increases, the electrons gain energ

increases, the electrons gain energy (heat is absorbed by the silicon crystal), which causes
some of the valence electrons to break free and move to a conducting energy level, Ec.
Figure 2.11 shows the movement of an electron from the valence band to the conduction
band. Note that there aren't any allowable energies between Ev and Ec in the silicon
crystal structure (if the atom were by itself, that is, not in a crystal structure this exact
limitation isn't present). Further note that when the electron moves from the valence
energy band to the conduction energy band, a hole is left in the valence band. Having an
electron in the conduction band increases the material's conductivity (the electron can
move around easily in the semiconductor material because it's not tightly coupled to an
atom's nucleus). At the same time a hole in the valence band increases the material's
conductivity (electrons in the valence band can move around more easily by simply
falling into the open hole). The key point is that increasing the number of electrons or
holes increases the materials conductivity. Since the hole is more tightly coupled to the
atom's nucleus (actually the electrons in the valence band), its mobility (ability to move
around) is lower than the electron's mobility in the conduction band. This point is
fundamentally important. The fact that the mobility of a hole is lower than the mobility
of an electron (in silicon) results in, among other things, the size of PMOS devices being
larger than the size of NMOS devices (when designing circuits) in order for each device
to have the same drive strength.
.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพิ่มขึ้น อิเล็กตรอนได้รับพลังงาน (ความร้อนถูกดูด โดยคริสตัลซิลิคอน), สาเหตุที่ของเวเลนซ์อิเล็กตรอนแบ่งฟรี และย้ายไปทำพลังงานระดับ Ec.รูปที่ 2.11 แสดงการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนจากแถบเวเลนซ์เพื่อนำการวงดนตรี หมายเหตุว่า ไม่มีพลังงานใด ๆ ที่อนุญาตระหว่าง Ev และ Ec ในซิลิคอนโครงสร้างผลึก (ถ้าอะตอมได้ โดยตัวมันเอง นั่นคือ โครงสร้างผลึกแบบนี้แน่นอนข้อจำกัดไม่มี) เพิ่มเติม หมายเหตุว่า เมื่ออิเล็กตรอนย้ายจากเวเลนซ์วงวงนำพลังงาน หลุมพลังงานที่เหลือในวงเวเลนซ์ มีการอิเล็กตรอนในวงจึงเพิ่ม (อิเล็กตรอนสามารถนำวัสดุย้ายได้ในวัสดุสารกึ่งตัวนำเนื่องจากไม่แน่นได้ควบคู่กับการของอะตอมนิวเคลียส) ในเวลาเดียวกัน ในวงเวเลนซ์เพิ่มราคาของวัสดุนำ (อิเล็กตรอนในวงเวเลนซ์สามารถย้ายเพิ่มเติมได้อย่างง่ายดายโดยเพียงแค่ตกไปอยู่ในหลุมเปิด) จุดสำคัญอยู่ที่การเพิ่มจำนวนอิเล็กตรอน หรือหลุมเพิ่มนำวัสดุ เนื่องจากหลุมอย่างใกล้ชิดยิ่งได้ควบคู่กับการนิวเคลียสของอะตอม (จริงอิเล็กตรอนในวงเวเลนซ์) การเคลื่อนไหว (ความสามารถในการย้ายรอบ) จะต่ำกว่าการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนในวงการนำ จุดนี้อยู่ภาระสำคัญ ความจริงที่ว่ารูเคลื่อนที่ต่ำกว่าการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอน (ในซิลิคอน) การเกิด ต่าง ๆ ขนาดของ PMOS อุปกรณ์การมีขนาดใหญ่กว่าขนาดของอุปกรณ์ NMOS (เมื่อออกแบบวงจร) ในใบสั่งสำหรับแต่ละอุปกรณ์มีความแข็งแรงของไดรฟ์เดียวกัน.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเพิ่มขึ้นของอิเล็กตรอนได้รับพลังงาน (ความร้อนที่ถูกดูดซึมโดยผลึกซิลิกอน)
ซึ่งเป็นสาเหตุที่ทำให้บางส่วนของอิเล็กตรอนที่จะทำลายฟรีและย้ายไปยังการดำเนินการระดับพลังงานEc.
