช้เทคนิคกระแสคู่) [125, 126], ค่าของสัมประสิทธิ์ไม่แบบดอกไม้และความแตกต่างในอัตราการสะสม harge ที่กับดักอิเล็กตรอนและหลุมที่อยู่อินเทอร์เฟซของเมล็ดข้าวและ intergranular ชั้น [127] Overshoot ชนิดนี้ อย่างไรก็ตาม ไม่ได้ observable บนวัสดุ SiC [127, 128] นี้นำไปสู่การแสดงที่มาของ overshoot กับวัสดุ ZnO
การแปล กรุณารอสักครู่..
![](//thimg.ilovetranslation.com/pic/loading_3.gif?v=b9814dd30c1d7c59_8619)