Diffu­sion is a process by which a

Diffu­sion is a process by which a heavy con­centration of particles diffuse into a sur­rounding region of lower concentration. The main difference between the diffu­sion and alloy process is the fact that liquefaction is not reached in the diffu­sion process. In the diffusion process heat is applied only to increase the activity of elements involved. For formation of such diodes, either solid or gaseous diffusion process can be employed. The process of solid diffusion starts with formation of layer of an acceptor impurity on an N- type substrate and heating the two until the impurity diffuses into the substrate to form the P-type layer, as illustrated in figure. A large P-N junction is divided into parts by cutting process. Metallic contacts are made for connecting anode and cathode leads.

In the process of gaseous diffusion instead of layer formation of an acceptor impurity, an N- type substrate is placed in a gaseous atmosphere of acceptor impurities and then heated. The impurity diffuses into the substrate to form P- type layer on the N- type substrate. Though, the diffusion process requires more time than the alloy process but it is relatively inexpensive, and can be very accurately controlled. The diffusion technique leads itself to the simultaneous fabrication of many hundreds of diodes on one small disc of semiconductor material and is most commonly used in the manufacture of semiconductor diodes. This technique is also used in the production of transistors and ICs (integrated circuits).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แพร่เป็นกระบวนการที่เข้มข้นอนุภาคหนักกระจายในพื้นที่โดยรอบของความเข้มข้นต่ำ ความแตกต่างหลักระหว่างการแพร่และกระบวนการผสมความจริงว่า liquefaction ไม่ถึงในกระบวนการแพร่ ในการกระจาย ความร้อนในกระบวนการจะใช้เฉพาะกับเพิ่มกิจกรรมขององค์ประกอบที่เกี่ยวข้อง สำหรับการก่อตัวของไดโอดดังกล่าว กระบวนการแพร่กระจายของแข็ง หรือก๊าซใดสามารถนำมาใช้ กระบวนการแพร่ของแข็งเริ่มต้น ด้วยการก่อตัวของชั้นของที่บริสุทธิ์ให้เป็นผู้รับบนพื้นผิวประเภท N ตัวและร้อนทั้งสองจนไม่บริสุทธิ์แพร่เข้าสู่พื้นผิวแบบชั้นชนิด P ดังที่แสดงในรูป แยก P N ขนาดใหญ่แบ่งส่วนกระบวนการตัด ติดต่อโลหะจะทำสำหรับการเชื่อมต่อลูกค้าเป้าหมายที่แอโนดและแคโทดในกระบวนการแพร่ก๊าซแทนการก่อชั้นของที่บริสุทธิ์ให้เป็นผู้รับ มีพื้นผิวประเภท N วางในบรรยากาศก๊าซของสิ่งสกปรกให้เป็นผู้รับ แล้วอุ่น ไม่บริสุทธิ์แพร่เข้าสู่พื้นผิวชั้นฟอร์มชนิด P บนพื้นผิวประเภท N แม้ว่า การกระจายกระบวนการต้องมากกว่ากระบวนการผสม แต่ไม่แพง และสามารถควบคุมได้ถูกต้อง เทคนิคแพร่ไปสู่ตัวเองการผลิตพร้อมกันของไดโอดหลายร้อยแผ่นเดียวขนาดเล็กวัสดุสารกึ่งตัวนำ และนิยมใช้ในการผลิตไดโอดสารกึ่งตัวนำ นอกจากนี้ยังมีใช้เทคนิคนี้ในการผลิตทรานซิสเตอร์และ ICs (วงจรรวม)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การแพร่กระจายเป็นกระบวนการที่มีความเข้มข้นหนักของอนุภาคกระจายเป็นบริเวณโดยรอบของความเข้มข้นต่ำ ความแตกต่างที่สำคัญระหว่างการแพร่กระจายและโลหะผสมกระบวนการเป็นความจริงที่ว่าเหลวไม่ถึงในขั้นตอนการแพร่กระจาย ในขั้นตอนการแพร่กระจายความร้อนจะถูกนำมาใช้เพื่อเพิ่มกิจกรรมขององค์ประกอบที่เกี่ยวข้อง การก่อตัวของไดโอดดังกล่าวทั้งกระบวนการแพร่ของแข็งหรือก๊าซสามารถทำงาน กระบวนการของการแพร่กระจายของแข็งเริ่มต้นด้วยการก่อตัวของชั้นของการปนเปื้อนตัวรับบนพื้นผิวประเภท N- และความร้อนทั้งสองจนบริสุทธิ์กระจายเข้าไปในพื้นผิวในรูปแบบชั้น P-ชนิดดังแสดงในรูปที่ ชุมทาง PN ขนาดใหญ่แบ่งออกเป็นส่วนโดยกระบวนการตัด รายชื่อโลหะจะทำสำหรับการเชื่อมต่อขั้วบวกและขั้วลบนำไปสู่.

ในขั้นตอนของการแพร่กระจายก๊าซแทนการก่อชั้นของมลทินใบเสร็จซึ่งเป็นสารตั้งต้นชนิด N- จะอยู่ในบรรยากาศที่เป็นก๊าซของสิ่งสกปรกและตัวรับความร้อนแล้ว สารเจือปนกระจายเข้าไปในพื้นผิวในรูปแบบชั้นประเภท P- บนพื้นผิวประเภท N- แม้ว่ากระบวนการแพร่ต้องใช้เวลามากกว่ากระบวนการผสม แต่มันคือราคาไม่แพงและสามารถควบคุมได้อย่างถูกต้อง เทคนิคการแพร่นำไปสู่ตัวเองเพื่อการผลิตพร้อมกันของหลายร้อยบนแผ่นดิสก์ไดโอดเล็ก ๆ แห่งหนึ่งของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์และเป็นที่นิยมใช้มากที่สุดในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ไดโอด เทคนิคนี้ยังถูกนำมาใช้ในการผลิตทรานซิสเตอร์และของวงจรรวม (แผงวงจร) เดอะ