A JEOL 5600-2v scanning electron mi

A JEOL 5600-2v scanning electron microscope (SEM) was utilized to
investigate the morphology of the produced thin films using an accelerating
voltage of 20 kV. The composition of thin films was also determined
by an energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) system
attached to the SEM. Table 3 shows the composition of the fabricated
thin films. The table reveals a relativly high concentration of Mn
which can be assigned to its high evaporation rate

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

JEOL 5600-2v กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) ถูกนำมาใช้ในการตรวจสอบสัณฐานวิทยาการผลิตแผ่นฟิล์มบางโดยใช้ตัวเร่งแรงดัน 20 kV นอกจากนี้ยังกำหนดองค์ประกอบของฟิล์มบางโดยระบบพลังงาน dispersive X-ray สเปกโทรสโก (เห็น EDX)แนบกับตารางเชม 3 แสดงองค์ประกอบของการประดิษฐ์ฟิล์มบาง ตารางแสดงให้เห็นทะเลเข้มข้นของ Mnซึ่งสามารถกำหนดให้อัตราการระเหยสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

JEOL 5600-2v กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ถูกนำมาใช้เพื่อ
ตรวจสอบลักษณะทางสัณฐานวิทยาของฟิล์มบางที่ผลิตโดยใช้การเร่ง
แรงดันไฟฟ้า 20 กิโลโวลต์ องค์ประกอบของฟิล์มบางยังถูกกำหนด
โดย X-ray สเปกโทรสโกพลังงานกระจาย (EDX) ระบบ
ที่แนบมากับ SEM ตารางที่ 3 แสดงให้เห็นถึงองค์ประกอบของประดิษฐ์
ฟิล์มบาง ตารางแสดงให้เห็นว่ามีความเข้มข้นสูงสัมพัทธ์ของ Mn
ซึ่งสามารถกำหนดให้อัตราการระเหยสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นจอล 5600-2v กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) ใช้เพื่อศึกษาโครงสร้างของฟิล์มบางโดยใช้การเร่งผลิตแรงดัน 20 KV . องค์ประกอบของฟิล์มบางยังกำหนดโดยพลังงานกระจายตัวสเปกโทรสโกปีรังสีเอกซ์ ( การวัด ) ระบบแนบกับ SEM ตารางที่ 3 แสดงองค์ประกอบของ ประดิษฐ์ฟิล์มบาง ตารางแสดงความเข้มข้นของแมงกานีสค่อนข้างสูงซึ่งสามารถกำหนดให้อัตราการระเหยสูง