Raman spectra from polycrystalline

Raman spectra from polycrystalline beta-silicon carbide (SiC) were collected following neutron irradiation at 380–1180 °C to 0.011–1.87 displacement per atom. The longitudinal optical (LO) peak shifted to a lower frequency and broadened as a result of the irradiation. The changes observed in the LO phonon line shape and position in neutron-irradiated SiC are explained by a combination of changes in the lattice constant and Young's modulus, and the phonon confinement effect. The phonon confinement model reasonably estimates the defect-defect distance in the irradiated SiC, which is consistent with results from previous experimental studies and simulations.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รามันสเปกตรัมจากคริสตัลไลน์เบต้าซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ที่ถูกเก็บรวบรวมการฉายรังสีนิวตรอนต่อไปนี้ที่ 380-1180 ° C ถึง 0.011-1.87 กระจัดต่ออะตอม ตามยาวออปติคอล (LO) สูงสุดขยับไปความถี่ที่ต่ำกว่าและกว้างขึ้นเป็นผลมาจากการฉายรังสี การเปลี่ยนแปลงที่สังเกตใน LO รูปร่างเส้น phonon และตำแหน่งในการฉายรังสีนิวตรอน SiC มีการอธิบายโดยการรวมกันของการเปลี่ยนแปลงในตาข่ายอย่างต่อเนื่องและมอดุลัสและผล phonon คุมขัง รุ่น phonon คุมขังพอสมควรประมาณการระยะทางข้อบกพร่องข้อบกพร่องในการฉายรังสี SiC ซึ่งสอดคล้องกับผลการทดลองจากการศึกษาก่อนหน้านี้และการจำลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สเปกตรัมรามันจากผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์ ( sic ) เบต้าจำนวนนิวตรอนการฉายรังสีที่ 380 –ต่อไปนี้ทั้งองศา C 0.011 ) 1.87 การกระจัดต่ออะตอม ตามยาว แสง ( LO ) ยอดเปลี่ยนความถี่ต่ำ และขยายผลของการฉายรังสี การเปลี่ยนแปลงที่พบใน Lo Phonon เส้นรูปร่างและตำแหน่งในการฉายรังสีนิวตรอน SIC จะอธิบายโดยการรวมกันของการเปลี่ยนแปลงในขัดแตะคงที่และค่าโมดูลัสของยังและ Phonon จำกัดผล การกำหนดรูปแบบพอสมควรประมาณ Phonon ข้อบกพร่องข้อบกพร่องระยะห่างในการฉายรังสีต่อไป ซึ่งสอดคล้องกับผลจากการศึกษาทดลองก่อนหน้านี้และการจำลอง .