An attempt is made to observe light

An attempt is made to observe light induced defects (LID) in amorphous chalcogenides Se90X10 (X= Sb,
In, Ag) thin films prepared by vacuum evaporation technique. For the determination of light induced
defects quantitatively, space charge limited current (SCLC) measurements have been made in a vacuum
∼10−3 Torr before and after exposing amorphous films to white light for different exposure times (0 to
6 h). Results indicate that light induced metastable defects are created due to prolonged exposure of
light which is explained by a microscopic model for light induced metastable defects creation proposed
by Shimakawa and co-workers. Fractional increase in density of defects due to light exposure is found
to be least in case of Se90Ag10 indicating that this alloy may be used for optoelectronic applications as
degradation upon light soaking is small in this case.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีความพยายามที่จะสังเกตข้อบกพร่องอาจแสง (ฝา) ใน chalcogenides ไป Se90X10 (X = Sbใน Ag) บางฟิล์มที่เตรียม โดยเทคนิคสูญญากาศระเหย สำหรับการกำหนดแสงเกิดข้อบกพร่อง quantitatively ค่าธรรมเนียมพื้นที่จำกัดปัจจุบัน (SCLC) วัดทำในสุญญากาศธอร์ ∼10−3 ก่อน และ หลังเปิดเผยฟิล์มไปแสงสีขาวสำหรับแสงต่างเวลา (0 เพื่อ6 h) ผลระบุว่า ไฟสร้างข้อบกพร่อง metastable อาจเนื่องเป็นเวลานานความเสี่ยงของแสงซึ่งอธิบาย โดยแบบจำลองกล้องจุลทรรศน์สำหรับไฟเกิดจากข้อบกพร่อง metastable สร้างนำเสนอShimakawa และเพื่อนร่วมงาน พบเศษเพิ่มความหนาแน่นของข้อบกพร่องเนื่องจากแสงไฟให้น้อยที่สุดในกรณีของ Se90Ag10 แสดงให้เห็นว่า โลหะผสมนี้สามารถใช้สำหรับโปรแกรมประยุกต์ optoelectronic เป็นสลายตัวเมื่อแช่ไฟมีขนาดเล็กในกรณีนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความพยายามที่จะทำให้เกิดข้อบกพร่องที่สังเกตแสง (ฝา) ใน chalcogenides สัณฐาน Se90X10 (X = Sb,
In, Ag) ฟิล์มบางที่เตรียมโดยเทคนิคการระเหยสูญญากาศ สำหรับความมุ่งมั่นของแสงเหนี่ยวนำให้เกิดข้อบกพร่องเชิงปริมาณค่าพื้นที่ จำกัด ปัจจุบัน (SCLC) วัดได้รับการทำในสุญญากาศ ~10-3 Torr ก่อนและหลังการเปิดเผยภาพยนตร์สัณฐานกับแสงสีขาวสำหรับการเปิดโปงครั้งที่แตกต่างกัน (0 เดือนถึง6 ชั่วโมง) ผลการศึกษาพบว่าแสงเหนี่ยวนำให้เกิดข้อบกพร่อง metastable จะถูกสร้างขึ้นจากการสัมผัสเป็นเวลานานของแสงซึ่งจะอธิบายได้ด้วยรูปแบบกล้องจุลทรรศน์แสงเหนี่ยวนำให้เกิดการสร้างmetastable ข้อบกพร่องที่นำเสนอโดยShimakawa และเพื่อนร่วมงาน เพิ่มขึ้น Fractional ความหนาแน่นของข้อบกพร่องจากการสัมผัสแสงที่พบจะเป็นอย่างน้อยในกรณีของSe90Ag10 แสดงให้เห็นว่าโลหะผสมนี้อาจจะนำมาใช้สำหรับการใช้งานเป็น optoelectronic ย่อยสลายเมื่อแช่แสงที่มีขนาดเล็กในกรณีนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การพยายามสังเกตแสงจากข้อบกพร่อง ( ฝา ) ในสัณฐานแชลโคเจไนด์ se90x10 ( X = SB ,
, AG ) ฟิล์มที่เตรียมจากเทคนิคการระเหยสูญญากาศ สำหรับการหาปริมาณแสงเหนี่ยว
ข้อบกพร่องปริมาณพื้นที่เก็บ จำกัด ปัจจุบัน ( SCLC ) วัดได้ในสูญญากาศ
∼ 10 − 3 ทอร์ก่อนและหลังการเปิดเผยฟิล์มไปให้แสงสีขาวเท่าแสงแตกต่างกัน ( 0
6 H ) ผลการวิจัย พบว่า แสงจากเมตาสเตเบิลข้อบกพร่องถูกสร้างขึ้นเนื่องจากการเปิดรับแสงนาน
ซึ่งสามารถอธิบายได้ด้วยแบบจำลองด้วยกล้องจุลทรรศน์แสงและการสร้างข้อบกพร่องเมตาสเตเบิลเสนอ
โดย shimakawa และเพื่อนร่วมงานเศษส่วนเพิ่มความหนาแน่นของข้อบกพร่องเนื่องจากการเปิดรับแสงที่พบ
เป็นอย่างน้อยในกรณีของ se90ag10 แสดงว่าผสมนี้อาจจะใช้สำหรับการใช้งาน optoelectronic เป็น
การย่อยสลายเมื่อแสงแช่ขนาดเล็กในกรณีนี้