Process diagram to create small pit

Process diagram to create small pitch wires. (A) The GaAs/AlGaAs superlattice, (B) after selectively etching the AlGaAs, (C) metal deposition while tilted at 36°, (D) contact of superlattice onto adhesive layer on silicon, (E) release of metal wires by etching GaAs oxide, and (F) after optional O2 plasma to remove adhesive layer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ภาพกระบวนการสร้างสนามขนาดเล็กสาย (A) GaAs/AlGaAs superlattice, (B) หลังจากเลือกการแกะสลัก AlGaAs (C) สะสมโลหะขณะยืดที่ 36°, (D) ผู้ติดต่อของ superlattice บนชั้นกาวบนซิลิคอน, (E) ปล่อยโลหะสาย โดยการกัดออกไซด์ GaAs และ (F) หลัง จาก O2 พลาสม่าที่เลือกเอาชั้นกาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แผนภาพกระบวนการในการสร้างสายสนามเล็ก (ก) ให้ GaAs / AlGaAs superlattice (B) หลังจากเลือกแกะสลัก AlGaAs ที่ใช้ (C) การสะสมโลหะในขณะที่เอียง 36 ° (D) การติดต่อของ superlattice บนชั้นกาวซิลิกอน (E) การเปิดตัวของลวดโลหะโดยการแกะสลัก GaAs ออกไซด์และ (F) หลังจากที่พลาสม่า O2 ตัวเลือกที่จะลบชั้นกาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แผนผังกระบวนการเพื่อสร้างสายสนามเล็ก ( ก ) GaAs / algaas ซูเปอร์แลตทิซ ( ข ) หลังจากเลือกภาพที่ algaas ( C ) ในขณะที่โลหะการเอียงที่ 36 องศา ( D ) การติดต่อของซูเปอร์แลตทิซบนชั้นกาวซิลิโคน ( E ) ของลวดโลหะโดยการปล่อยนี้ ออกไซด์ และ ( ฉ ) หลังจากเลือก O2 พลาสม่าเพื่อลบเลเยอร์กาว