In As-doped Si, replacing an Si (gr

In As-doped Si, replacing an Si (group 14) by an As (group
15) atom introduces an electron-rich site. The extra electrons
occupy
a discrete
level below
the conduction
band (Figure
5.13b), and,
because of the small band gap (10 kJ mol
1),
electrons from the donor level can thermally populate the
conduction band where they are free to move. Electrical
conduction can be described in terms of the movement of
negatively charged electrons and this generates an n-type (n
stands for negative) semiconductor. Phosphorus atoms can
similarly be used as dopants in silicon.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใน As เจือศรี แทน Si (หมู่ 14) โดย As (กลุ่ม15) อะตอมแนะนำเป็นเว็บไซต์ที่อุดมไปด้วยอิเล็กตรอน อิเล็กตรอนพิเศษครอบครอง แบบไม่ต่อเนื่อง ระดับล่าง นำ วง (รูป5.13b) และ เนื่องจากช่องว่างเล็ก ๆ (10 kJ mol 1),อิเล็กตรอนจากระดับผู้บริจาคสามารถรวบรวมความร้อนนำวงที่ที่จะเคลื่อนไหวได้อิสระ ไฟฟ้านำสามารถอธิบายในแง่ของการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนและนี้สร้างข้อประเภท n (nสารกึ่งตัวนำสำหรับลบยืน) สามารถอะตอมของฟอสฟอรัสในทำนองเดียวกัน สามารถใช้เป็น dopants ในซิลิคอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นเจือศรีเปลี่ยนศรี (กลุ่ม 14) โดยเป็น (กลุ่ม
15) อะตอมแนะนำเว็บไซต์อิเล็กตรอนที่อุดมไปด้วย อิเล็กตรอนพิเศษ
ครอบครอง
ต่อเนื่อง
ระดับดังต่อ
การนำ
วงดนตรี (รูป
5.13b) และ
เพราะช่องว่างวงดนตรีขนาดเล็ก (10 กิโลจูลโมล? 1),
อิเล็กตรอนจากระดับผู้บริจาคความร้อนสามารถเติม
การนำวงดนตรีที่พวกเขามีอิสระในการ ย้าย. ไฟฟ้า
การนำสามารถอธิบายได้ในแง่ของการเคลื่อนไหวของ
อิเล็กตรอนที่มีประจุลบและสร้างชนิดเอ็น (n
ยืนสำหรับลบ) เซมิคอนดักเตอร์ อะตอมฟอสฟอรัสสามารถ
ในทำนองเดียวกันจะใช้เป็นสารเจือในซิลิกอน