รูปที่ 2.11 แสดงให้เห็นถึงการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนจากวงดนตรีจุไป
การนำวงดนตรี โปรดทราบว่ามีไม่ใดที่อนุญาตพลังงานระหว่าง Ev Ec
และซิลิกอนในโครงสร้างผลึก(ถ้าอะตอมได้ด้วยตัวเองที่ไม่ได้อยู่ในโครงสร้างผลึกนี้แน่นอนข้อ จำกัด ที่ไม่ได้นำเสนอ) ทราบเพิ่มเติมว่าเมื่ออิเล็กตรอนเคลื่อนที่จากจุวงพลังงานในแถบพลังงานการนำหลุมที่เหลือในวงดนตรีจุ มีอิเล็กตรอนในการนำวงดนตรีที่เพิ่มขึ้นของการนำวัสดุ(อิเล็กตรอนสามารถย้ายไปรอบๆ ได้อย่างง่ายดายในวัสดุเซมิคอนดักเตอร์เพราะไม่ได้คู่แน่นกับนิวเคลียสของอะตอม) ในขณะเดียวกันหลุมในวงความจุที่เพิ่มขึ้นของวัสดุที่การนำ (อิเล็กตรอนในวงจุสามารถย้ายไปรอบ ๆ ได้ง่ายขึ้นโดยเพียงแค่ล้มลงไปในหลุมที่เปิด) จุดสำคัญคือการเพิ่มจำนวนของอิเล็กตรอนหรือหลุมเพิ่มการนำวัสดุ ตั้งแต่หลุมเป็นคู่แน่นกับนิวเคลียสของอะตอม (ที่จริงอิเล็กตรอนในวงดนตรีจุ) การเคลื่อนไหวของมัน (ความสามารถที่จะย้ายไปรอบๆ ) ต่ำกว่าการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนในวงดนตรีที่การนำ จุดนี้เป็นสิ่งสำคัญพื้นฐาน ความจริงที่ว่าการเคลื่อนไหวของหลุมที่ต่ำกว่าการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอน (ในซิลิกอน) ส่งผลให้ในสิ่งอื่น ๆ ขนาดของอุปกรณ์ PMOS เป็นขนาดใหญ่กว่าขนาดของอุปกรณ์NMOS (เมื่อการออกแบบวงจร) ในการสั่งซื้อสำหรับแต่ละอุปกรณ์ให้มีความแข็งแรงไดรฟ์เดียวกัน.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเพิ่มอิเล็กตรอนได้รับพลังงาน ( ความร้อนที่ถูกดูดซึมโดยผลึกซิลิคอน ) ซึ่งสาเหตุ
บางส่วนของอิเล็กตรอนอิสระและย้ายไปจัดระดับพลังงานของ EC .
รูปที่ 2.11 แสดงการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนจาก 2 วงไปจัดการ
วงดนตรี ทราบว่ามีไม่ใด ๆที่พลังระหว่าง EV และ EC ในซิลิคอน
โครงสร้างผลึก ( ถ้าอะตอมได้โดยตัวเองที่ไม่ได้อยู่ในโครงสร้างของผลึกนี้แน่นอน
ข้อจำกัดไม่ใช่ปัจจุบัน ) เพิ่มเติม ทราบว่า เมื่ออิเล็กตรอนเคลื่อนที่จากความจุ
แถบพลังงานเพื่อนำพลังงานวง , หลุมที่เหลืออยู่ในวาเลนซ์แบนด์ . มี
อิเล็กตรอนในนำวงดนตรีเพิ่มความนำไฟฟ้าของวัสดุ ( อิเล็กตรอนสามารถ
ย้ายไปรอบ ๆได้อย่างง่ายดายในวัสดุสารกึ่งตัวนำ เพราะว่ามันไม่แน่น คู่กับ
นิวเคลียสของอะตอม ) ในเวลาเดียวกัน ในหลุมที่ 2 วงเพิ่มความนำของ
วัสดุ ( อิเล็กตรอนในวาเลนซ์แบนด์สามารถย้ายรอบได้อย่างง่ายดาย โดยเพียงแค่
ล้มลงหลุมเปิด ) กุญแจสำคัญคือการเพิ่มจำนวนของอิเล็กตรอนหรือ
หลุมเพิ่มวัสดุที่นำ ตั้งแต่หลุมแน่นๆควบคู่กับ
นิวเคลียสของอะตอม ( ที่จริงอิเล็กตรอนในวาเลนซ์แบนด์ ) , มีความคล่องตัว ( ความสามารถในการย้าย
ๆ ) กว่าจะเป็นอิเล็กตรอนเคลื่อนที่ในการนำวงดนตรี จุดนี้คือ
พื้นฐานที่สำคัญ ความจริงที่ว่า การเคลื่อนไหวของหลุมน้อยกว่าการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนในซิลิคอน
) ผลลัพธ์ใน , หมู่สิ่งอื่น ๆ , ขนาดของอุปกรณ์ pmos ถูก
ขนาดใหญ่กว่าขนาดของอุปกรณ์ nmos ( เมื่อออกแบบวงจร ) เพื่อให้อุปกรณ์แต่ละ
มีแรงขับเดียวกัน