With the use of the small, planar,

With the use of the small, planar, ICprocessed ISFET, a high degree of integration can be achieved by the deposition of a thin gold or platinum film electrode, closely spaced around the pH-sensitive gate of the ISFET. Figure 7 shows the basic elements of such a device.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ด้วยการใช้ขนาดเล็ก ระนาบ ICprocessed ISFET รวมระดับสูงสามารถทำได้ โดยการสะสมของบางทองหรือแพลทินัมอิเล็กโทรดฟิล์ม ระยะห่างรอบประตูของ ISFET ไวต่อค่า pH อย่างใกล้ชิด รูปที่ 7 แสดงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ด้วยการใช้ขนาดเล็ก, ภาพถ่าย, ICprocessed ISFET ระดับสูงของการรวมสามารถทำได้โดยการสะสมของทองหรือทองคำขาวบางขั้วไฟฟ้าฟิล์มรอบระยะใกล้ประตูไวต่อค่า pH ของ ISFET รูปที่ 7 แสดงให้เห็นถึงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ด้วยการใช้วิธี icprocessed ขนาดเล็ก , isfet , ระดับสูงของการรวมสามารถบรรลุได้โดยการสะสมของทอง หรือแพลทินัม ขั้วไฟฟ้าฟิล์มบาง , อย่างใกล้ชิดระยะรอบอ อ่อนไหว ประตูของ isfet . รูปที่ 7 แสดงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว .