The polarization effect enhances ch

The polarization effect enhances charge
recombination between electrons and holes at silicon surface [20].
Similar surface charge recombination would occur on then-type front junction
silicon cell in our experiment,as has been suggested by the spectral
change in external quantum efficiency after potential-induced degradation occurred(Fig. 3).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลโพลาไรซ์ช่วยเพิ่มค่าธรรมเนียมรวมตัวกันระหว่างอิเล็กตรอนและรูที่พื้นผิวซิลิโคน [20]ค่าพื้นผิวที่คล้ายกันรวมตัวกันจะเกิดขึ้นบนทางแยกหน้าชนิดนั้นเซลล์ซิลิคอนในการทดลองของเรา ได้รับการแนะนำ โดยการสเปกตรัมเปลี่ยนแปลงในประสิทธิภาพควอนตัมภายนอกหลังจากเกิดศักยภาพในการย่อยสลายเกิดขึ้น (3 รูป)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลโพลาไรซ์ช่วยเพิ่มค่าใช้จ่ายใน
การรวมตัวกันระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมที่พื้นผิวซิลิกอน [20].
คล้ายผิวหน้าที่รวมตัวกันอีกจะเกิดขึ้นบนแล้วชนิดแยกด้านหน้า
มือถือซิลิกอนในการทดลองของเราตามที่ได้รับการแนะนำโดยสเปกตรัม
การเปลี่ยนแปลงในประสิทธิภาพการใช้ควอนตัมภายนอกหลังจาก potential- การย่อยสลายเหนี่ยวนำให้เกิดขึ้น (รูปที่. 3)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระดับผลช่วยเพิ่มประจุการรวมตัวกันระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมที่ผิวซิลิคอน [ 20 ]คล้ายการประจุพื้นผิวจะเกิดขึ้นบน แล้วพิมพ์ด้านหน้าชุมทางซิลิคอนเซลล์ในการทดลองของเรา ตามที่ได้รับการแนะนำโดยการเปลี่ยนแปลงในประสิทธิภาพควอนตัมภายนอกหลังจากการสลายอาจเกิดขึ้น ( รูปที่ 3 )