A general overview of IC fabricatio

A general overview of IC fabrication has
been presented so far and more detail about
transistor, diode, resistor, and capacitor circuit
functions will now be offered. Figure 13-9
shows one way to fabricate an NPN junction
transistor. A P type substrate is shown. An N
layer is diffused into the substrate to form the
collector of the transistor. N means that more
than the average number of impurity atoms enter the crystal. This is called heavy doping and it
serves to lower the resistance of the collector.
An N layer is then formed over the substrate
using an epitaxial process. Epitaxy is the controlled growth on a crystalline substrate of a
crystalline layer, called an epilayer. The epilayer
exactly duplicates the properties and crystal
structure of the substrate. The epilayer is oxidized and exposed through a photomask. After
developing, a P type impurity such as boron is
diffused into the windows until the substrate is
reached. This electrically isolates an entire
region on the N type epilayer. This is called the
isolation diffusion and allows separate electrical
functions to exist in a single layer.
Refer again to Fig. 13-9. Again, photolithography opens up a window and a P-type impurity
can be diffused in to form the base of the transistor. Later, an N-type diffusion will form the
emitter. Polarity reversals by repeated diffusions would eventually saturate the crystal so
their number is usually limited to three. Since
emitters are normally heavily doped in any
case, the process is designed so that the emitter
diffusion is the last one.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพรวมทั่วไปของ IC ผลิตได้
รับการเสนอเพื่อให้ห่างไกลและรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับ
ทรานซิสเตอร์ไดโอดตัวต้านทานและตัวเก็บประจุวงจร
การทำงานจะได้รับการเสนอ รูป 13-9
แสดงให้เห็นวิธีหนึ่งที่จะสร้างทางแยก NPN
ทรานซิสเตอร์ ประเภทของวัสดุพิมพ AP จะแสดง ไม่มี
ชั้นกระจายเข้าไปในพื้นผิวในรูปแบบ
สะสมของทรานซิสเตอร์ ไม่มีหมายความว่ามากขึ้น
กว่าค่าเฉลี่ยของจำนวนของอะตอมบริสุทธิ์ใส่คริสตัล นี้เรียกว่ายาสลบหนักและจะ
ทำหน้าที่ในการลดความต้านทานของสะสม
ชั้น N เกิดขึ้นแล้วกว่าพื้นผิว
โดยใช้กระบวนการ epitaxial epitaxy คือการเจริญเติบโตของการควบคุมบนพื้นผิวผลึกของ
ชั้นผลึกที่เรียกว่า epilayer epilayer
ว่าซ้ำกันคุณสมบัติและคริสตัล
โครงสร้างของพื้นผิว epilayer ถูกออกซิไดซ์และสัมผัสผ่าน photomask หลังจากที่
พัฒนาบริสุทธิ์ P ชนิดเช่นโบรอนจะ
กระจายเข้าไปในหน้าต่างจนกว่าพื้นผิวจะ
มาถึง นี้ระบบไฟฟ้าที่แยกทั้ง
ภูมิภาคกับชนิด epilayer ไม่มี นี้เรียกว่า
การแพร่กระจายและช่วยให้การแยกไฟฟ้าแยก
ฟังก์ชั่นที่มีอยู่ในชั้นเดียว
อีกครั้งเพื่อดูรูป 13-9 อีกครั้ง photolithography เปิดหน้าต่างและบริสุทธิ์ P-ชนิด
สามารถแพร่กระจายในรูปแบบฐานของทรานซิสเตอร์ ต่อมาการแพร่ N-ชนิดจะฟอร์ม
อีซีแอล การพลิกกลับขั้วโดย Diffusions ซ้ำแล้วซ้ำอีกในที่สุดก็จะเปียกโชกคริสตัลเพื่อให้
จำนวนของพวกเขามักจะถูก จำกัด ไว้ที่สาม ตั้งแต่
ปล่อยเป็นปกติยาอย่างหนักใน
กรณีกระบวนการที่ถูกออกแบบมาเพื่อให้อีซีแอล
การแพร่เป็นคนสุดท้าย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพรวมทั่วไปของ IC fabrication ได้
ถูกนำเสนอเพื่อให้ห่างไกลและรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับ
ทรานซิสเตอร์ ไดโอด ตัวต้านทาน และตัวเก็บประจุวงจรการทำงาน
ตอนนี้จะได้รับ รูป 13-9
แสดงวิธีหนึ่งที่จะสร้างเป็นทรานซิสเตอร์ NPN ชุมทาง
. เป็นสารชนิด P แสดง เป็น n
ชั้นกระจายลงในแผ่นแบบฟอร์ม
สะสมของทรานซิสเตอร์ N หมายถึงมากขึ้น
กว่าจำนวนเฉลี่ยของมลอะตอมใส่คริสตัล นี้เรียกว่าหนักยาสลบและ
บริการเพื่อลดความต้านทานของนักสะสม
เป็น N ชั้นแล้วขึ้นเหนือพื้นผิว
โดยใช้กระบวนการ epitaxial . ในประเทศไทยคือควบคุมการเจริญเติบโตบนพื้นผิวผลึกของ
ชั้นผลึก เรียกว่าเป็น epilayer . การ epilayer
ตรงซ้ำกันคุณสมบัติและคริสตัล
โครงสร้างของพื้นผิว การ epilayer เป็นออกซิไดซ์และเปิดเผยผ่านโฟโต้มาสค์ . หลังจาก
พัฒนา P ประเภทบริสุทธิ์ เช่น โบรอนเป็น
พร่าเข้ามาทางหน้าต่างจนพื้นผิวเป็น
ถึง นี้ไฟฟ้าสายพันธุ์ทั้งภูมิภาค
บน N ประเภท epilayer . นี้เรียกว่าการกระจายฟังก์ชันไฟฟ้าและช่วยให้

แยกอยู่ในเลเยอร์เดียว อีก 13-9
ดูรูป .อีก 43 เปิดหน้าต่างและพีมล
สามารถกระจายในรูปแบบฐานของทรานซิสเตอร์ ต่อมา กระจายทั่วไปจะฟอร์ม
อีซี . การพลิกกลับขั้วโดยซ้ำ diffusions ในที่สุดจะแช่ผลึกงั้น
จำนวนของพวกเขามักจะ จำกัด ให้สาม ตั้งแต่
emitters ปกติหนักเจือใน
กรณีกระบวนการถูกออกแบบมาเพื่อให้อีซี
การแพร่กระจายเป็นครั้งสุดท้าย